公开(公告)号：US06383345B1

公开(公告)日：2002-05-07

申请号：US09742331

申请日：2000-12-22

申请人： Steven Kim ,  Daeil Kim

发明人： Steven Kim ,  Daeil Kim

IPC分类号： C23C1434

CPC分类号： C23C14/0057 ,  C23C14/086

摘要： A method for forming an indium tin oxide thin film on a substrate in the present invention includes the steps of introducing a mixture of an inert gas and a low electron affinity element in close proximity to a target as a primary sputter ion beam source, providing an oxygen gas between the target and the substrate, applying an electrical energy to the target to ionize the mixture, confining electrons generated in the ionization in close proximity to a surface of the target facing towards the substrate, disintegrating negatively charged ions from the target, and forming the indium tin oxide thin film on the substrate.

摘要翻译： 在本发明中，在基板上形成氧化铟锡薄膜的方法包括将惰性气体和低电子亲合性元素的混合物作为主溅射离子束源引入目标物附近的步骤， 在靶和衬底之间的氧气，向目标施加电能以使混合物离子化，将在离子化中产生的电子限制在紧靠着朝向衬底的靶的表面上，使来自目标的带负电荷的离子分解，以及 在基板上形成氧化铟锡薄膜。