公开(公告)号：US09577029B2

公开(公告)日：2017-02-21

申请号：US14549549

申请日：2014-11-21

Applicant: UNITED MICROELECTRONICS CORPORATION

Inventor： Zhi-Biao Zhou ,  Shao-Hui Wu ,  Chi-Fa Ku

IPC: H01L49/02

CPC classification number: H01L28/91

Abstract: A metal-insulator-metal (MIM) capacitor structure and a method for manufacturing the same. The method includes a step hereinafter. A 5-layered dual-dielectric structure is provided on a substrate. The 5-layered dual-dielectric structure includes a bottom metal layer, a first dielectric layer, an intermediate metal layer, a second dielectric layer and a top metal layer in order. The first dielectric layer and the second dielectric layer have different thicknesses.

Abstract translation: 金属绝缘体金属（MIM）电容器结构及其制造方法。 该方法包括以下步骤。 在基板上设置5层双电介质结构。 5层双电介质结构依次包括底金属层，第一介电层，中间金属层，第二电介质层和顶金属层。 第一电介质层和第二电介质层具有不同的厚度。