公开(公告)号：US09076713B2

公开(公告)日：2015-07-07

申请号：US13748146

申请日：2013-01-23

申请人： Soitec ,  Commissariat à l'Énergie Atomique

发明人： Thomas Signamarcheix ,  Frederic Allibert ,  Chrystel Deguet

IPC分类号： H01L27/01 ,  H01L27/12 ,  H01L31/0392 ,  H01L23/58 ,  H01L29/16 ,  H01L21/318 ,  H01L21/762

CPC分类号： H01L29/16 ,  H01L21/318 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/76283

摘要： The invention relates to a method for fabricating a locally passivated germanium-on-insulator substrate wherein, in order to achieve good electron mobility, nitridized regions are provided at localized positions. Nitridizing is achieved using a plasma treatment. The resulting substrates also form part of the invention.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于制造局部钝化的绝缘体上的锗衬底的方法，其中为了获得良好的电子迁移率，在局部位置提供氮化区域。 使用等离子体处理实现氮化。 所得到的基底也构成本发明的一部分。

公开(公告)号：US20130134547A1

公开(公告)日：2013-05-30

申请号：US13748146

申请日：2013-01-23

申请人： Soitec ,  Commissariat à I'Énergie Atomique

发明人： Thomas Signamarcheix ,  Frederic Allibert ,  Chrystel Deguet

IPC分类号： H01L29/16

CPC分类号： H01L29/16 ,  H01L21/318 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/76283

摘要： The invention relates to a method for fabricating a locally passivated germanium-on-insulator substrate wherein, in order to achieve good electron mobility, nitridized regions are provided at localised positions. Nitridizing is achieved using a plasma treatment. The resulting substrates also form part of the invention.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于制造局部钝化的绝缘体上的锗衬底的方法，其中为了获得良好的电子迁移率，在局部位置提供氮化区域。 使用等离子体处理实现氮化。 所得到的基底也构成本发明的一部分。