公开(公告)号：US07084468B2

公开(公告)日：2006-08-01

申请号：US10801744

申请日：2004-03-15

申请人： Woo Young Lee ,  Suk Hee Han ,  Joon Yeon Chang ,  Hi Jung Kim ,  Han Joo Lee ,  Woong Jun Hwang ,  Moo Whan Shin ,  Young Keun Kim

发明人： Woo Young Lee ,  Suk Hee Han ,  Joon Yeon Chang ,  Hi Jung Kim ,  Han Joo Lee ,  Woong Jun Hwang ,  Moo Whan Shin ,  Young Keun Kim

IPC分类号： G11B5/39

CPC分类号： H01F10/1936 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  H01F10/193 ,  H01F41/308 ,  H01L29/66984

摘要： Disclosed are a spin injection device applicable as a memory and a logical device using a spin valve effect obtained by injecting a carrier spin-polarized from a ferromagnet into a semiconductor at an ordinary temperature, and a spin-polarized field effect transistor.

摘要翻译： 公开了适用于作为存储器的自旋注入装置和使用通过将从铁磁体自旋极化的载流子注入到常温下的半导体中而获得的自旋阀效应的自旋注入装置和自旋极化场效应晶体管。