公开(公告)号：US20080057410A1

公开(公告)日：2008-03-06

申请号：US11515049

申请日：2006-08-31

申请人： Wen-Hao Cheng ,  Jeffrey N. Farnsworth ,  Rajesh Nagpal ,  Eric A. Frendberg ,  Wai Yip Kwok

发明人： Wen-Hao Cheng ,  Jeffrey N. Farnsworth ,  Rajesh Nagpal ,  Eric A. Frendberg ,  Wai Yip Kwok

IPC分类号： G03C5/00 ,  G03F1/00

CPC分类号： G03F1/84

摘要： A method is described for repairing a defect detected in a photolithographic mask. A phase voxel cavity is formed in the photolithographic mask to compensate for the defect in the photolithographic mask. The phase voxel cavity and features of the mask both create a phase shift of approximately π.

摘要翻译： 描述了修复在光刻掩模中检测到的缺陷的方法。 在光刻掩模中形成相体腔，以补偿光刻掩模中的缺陷。 相位体腔和掩模的特征都产生大约π的相移。