公开(公告)号：US20150325331A1

公开(公告)日：2015-11-12

申请号：US14708392

申请日：2015-05-11

Applicant: The Penn State Research Foundation

Inventor： Elizabeth K. Michael ,  Susan Trolier-McKinstry

IPC: H01B3/12

CPC classification number: H01B3/12 ,  C04B35/495 ,  C04B35/632 ,  C04B35/638 ,  C04B2235/3255 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/656

Abstract: Both single phase lead-free cubic pyrochlore bismuth zinc niobate (BZN)-based dielectric materials with a chemical composition of Bi1.5Zn(0.5+y)Nb(1.5−x)Ta(x)O(6.5+y), with 0≦x

Abstract translation: 具有Bi1.5Zn（0.5 + y）Nb（1.5-x）Ta（x）O（6.5 + y）的化学组成的单相无铅立方烧绿石铌酸铋铌酸铋（BZN）基介电材料，其中0＆ ; x <0.23和0＆nlE; y <0.9，这些具有Bi2O3颗粒的平均组成的膜在无定形基质中的制备方法及其制备方法。 结晶BZNT基介电材料的相对介电常数至少为120，最大施加电场为10KHz时至少为4.0MV / cm，最大能量存储在25℃，10kHz为至少50J / 并且在200℃和10kHz下的最大能量存储至少为22J / cm 3。 该工艺是不使用2-甲氧基乙醇和吡啶的Bi1.5Zn（0.5 + y）Nb（1.5-x）Ta（x）O（6.5 + y）薄膜的湿化学工艺。

公开(公告)号：US20160318806A1

公开(公告)日：2016-11-03

申请号：US15207653

申请日：2016-07-12

Applicant: The Penn State Research Foundation

Inventor： Elizabeth K. Michael ,  Susan Trolier-McKinstry

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/632 ,  C04B35/638 ,  H01B3/12

CPC classification number: H01B3/12 ,  C04B35/495 ,  C04B35/632 ,  C04B35/638 ,  C04B2235/3255 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/656

Abstract: Both single phase lead-free cubic pyrochlore bismuth zinc niobate (BZN)-based dielectric materials with a chemical composition of Bi1.5Zn(0.5+y)Nb(1.5−x)Ta(x)O(6.5+y), with 0≦x

Abstract translation: 具有Bi1.5Zn（0.5 + y）Nb（1.5-x）Ta（x）O（6.5 + y）的化学组成的单相无铅立方烧绿石铌酸铋铌酸铋（BZN）基介电材料，其中0 ≦x <0.23且0≤y<0.9，并且具有这些平均组成的具有Bi 2 O 3颗粒的薄膜在无定形基体中及其制造方法。 结晶BZNT基介电材料的相对介电常数至少为120，最大施加电场为10KHz时至少为4.0MV / cm，最大能量存储在25℃，10kHz为至少50J / 并且在200℃和10kHz下的最大能量存储至少为22J / cm 3。 该工艺是不使用2-甲氧基乙醇和吡啶的Bi1.5Zn（0.5 + y）Nb（1.5-x）Ta（x）O（6.5 + y）薄膜的湿化学工艺。

公开(公告)号：US09520207B2

公开(公告)日：2016-12-13

申请号：US14708392

申请日：2015-05-11

Applicant: The Penn State Research Foundation

Inventor： Elizabeth K. Michael ,  Susan Trolier-McKinstry

IPC: C04B35/495 ,  H01B3/12

CPC classification number: H01B3/12 ,  C04B35/495 ,  C04B35/632 ,  C04B35/638 ,  C04B2235/3255 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/656

Abstract: Both single phase lead-free cubic pyrochlore bismuth zinc niobate (BZN)-based dielectric materials with a chemical composition of Bi1.5Zn(0.5+y)Nb(1.5−x)Ta(x)O(6.5+y), with 0≦x

Abstract translation: 具有Bi1.5Zn（0.5 + y）Nb（1.5-x）Ta（x）O（6.5 + y）的化学组成的单相无铅立方烧绿石铌酸铋铌酸铋（BZN）基电介质材料，其中0 ≦x <0.23且0≤y<0.9，并且具有这些平均组成的具有Bi 2 O 3颗粒的薄膜在无定形基体中及其制造方法。 结晶BZNT基介电材料的相对介电常数至少为120，最大施加电场为10KHz时至少为4.0MV / cm，最大能量存储在25℃，10kHz为至少50J / 并且在200℃和10kHz下的最大能量存储至少为22J / cm 3。 该工艺是不使用2-甲氧基乙醇和吡啶的Bi1.5Zn（0.5 + y）Nb（1.5-x）Ta（x）O（6.5 + y）薄膜的湿化学工艺。

公开(公告)号：US09748019B2

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：US15207653

申请日：2016-07-12

Applicant: The Penn State Research Foundation

Inventor： Elizabeth K. Michael ,  Susan Trolier-McKinstry

IPC: C04B35/495 ,  H04B3/12 ,  H01B3/12 ,  C04B35/632 ,  C04B35/638

CPC classification number: H01B3/12 ,  C04B35/495 ,  C04B35/632 ,  C04B35/638 ,  C04B2235/3255 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/656

Abstract: Both single phase lead-free cubic pyrochlore bismuth zinc niobate (BZN)-based dielectric materials with a chemical composition of Bi1.5Zn(0.5+y)Nb(1.5−x)Ta(x)O(6.5+y), with 0≦x