公开(公告)号：US07968943B2

公开(公告)日：2011-06-28

申请号：US12474700

申请日：2009-05-29

申请人： Takuya Sunada ,  Kazuhiko Kusuda ,  Takeshi Yoshida

发明人： Takuya Sunada ,  Kazuhiko Kusuda ,  Takeshi Yoshida

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： H01L29/78624 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/7824 ,  H01L29/78603 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： Plural through-holes are formed in a region of a semiconductor substrate positioned below a drain region (an element region other than a P-type well region). According to this configuration, an opposing area of the drain region and the semiconductor substrate can be reduced. Therefore, a drain-substrate capacitance Cdsub is reduced, and an output capacitance Coss of an SOI LDMOSFET can be reduced as a result.

摘要翻译： 多个通孔形成在位于漏极区域（除了P型阱区域之外的元件区域）的半导体衬底的区域中。 根据该结构，可以减少漏极区域和半导体衬底的相对区域。 因此，降低了漏极 - 基板电容Cdsub，结果可以减小SOI LDMOSFET的输出电容Coss。