公开(公告)号：US09484207B2

公开(公告)日：2016-11-01

申请号：US14292167

申请日：2014-05-30

申请人： Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd

发明人： Jeng-Chang Her ,  Chia-Cheng Lin ,  Hung-Jui Chang ,  Yu-Sheng Su ,  Shu-Huei Suen

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/285

CPC分类号： H01L21/28518 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823475 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7848 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method for forming a semiconductor device structure is provided. The method includes providing a wafer having a central portion and a peripheral portion surrounding the central portion. The method includes forming a first dielectric layer over the central portion. The first dielectric layer has first contact openings exposing conductive regions of the wafer. The method includes forming a protective layer over the peripheral portion. The method includes after forming the protective layer, performing a metal silicide process to form metal silicide structures over the conductive regions of the wafer.

摘要翻译： 提供一种形成半导体器件结构的方法。 该方法包括提供具有中心部分和围绕中心部分的周边部分的晶片。 该方法包括在中心部分上形成第一介电层。 第一电介质层具有暴露晶片的导电区域的第一接触开口。 该方法包括在周边部分上形成保护层。 该方法包括在形成保护层之后，执行金属硅化物工艺以在晶片的导电区域上形成金属硅化物结构。