公开(公告)号：US20110272783A1

公开(公告)日：2011-11-10

申请号：US13090347

申请日：2011-04-20

申请人： Wen Chin TSAY ,  Wei-Chen LIANG

发明人： Wen Chin TSAY ,  Wei-Chen LIANG

IPC分类号： H01L29/92

CPC分类号： H01L27/0658 ,  H01L28/40

摘要： A semiconductor device with a bipolar transistor and a capacitor that has a down-sized circuit area is presented. During the manufacture of the bipolar transistor, a polysilicon-insulator-polysilicon capacitor, a polysilicon-insulator-metal layer or a metal-insulator-metal capacitor can be formed on the isolating insulator and/or the protective insulator to achieve reduced circuit area, less manufacturing steps and lowered manufacturing cost.

摘要翻译： 提出了具有双极性晶体管的半导体器件和具有下降电路面积的电容器。 在制造双极晶体管期间，可以在隔离绝缘体和/或保护绝缘体上形成多晶硅 - 绝缘体 - 多晶硅电容器，多晶硅 - 绝缘体 - 金属层或金属 - 绝缘体 - 金属电容器，以实现减小的电路面积， 较少的制造步骤和降低的制造成本。