公开(公告)号：US20130075783A1

公开(公告)日：2013-03-28

申请号：US13618220

申请日：2012-09-14

申请人： Shinya YAMAZAKI ,  Satoru KAMEYAMA ,  Hitoshi SAKANE ,  Jyoji ITO

发明人： Shinya YAMAZAKI ,  Satoru KAMEYAMA ,  Hitoshi SAKANE ,  Jyoji ITO

IPC分类号： H01L21/265 ,  H01L29/739

CPC分类号： H01L21/263 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/32 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/861

摘要： A semiconductor device includes: a semiconductor substrate, the semiconductor substrate comprising; an n type drift layer, a p type body layer on an upper surface side of the drift layer, and a high impurity n layer on a lower surface side of the drift layer. The high impurity n layer includes hydrogen ion donors as a dopant, and has a higher density of n type impurities than the drift layer. A lifetime control region including crystal defects as a lifetime killer is formed in the high impurity n layer and a part of the drift layer. A donor peak position is adjacent or identical to a defect peak position, at which a crystal defect density is highest in the lifetime control region in the depth direction of the semiconductor substrate. The crystal defect density in the defect peak position of the lifetime control region is 1×1012 atoms/cm3 or more.

摘要翻译： 半导体器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括： 漂移层的上表面侧的n型漂移层，p型体层以及漂移层的下表面侧的高杂质n层。 高杂质n层包括氢离子供体作为掺杂剂，并且具有比漂移层更高的n型杂质密度。 在高杂质n层和漂移层的一部分中形成包括晶体缺陷作为寿命抑制剂的寿命控制区域。 供体峰位置与半导体衬底的深度方向上的寿命控制区域中的晶体缺陷密度最高的缺陷峰位置相邻或相同。 寿命控制区的缺陷峰位置的晶体缺陷密度为1×1012原子/ cm3以上。