公开(公告)号：US20110227147A1

公开(公告)日：2011-09-22

申请号：US12728044

申请日：2010-03-19

申请人： Tiesheng Li ,  Michael R. Hsing ,  Deming Xiao

发明人： Tiesheng Li ,  Michael R. Hsing ,  Deming Xiao

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/7802 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/407 ,  H01L29/7816 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： RESURF effect devices with both relatively deep trenches and relatively deep implants are described herein. Also, methods of fabricating such devices are described herein. A RESURF effect device may include alternating regions of first and second conductivity types where each of the second regions includes an implant region formed into a trench region of the second region.

摘要翻译： 这里描述了具有相对较深的沟槽和相对深的植入物的RESURF效应装置。 此外，这里描述了制造这种装置的方法。 RESURF效应器件可以包括第一和第二导电类型的交替区域，其中每个第二区域包括形成在第二区域的沟槽区域中的注入区域。

公开(公告)号：US08525260B2

公开(公告)日：2013-09-03

申请号：US12728044

申请日：2010-03-19

申请人： Tiesheng Li ,  Michael R. Hsing ,  Deming Xiao

发明人： Tiesheng Li ,  Michael R. Hsing ,  Deming Xiao

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L29/7802 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/407 ,  H01L29/7816 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： RESURF effect devices with both relatively deep trenches and relatively deep implants are described herein. Also, methods of fabricating such devices are described herein. A RESURF effect device may include alternating regions of first and second conductivity types where each of the second regions includes an implant region formed into a trench region of the second region.

摘要翻译： 这里描述了具有相对较深的沟槽和相对深的植入物的RESURF效应装置。 此外，这里描述了制造这种装置的方法。 RESURF效应器件可以包括第一和第二导电类型的交替区域，其中每个第二区域包括形成在第二区域的沟槽区域中的注入区域。