公开(公告)号：US20120100686A1

公开(公告)日：2012-04-26

申请号：US12908640

申请日：2010-10-20

申请人： Wei-Yuan LU ,  Li-Ping HUANG ,  Mao-Rong YEH ,  Chun-Feng NIEH

发明人： Wei-Yuan LU ,  Li-Ping HUANG ,  Mao-Rong YEH ,  Chun-Feng NIEH

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L21/26593 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/2652 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/66545

摘要： A method of forming ultra-shallow lightly doped source/drain (LDD) regions of a CMOS transistor in a surface of a substrate includes the steps of providing a semiconductor substrate, providing a gate stack on the semiconductor substrate, performing a low temperature pocket implantation process on the substrate, performing a low temperature co-implanted ion implantation process on the substrate, and/or performing a low temperature lightly doped source/drain implantation process on the substrate.

摘要翻译： 在衬底的表面中形成CMOS晶体管的超浅掺杂光源/漏极（LDD）区域的方法包括以下步骤：提供半导体衬底，在半导体衬底上提供栅极堆叠，执行低温腔体注入 在衬底上进行处理，在衬底上执行低温共注入离子注入工艺，和/或在衬底上执行低温轻掺杂源极/漏极注入工艺。