公开(公告)号：US20060110108A1

公开(公告)日：2006-05-25

申请号：US11227609

申请日：2005-09-16

申请人： Tsung-Fu Hsieh ,  Chien-Cheng Yang ,  Wen-Jiun Liu ,  Shau-Yi Chen ,  Jing-Yao Chang

发明人： Tsung-Fu Hsieh ,  Chien-Cheng Yang ,  Wen-Jiun Liu ,  Shau-Yi Chen ,  Jing-Yao Chang

IPC分类号： G02B6/36

CPC分类号： H02N1/008 ,  G02B6/422

摘要： A tunable light transceiver module for adjusting a photoelectric device is provided. The tunable structure includes a photoelectric device, a stage, and a set of two-dimensional actuators having a first direction actuator and a second direction actuator. The photoelectric device is installed on the stage. The first direction actuation device and the second direction actuation device are coupled to the stage for controlling the movement of the stage along the first direction and the second direction, which are parallel to the stage. The tunable module may comprise an additional vertical actuator for controlling the movement of the stage along the direction perpendicular to the stage, thus realizing the displacement adjustment in three dimensions.

摘要翻译： 提供了一种用于调节光电装置的可调光收发模块。 可调谐结构包括具有第一方向致动器和第二方向致动器的光电器件，载物台和一组二维致动器。 光电装置安装在舞台上。 第一方向致动装置和第二方向致动装置联接到载物台，用于控制载物台沿与平台平行的第一方向和第二方向的移动。 可调谐模块可以包括附加的垂直致动器，用于控制工作台沿垂直于工作台的方向的移动，从而实现三维位移调节。

公开(公告)号：US20100279436A1

公开(公告)日：2010-11-04

申请号：US12433525

申请日：2009-04-30

申请人： Hsueh-Hung Fu ,  Tsung-Fu Hsieh ,  Chih-Wei Chang ,  Shih-Chang Chen

发明人： Hsueh-Hung Fu ,  Tsung-Fu Hsieh ,  Chih-Wei Chang ,  Shih-Chang Chen

IPC分类号： H01L21/66

CPC分类号： H01L22/12 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： The present disclosure provides a method for manufacturing integrated circuit devices including an electron beam inspection. The method includes forming a silicide region on a substrate. In an embodiment, the silicide region is formed to provide contact to a device feature such as a source or drain region. An electron beam scan is then performed on the substrate. The electron beam scan includes a first scan and a second scan. The first scan includes a lower landing energy than the second scan. In an embodiment, the first scan provides a dark silicide image analysis and a bright image analysis. In an embodiment, the second scan provides a dark silicide image analysis. The method continues to form a conductive plug after performing the electron beam scan.

摘要翻译： 本公开提供了一种用于制造包括电子束检查的集成电路器件的方法。 该方法包括在衬底上形成硅化物区域。 在一个实施例中，形成硅化物区域以提供与诸如源极或漏极区域的器件特征的接触。 然后在衬底上进行电子束扫描。 电子束扫描包括第一扫描和第二扫描。 第一扫描包括比第二次扫描更低的着陆能量。 在一个实施例中，第一扫描提供深色硅化物图像分析和明亮图像分析。 在一个实施例中，第二扫描提供黑暗硅化物图像分析。 该方法在进行电子束扫描之后继续形成导电塞。