公开(公告)号：US20100181639A1

公开(公告)日：2010-07-22

申请号：US12356036

申请日：2009-01-19

申请人： Wei-Tsung Huang ,  Pi-Kuang Chuang ,  Shih-Ming Chen ,  Hsiao-Ying Yang

发明人： Wei-Tsung Huang ,  Pi-Kuang Chuang ,  Shih-Ming Chen ,  Hsiao-Ying Yang

IPC分类号： H01L23/58 ,  H01L21/76

CPC分类号： H01L21/763 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823878

摘要： A semiconductor device is provided. The semiconductor device comprises an epitaxial layer disposed on a semiconductor substrate, a plurality of electronic devices disposed on the epitaxial layer and a trench isolation structure disposed between the electric devices. The trench isolation structure comprises a trench in the epitaxial layer and the semiconductor substrate, an oxide liner on the sidewall and bottom of the trench, and a doped polysilicon layer filled in the trench. Moreover, a zero bias voltage can be applied to the doped polysilicon layer. The trench isolation structure can be used for isolating electronic devices having different operation voltages or high-voltage devices.

摘要翻译： 提供半导体器件。 半导体器件包括设置在半导体衬底上的外延层，设置在外延层上的多个电子器件和设置在电气器件之间的沟槽隔离结构。 沟槽隔离结构包括在外延层和半导体衬底中的沟槽，沟槽的侧壁和底部上的氧化物衬垫以及填充在沟槽中的掺杂多晶硅层。 此外，零偏压可以施加到掺杂多晶硅层。 沟槽隔离结构可以用于隔离具有不同操作电压的电子器件或高压器件。