公开(公告)号：US07288482B2

公开(公告)日：2007-10-30

申请号：US10908252

申请日：2005-05-04

申请人： Siddhartha Panda ,  Richard Wise ,  Srikanteswara Dakshina Murthy ,  Kamatchi Subramanian

发明人： Siddhartha Panda ,  Richard Wise ,  Srikanteswara Dakshina Murthy ,  Kamatchi Subramanian

IPC分类号： H01L21/461

CPC分类号： H01L21/31116 ,  H01L21/3185

摘要： Methods of etching silicon nitride material, and more particularly, etching nitride selective to silicon dioxide or silicide, are disclosed. The methods include exposing a substrate having silicon nitride thereon to a plasma including at least one fluorohydrocarbon and a non-carbon containing fluorine source such as sulfur hexafluoride (SF6). The plasma may also include oxygen (O2) and the fluorohydrocarbons may include at least one of: trifluoromethane (CHF3), difluoromethane (CH2F2), and methyl fluoride (CH3F). In an alternative embodiment, the plasma includes one of hydrogen (H2) and nitrogen trifluoride (NF3) and one of tetrafluoromethane (CF4) and octafluorocyclobutane (C4F8). The methods are preferably carried out using a low bias voltage, e.g.

摘要翻译： 公开了蚀刻氮化硅材料的方法，更具体地说，蚀刻对二氧化硅或硅化物有选择性的氮化物。 所述方法包括将其上具有氮化硅的衬底暴露于包括至少一种氟代烃和不含碳的氟源如六氟化硫（SF 6 N 6）的等离子体。 等离子体还可以包括氧（O 2 H 2），并且氟代烃可以包括以下中的至少一种：三氟甲烷（CHF 3 N 3），二氟甲烷（CH 2 N 2） > F 2）和氟化氟（CH 3 N 3 F）。 在替代实施方案中，等离子体包括氢（H 2 H 2）和三氟化氮（NF 3 N）之一和四氟甲烷（CF 3 SO 3） ）和八氟环丁烷（C 4 H 8 F 8）。 该方法优选使用低偏置电压进行，例如， <100 V.