公开(公告)号：US20110143510A1

公开(公告)日：2011-06-16

申请号：US12638958

申请日：2009-12-15

申请人： Shun Wu LIN ,  Peng-Soon Lim ,  Matt Yeh ,  Ouyang Hui

发明人： Shun Wu LIN ,  Peng-Soon Lim ,  Matt Yeh ,  Ouyang Hui

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66795 ,  H01L29/785

摘要： A method of forming a FinFET device is provided. In one embodiment, a fin is formed on a substrate. A gate structure is formed over the fin, the gate structure having a dielectric layer and a conformal first polysilicon layer formed above the dielectric layer. An etch stop layer is formed above the first polysilicon layer and thereafter a second polysilicon layer is formed above the etch stop layer. The second polysilicon layer and the etch stop layer are removed. A metal layer is formed above the first polysilicon layer. The first polysilicon layer is reacted with the metal layer to silicide the first polysilicon layer. Any un-reacted metal layer is thereafter removed and source and drain regions are formed on opposite sides of the fin.

摘要翻译： 提供了一种形成FinFET器件的方法。 在一个实施例中，在衬底上形成翅片。 栅极结构形成在鳍片上，栅极结构具有介电层和形成在电介质层上方的共形第一多晶硅层。 在第一多晶硅层上方形成蚀刻停止层，此后在蚀刻停止层上方形成第二多晶硅层。 去除第二多晶硅层和蚀刻停止层。 金属层形成在第一多晶硅层的上方。 第一多晶硅层与金属层反应以使第一多晶硅层硅化。 此后除去任何未反应的金属层，并且在鳍的相对侧上形成源区和漏区。

公开(公告)号：US08114721B2

公开(公告)日：2012-02-14

申请号：US12638958

申请日：2009-12-15

申请人： Shun Wu Lin ,  Peng-Soon Lim ,  Matt Yeh ,  Ouyang Hui

发明人： Shun Wu Lin ,  Peng-Soon Lim ,  Matt Yeh ,  Ouyang Hui

IPC分类号： H01L21/84 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L29/66795 ,  H01L29/785

摘要： A method of forming a FinFET device is provided. In one embodiment, a fin is formed on a substrate. A gate structure is formed over the fin, the gate structure having a dielectric layer and a conformal first polysilicon layer formed above the dielectric layer. An etch stop layer is formed above the first polysilicon layer and thereafter a second polysilicon layer is formed above the etch stop layer. The second polysilicon layer and the etch stop layer are removed. A metal layer is formed above the first polysilicon layer. The first polysilicon layer is reacted with the metal layer to silicide the first polysilicon layer. Any un-reacted metal layer is thereafter removed and source and drain regions are formed on opposite sides of the fin.

摘要翻译： 提供了一种形成FinFET器件的方法。 在一个实施例中，在衬底上形成翅片。 栅极结构形成在鳍片上，栅极结构具有介电层和形成在电介质层上方的共形第一多晶硅层。 在第一多晶硅层上方形成蚀刻停止层，此后在蚀刻停止层上方形成第二多晶硅层。 去除第二多晶硅层和蚀刻停止层。 金属层形成在第一多晶硅层的上方。 第一多晶硅层与金属层反应以使第一多晶硅层硅化。 此后除去任何未反应的金属层，并且在鳍的相对侧上形成源区和漏区。

公开(公告)号：US08048733B2

公开(公告)日：2011-11-01

申请号：US12757295

申请日：2010-04-09

申请人： Matt Yeh ,  Yi-Chen Huang ,  Fan-Yi Hsu ,  Ouyang Hui

发明人： Matt Yeh ,  Yi-Chen Huang ,  Fan-Yi Hsu ,  Ouyang Hui

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L29/66545 ,  H01L21/2822 ,  H01L29/51 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

摘要： An method of fabricating the gate structure comprises: sequentially depositing and patterning a dummy oxide layer and a dummy gate electrode layer on a substrate; surrounding the dummy oxide layer and the dummy gate electrode layer with a nitrogen-containing dielectric layer and an interlayer dielectric layer; removing the dummy gate electrode layer; removing the dummy oxide layer by exposing a surface of the dummy oxide layer to a vapor mixture comprising NH3 and a fluorine-containing compound at a first temperature; heating the substrate to a second temperature to form an opening in the nitrogen-containing dielectric layer; depositing a gate dielectric; and depositing a gate electrode.

摘要翻译： 制造栅极结构的方法包括：在衬底上依次沉积和图案化虚拟氧化物层和伪栅极电极层; 用含氮介电层和层间电介质层包围虚拟氧化物层和虚拟栅极电极层; 去除所述伪栅电极层; 通过在第一温度将所述虚拟氧化物层的表面暴露于包含NH 3和含氟化合物的蒸气混合物中来除去所述虚拟氧化物层; 将基板加热到第二温度以在含氮介电层中形成开口; 沉积栅极电介质; 并沉积栅电极。

公开(公告)号：US08361855B2

公开(公告)日：2013-01-29

申请号：US13252642

申请日：2011-10-04

申请人： Matt Yeh ,  Yi-Chen Huang ,  Fan-Yi Hsu ,  Ouyang Hui

发明人： Matt Yeh ,  Yi-Chen Huang ,  Fan-Yi Hsu ,  Ouyang Hui

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L29/66545 ,  H01L21/2822 ,  H01L29/51 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

摘要： An method of fabricating the gate structure comprises: sequentially depositing and patterning a dummy oxide layer and a dummy gate electrode layer on a substrate; surrounding the dummy oxide layer and the dummy gate electrode layer with a nitrogen-containing dielectric layer and an interlayer dielectric layer; removing the dummy gate electrode layer; removing the dummy oxide layer by exposing a surface of the dummy oxide layer to a vapor mixture comprising NH3 and a fluorine-containing compound at a first temperature; heating the substrate to a second temperature to form an opening in the nitrogen-containing dielectric layer; depositing a gate dielectric; and depositing a gate electrode.

摘要翻译： 制造栅极结构的方法包括：在衬底上依次沉积和图案化虚拟氧化物层和伪栅极电极层; 用含氮介电层和层间电介质层包围虚拟氧化物层和虚拟栅极电极层; 去除所述伪栅电极层; 通过在第一温度将所述虚拟氧化物层的表面暴露于包含NH 3和含氟化合物的蒸气混合物中来除去所述虚拟氧化物层; 将基板加热到第二温度以在含氮介电层中形成开口; 沉积栅极电介质; 并沉积栅电极。