公开(公告)号：US07910932B2

公开(公告)日：2011-03-22

申请号：US12131697

申请日：2008-06-02

申请人： Tobin J. Marks ,  David B. Janes ,  Sanghyun Ju ,  Peide Ye ,  Chongwu Zhou ,  Antonio Facchetti

发明人： Tobin J. Marks ,  David B. Janes ,  Sanghyun Ju ,  Peide Ye ,  Chongwu Zhou ,  Antonio Facchetti

IPC分类号： H01L27/14

CPC分类号： H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/7869

摘要： Disclosed are fully transparent nanowire transistors having high field-effect mobilities. The fully transparent nanowire transistors disclosed herein include one or more nanowires, a gate dielectric prepared from a transparent inorganic or organic material, and transparent source, drain, and gate contacts fabricated on a transparent substrate. The fully transparent nanowire transistors disclosed herein also can be mechanically flexible.

摘要翻译： 公开了具有高场效应迁移率的完全透明的纳米线晶体管。 本文公开的完全透明的纳米线晶体管包括一个或多个纳米线，由透明无机或有机材料制备的栅极电介质，以及制造在透明衬底上的透明源极，漏极和栅极触点。 本文公开的完全透明的纳米线晶体管也可以是机械灵活的。

公开(公告)号：US20110253970A1

公开(公告)日：2011-10-20

申请号：US13065396

申请日：2011-03-21

申请人： Tobin J. Marks ,  David B. Janes ,  Sanghyun Ju ,  Peide Ye ,  Chongwu Zhou ,  Antonio Facchetti

发明人： Tobin J. Marks ,  David B. Janes ,  Sanghyun Ju ,  Peide Ye ,  Chongwu Zhou ,  Antonio Facchetti

IPC分类号： H01L29/775 ,  H01L21/336 ,  B82Y99/00

CPC分类号： H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/7869

摘要： Disclosed are fully transparent nanowire transistors having high field-effect mobilities. The fully transparent nanowire transistors disclosed herein include one or more nanowires, a gate dielectric prepared from a transparent inorganic or organic material, and transparent source, drain, and gate contacts fabricated on a transparent substrate. The fully transparent nanowire transistors disclosed herein also can be mechanically flexible.

公开(公告)号：US20090050876A1

公开(公告)日：2009-02-26

申请号：US12131697

申请日：2008-06-02

申请人： Tobin J. Marks ,  David B. Janes ,  Sanghyun Ju ,  Peide Ye ,  Chongwu Zhou ,  Antonio Facchetti

发明人： Tobin J. Marks ,  David B. Janes ,  Sanghyun Ju ,  Peide Ye ,  Chongwu Zhou ,  Antonio Facchetti

IPC分类号： H01L29/12 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/0665 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/7869

摘要： Disclosed are fully transparent nanowire transistors having high field-effect mobilities. The fully transparent nanowire transistors disclosed herein include one or more nanowires, a gate dielectric prepared from a transparent inorganic or organic material, and transparent source, drain, and gate contacts fabricated on a transparent substrate. The fully transparent nanowire transistors disclosed herein also can be mechanically flexible.

摘要翻译： 公开了具有高场效应迁移率的完全透明的纳米线晶体管。 本文公开的完全透明的纳米线晶体管包括一个或多个纳米线，由透明无机或有机材料制备的栅极电介质，以及制造在透明衬底上的透明源极，漏极和栅极触点。 本文公开的完全透明的纳米线晶体管也可以是机械灵活的。