公开(公告)号：US20200035544A1

公开(公告)日：2020-01-30

申请号：US16594188

申请日：2019-10-07

申请人： SunEdison Semiconductor Limited (UEN201334164H)

发明人： Henry Frank Erk ,  Sasha Kweskin ,  Jeffrey L. Libbert ,  Mayank Bulsara

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L21/02 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065

摘要： A method is provided for preparing a semiconductor-on-insulator structure comprising a multilayer dielectric layer.

公开(公告)号：US10475696B2

公开(公告)日：2019-11-12

申请号：US16001377

申请日：2018-06-06

申请人： SunEdison Semiconductor Limited (UEN201334164H)

发明人： Henry Frank Erk ,  Sasha Kweskin ,  Jeffrey L. Libbert ,  Mayank Bulsara

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L21/02 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065

摘要： A method is provided for preparing a semiconductor-on-insulator structure comprising a multilayer dielectric layer.

公开(公告)号：US20190019721A1

公开(公告)日：2019-01-17

申请号：US16001377

申请日：2018-06-06

申请人： SunEdison Semiconductor Limited (UEN201334164H)

发明人： Henry Frank Erk ,  Sasha Kweskin ,  Jeffrey L. Libbert ,  Mayank Bulsara

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/306 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/76254 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3065

摘要： A method is provided for preparing a semiconductor-on-insulator structure comprising a multilayer dielectric layer.

公开(公告)号：US10796946B2

公开(公告)日：2020-10-06

申请号：US16594188

申请日：2019-10-07

申请人： SunEdison Semiconductor Limited (UEN201334164H)

发明人： Henry Frank Erk ,  Sasha Kweskin ,  Jeffrey L. Libbert ,  Mayank Bulsara

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L21/02 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065

摘要： A method is provided for preparing a semiconductor-on-insulator structure comprising a multilayer dielectric layer.