公开(公告)号：US6165276A

公开(公告)日：2000-12-26

申请号：US398732

申请日：1999-09-17

申请人： Wen-Chuan Lu ,  Chung-Chien Lu ,  Chih-Houng Chou ,  Gary Lin

发明人： Wen-Chuan Lu ,  Chung-Chien Lu ,  Chih-Houng Chou ,  Gary Lin

IPC分类号： C23C16/44 ,  C23C16/458 ,  H01L21/687 ,  C23C16/00 ,  C23C16/04

CPC分类号： H01L21/68721 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/4581 ,  C23C16/4585

摘要： An apparatus for preventing plasma etching wafer clamp is disclosed in a process chamber. The apparatus comprises a pedestal, a bottom electrode, a wafer clamp, a semiconductor wafer, a quartz ring, a top electrode, a cooling plate, a anodize, and a gas hole. The wafer clamp is used to secure the semiconductor wafer. However, the wafer clamp includes a clamp ring, a concave holder, and a depression. The clamp ring is used to support the semiconductor wafer. The concave holder has a semi-elliptical surface, polymer being formed on the backside of the concave holder to prevent plasma etching in the deposition or etching process, into the clamp ring. Then The depression is designed, higher position, adjacent the concave holder.

摘要翻译： 在处理室中公开了一种用于防止等离子体蚀刻晶片夹的装置。 该装置包括基座，底部电极，晶片夹具，半导体晶片，石英环，顶部电极，冷却板，阳极氧化和气体孔。 晶片钳用于固定半导体晶片。 然而，晶片夹具包括夹紧环，凹形支架和凹陷。 夹环用于支撑半导体晶片。 凹形保持器具有半椭圆表面，聚合物形成在凹形支架的背面，以防止在沉积或蚀刻工艺中的等离子体蚀刻进入夹紧环。 然后凹陷被设计成较高的位置，靠近凹形支架。