公开(公告)号：US20130187245A1

公开(公告)日：2013-07-25

申请号：US13353765

申请日：2012-01-19

申请人： Ting-Ying CHIEN ,  Yi Hsun CHIU ,  Ching-Hou SU ,  Chyi-Tsong NI

发明人： Ting-Ying CHIEN ,  Yi Hsun CHIU ,  Ching-Hou SU ,  Chyi-Tsong NI

IPC分类号： H01L29/84

CPC分类号： B81C1/00269 ,  B81C2203/0109 ,  B81C2203/019 ,  H01L2224/83805 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/16235 ,  H01L2924/00

摘要： A micro electro mechanical system (MEMS) structure includes a first substrate structure including a bonding pad structure. The bonding pad structure has at least one recess therein. A second substrate structure is bonded with the bonding pad structure of the first substrate structure.

摘要翻译： 微机电系统（MEMS）结构包括包括焊盘结构的第一衬底结构。 接合焊盘结构在其中具有至少一个凹部。 第二衬底结构与第一衬底结构的焊盘结构结合。

公开(公告)号：US20120313246A1

公开(公告)日：2012-12-13

申请号：US13156052

申请日：2011-06-08

申请人： Yi Hsun CHIU ,  Ting-Ying CHIEN ,  Ching-Hou SU ,  Chyi-Tsong NI

发明人： Yi Hsun CHIU ,  Ting-Ying CHIEN ,  Ching-Hou SU ,  Chyi-Tsong NI

IPC分类号： H01L29/43 ,  H01L21/283

CPC分类号： B81C1/00269 ,  B81B2207/07 ,  B81C2203/035

摘要： The disclosure relates to integrated circuit fabrication, and more particularly to a semiconductor apparatus with a metallic alloy. An exemplary structure for an apparatus comprises a first silicon substrate; a second silicon substrate; and a contact connecting each of the first and second substrates, wherein the contact comprises a Ge layer adjacent to the first silicon substrate, a Cu layer adjacent to the second silicon substrate, and a metallic alloy between the Ge layer and Cu layer.

摘要翻译： 本公开涉及集成电路制造，更具体地涉及具有金属合金的半导体器件。 用于装置的示例性结构包括第一硅衬底; 第二硅衬底; 以及连接所述第一和第二基板中的每一个的触点，其中所述触点包括邻近所述第一硅衬底的Ge层，与所述第二硅衬底相邻的Cu层，以及所述Ge层和所述Cu层之间的金属合金。