公开(公告)号：US5635429A

公开(公告)日：1997-06-03

申请号：US682216

申请日：1996-07-17

申请人： Wilhelm A. Grogen ,  Marcellinus J. Kraan ,  Paulus F. Van Hal ,  Gijsbertus De With

发明人： Wilhelm A. Grogen ,  Marcellinus J. Kraan ,  Paulus F. Van Hal ,  Gijsbertus De With

IPC分类号： C04B35/58 ,  C04B35/111 ,  C04B35/117 ,  C04B35/581 ,  H01L23/15 ,  H05K1/03 ,  C04B35/56

CPC分类号： C04B35/117

摘要： The invention relates to a substrate made from a novel type of ceramic material. This material comprises 44-47 at. % A1, 31-39 at. % O, 8-13 at. % C and 8-12 at. % N. Substrates made from this material exhibit a relatively high heat conductance, a relatively great strength and their coefficient of expansion is equal to that of Si. Consequently, the substrates in accordance with the invention are very suitable for use in the Si-semiconductor technology. The main component of the ceramic material of the substrates preferably corresponds to the formula Al.sub.28 O.sub.21 C.sub.6 N.sub.6. The invention also provides methods of manufacturing substrates and other mouldings from this material.

摘要翻译： 本发明涉及由新型陶瓷材料制成的基片。 这种材料包括44-47在。 ％A1，31-39在。 ％O，8-13 at。 ％C和8-12 at。 ％N.由该材料制成的基板表现出相当高的导热性，相对较大的强度和它们的膨胀系数等于Si。 因此，根据本发明的衬底非常适用于Si半导体技术。 基板的陶瓷材料的主要成分优选对应于式Al 28 O 21 C 6 N 6。 本发明还提供了从该材料制造基底和其它模制品的方法。