公开(公告)号：US08374022B2

公开(公告)日：2013-02-12

申请号：US12642915

申请日：2009-12-21

申请人： Timothy C. Langtry ,  Richard Dodge ,  Hernan Castro ,  Derchang Kau ,  Stephen Tang ,  Jeremy Hirst

发明人： Timothy C. Langtry ,  Richard Dodge ,  Hernan Castro ,  Derchang Kau ,  Stephen Tang ,  Jeremy Hirst

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C13/0004 ,  G11C13/003 ,  G11C13/0069 ,  G11C2213/76

摘要： A phase change memory using an ovonic threshold switch selection device may be programmed from one state to another by first turning on the ovonic threshold switch. After the voltage across the cell has fallen, the cell may then be biased to program the cell to the desired state.

摘要翻译： 通过首先打开超声波阈值开关，可以使用超声阈值开关选择装置的相变存储器从一个状态被编程到另一个状态。 在电池两端的电压下降之后，电池可以被偏置以将电池编程到期望的状态。

公开(公告)号：US20110149628A1

公开(公告)日：2011-06-23

申请号：US12642915

申请日：2009-12-21

申请人： Timothy C. Langtry ,  Richard Dodge ,  Hernan Castro ,  Derchang Kau ,  Stephen Tang ,  Jeremy Hirst

发明人： Timothy C. Langtry ,  Richard Dodge ,  Hernan Castro ,  Derchang Kau ,  Stephen Tang ,  Jeremy Hirst

IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C5/02 ,  G11C7/00

CPC分类号： G11C13/0004 ,  G11C13/003 ,  G11C13/0069 ,  G11C2213/76

摘要： A phase change memory using an ovonic threshold switch selection device may be programmed from one state to another by first turning on the ovonic threshold switch. After the voltage across the cell has fallen, the cell may then be biased to program the cell to the desired state.

摘要翻译： 通过首先打开超声波阈值开关，可以使用超声阈值开关选择装置的相变存储器从一个状态被编程到另一个状态。 在电池两端的电压下降之后，电池可以被偏置以将电池编程到期望的状态。

公开(公告)号：US08767482B2

公开(公告)日：2014-07-01

申请号：US13213018

申请日：2011-08-18

申请人： Jeremy Hirst ,  Hernan Castro ,  Stephen Tang

发明人： Jeremy Hirst ,  Hernan Castro ,  Stephen Tang

IPC分类号： G11C7/00

CPC分类号： G11C13/004 ,  G11C7/06 ,  G11C7/12 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0038 ,  G11C13/0059 ,  G11C13/0061 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0083 ,  G11C2207/063

摘要： Example subject matter disclosed herein relates to apparatuses and/or devices, and/or various methods for use therein, in which an application of an electric potential to a circuit may be initiated and subsequently changed in response to a determination that a snapback event has occurred in a circuit. For example, a circuit may comprise a memory cell that may experience a snapback event as a result of an applied electric potential. In certain example implementations, a sense circuit may be provided which is responsive to a snapback event occurring in a memory cell to generate a feed back signal to initiate a change in an electric potential applied to the memory cell.

摘要翻译： 本文公开的示例主题涉及用于其中的装置和/或装置和/或其中使用的各种方法，其中响应于确定发生了快速恢复事件已经发生并随后改变电路的电位的应用 在电路中。 例如，电路可以包括作为所施加的电势的结果可能经历回跳事件的存储器单元。 在某些示例实现中，可以提供感测电路，其响应于在存储器单元中发生的快速恢复事件以产生反馈信号，以启动施加到存储器单元的电位的变化。

公开(公告)号：US20130044539A1

公开(公告)日：2013-02-21

申请号：US13213018

申请日：2011-08-18

申请人： Jeremy Hirst ,  Hernan Castro ,  Stephen Tang

发明人： Jeremy Hirst ,  Hernan Castro ,  Stephen Tang

IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C7/10 ,  G05B24/02 ,  G11C7/00

CPC分类号： G11C13/004 ,  G11C7/06 ,  G11C7/12 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0038 ,  G11C13/0059 ,  G11C13/0061 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0083 ,  G11C2207/063

摘要： Example subject matter disclosed herein relates to apparatuses and/or devices, and/or various methods for use therein, in which an application of an electric potential to a circuit may be initiated and subsequently changed in response to a determination that a snapback event has occurred in a circuit. For example, a circuit may comprise a memory cell that may experience a snapback event as a result of an applied electric potential. In certain example implementations, a sense circuit may be provided which is responsive to a snapback event occurring in a memory cell to generate a feed back signal to initiate a change in an electric potential applied to the memory cell.

摘要翻译： 本文公开的示例主题涉及用于其中的装置和/或装置和/或其中使用的各种方法，其中响应于确定发生了快速恢复事件已经发生并随后改变电路的电位的应用 在电路中。 例如，电路可以包括作为所施加的电势的结果可能经历回跳事件的存储器单元。 在某些示例实现中，可以提供感测电路，其响应于在存储器单元中发生的快速恢复事件以产生反馈信号，以启动施加到存储器单元的电位的变化。

公开(公告)号：US20120026786A1

公开(公告)日：2012-02-02

申请号：US12846775

申请日：2010-07-29

申请人： Hernan A. Castro ,  Jeremy Hirst ,  Stephen Tang

发明人： Hernan A. Castro ,  Jeremy Hirst ,  Stephen Tang

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C13/0004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0078 ,  G11C2213/77

摘要： Embodiments disclosed herein may relate to controlling a discharge of a capacitive element coupled to a phase change memory cell to produce a specified state in the phase change memory cell.

摘要翻译： 本文公开的实施例可以涉及控制耦合到相变存储器单元的电容元件的放电以在相变存储器单元中产生指定状态。

公开(公告)号：US08320172B2

公开(公告)日：2012-11-27

申请号：US12846775

申请日：2010-07-29

申请人： Hernan A. Castro ,  Jeremy Hirst ,  Stephen Tang

发明人： Hernan A. Castro ,  Jeremy Hirst ,  Stephen Tang

IPC分类号： G11C11/50

CPC分类号： G11C13/0004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0078 ,  G11C2213/77

摘要： Embodiments disclosed herein may relate to controlling a discharge of a capacitive element coupled to a phase change memory cell to produce a specified state in the phase change memory cell.

摘要翻译： 本文公开的实施例可以涉及控制耦合到相变存储器单元的电容元件的放电以在相变存储器单元中产生指定状态。