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    SEMICONDUCTOR APPARATUS
    2.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR APPARATUS 有权

    公开(公告)号：US20120313246A1

    公开(公告)日：2012-12-13

    申请号：US13156052

    申请日：2011-06-08

    申请人： Yi Hsun CHIU ,  Ting-Ying CHIEN ,  Ching-Hou SU ,  Chyi-Tsong NI

    发明人： Yi Hsun CHIU ,  Ting-Ying CHIEN ,  Ching-Hou SU ,  Chyi-Tsong NI

    IPC分类号： H01L29/43 ,  H01L21/283

    CPC分类号： B81C1/00269 ,  B81B2207/07 ,  B81C2203/035

    摘要： The disclosure relates to integrated circuit fabrication, and more particularly to a semiconductor apparatus with a metallic alloy. An exemplary structure for an apparatus comprises a first silicon substrate; a second silicon substrate; and a contact connecting each of the first and second substrates, wherein the contact comprises a Ge layer adjacent to the first silicon substrate, a Cu layer adjacent to the second silicon substrate, and a metallic alloy between the Ge layer and Cu layer.

    摘要翻译： 本公开涉及集成电路制造，更具体地涉及具有金属合金的半导体器件。 用于装置的示例性结构包括第一硅衬底; 第二硅衬底; 以及连接所述第一和第二基板中的每一个的触点，其中所述触点包括邻近所述第一硅衬底的Ge层，与所述第二硅衬底相邻的Cu层，以及所述Ge层和所述Cu层之间的金属合金。

    PASSIVATION LAYER FOR SEMICONDUCTOR DEVICES
    6.
    发明申请
    PASSIVATION LAYER FOR SEMICONDUCTOR DEVICES 有权
    半导体器件的钝化层

    公开(公告)号：US20120217633A1

    公开(公告)日：2012-08-30

    申请号：US13036897

    申请日：2011-02-28

    申请人： Jen-Hao LIU ,  Chyi-Tsong NI ,  Hsiao-Yin LIN ,  Chung-Min LIN

    发明人： Jen-Hao LIU ,  Chyi-Tsong NI ,  Hsiao-Yin LIN ,  Chung-Min LIN

    IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L21/768

    CPC分类号： H01L23/3192 ,  H01L21/76834 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： An embodiment of the disclosure provides a semiconductor device. The semiconductor device includes a plurality of metallization layers comprising a topmost metallization layer. The topmost metallization layer has two metal features having a thickness T1 and being separated by a gap. A composite passivation layer comprises a HDP CVD oxide layer under a nitride layer. The composite passivation layer is disposed over the metal features and partially fills the gap. The composite passivation layer has a thickness T2 about 20% to 50% of the thickness T1.

    摘要翻译： 本公开的实施例提供一种半导体器件。 半导体器件包括多个金属化层，其包括最上面的金属化层。 最上面的金属化层具有两个具有厚度T1并被间隙隔开的金属特征。 复合钝化层包括氮化物层下的HDP CVD氧化物层。 复合钝化层设置在金属特征上并部分填充间隙。 复合钝化层的厚度T2约为厚度T1的20％至50％。