公开(公告)号：US07084468B2

公开(公告)日：2006-08-01

申请号：US10801744

申请日：2004-03-15

申请人： Woo Young Lee ,  Suk Hee Han ,  Joon Yeon Chang ,  Hi Jung Kim ,  Han Joo Lee ,  Woong Jun Hwang ,  Moo Whan Shin ,  Young Keun Kim

发明人： Woo Young Lee ,  Suk Hee Han ,  Joon Yeon Chang ,  Hi Jung Kim ,  Han Joo Lee ,  Woong Jun Hwang ,  Moo Whan Shin ,  Young Keun Kim

IPC分类号： G11B5/39

CPC分类号： H01F10/1936 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  H01F10/193 ,  H01F41/308 ,  H01L29/66984

摘要： Disclosed are a spin injection device applicable as a memory and a logical device using a spin valve effect obtained by injecting a carrier spin-polarized from a ferromagnet into a semiconductor at an ordinary temperature, and a spin-polarized field effect transistor.

摘要翻译： 公开了适用于作为存储器的自旋注入装置和使用通过将从铁磁体自旋极化的载流子注入到常温下的半导体中而获得的自旋阀效应的自旋注入装置和自旋极化场效应晶体管。

公开(公告)号：US07063986B2

公开(公告)日：2006-06-20

申请号：US10910745

申请日：2004-08-03

申请人： Woo Young Lee ,  Suk Hee Han ,  Joon Yeon Chang ,  Hi Jung Kim ,  Jung Mi Lee ,  Jae Min Myoung

发明人： Woo Young Lee ,  Suk Hee Han ,  Joon Yeon Chang ,  Hi Jung Kim ,  Jung Mi Lee ,  Jae Min Myoung

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  H01F1/404 ,  H01F10/193 ,  H01F10/3213 ,  H01F41/30 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/66984 ,  H01L33/40 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

摘要： A 3 group–5 group compound ferromagnetic semiconductor, comprising one material ‘A’ selected from the group of Ga, Al and In and one material ‘B’ selected from the group consisting of N and P, wherein one material ‘C’ selected from the group consisting of Mn, Mg, Co, Fe, Ni, Cr and V is doped as a material for substituting the material ‘A’, the compound semiconductor has a single phase as a whole. The ferromagnetic semiconductor can be fabricated by a plasma-enhance molecular beam epitaxy growing method and since it shows the ferromagnetic characteristics at a room temperature, it can be applied as various spin electron devices.

摘要翻译： 包含选自Ga，Al和In的一种材料“A”和选自N和P的一种材料“B”的3组5族化合物铁磁半导体，其中一种选自 掺杂有Mn，Mg，Co，Fe，Ni，Cr和V的组合作为材料“A”的材料被掺杂，化合物半导体整体上具有单相。 铁磁半导体可以通过等离子体增强分子束外延生长方法制造，并且由于其显示室温下的铁磁特性，因此可以用作各种自旋电子器件。

公开(公告)号：US07095070B2

公开(公告)日：2006-08-22

申请号：US10798447

申请日：2004-03-12

申请人： Woo Young Lee ,  Kyung Ho Shin ,  Suk Hee Han ,  Joon Yeon Chang ,  Hi Jung Kim ,  Dal Young Kim ,  Kwan Hyi Lee ,  Kyoung Il Lee ,  Min Hong Jeun

发明人： Woo Young Lee ,  Kyung Ho Shin ,  Suk Hee Han ,  Joon Yeon Chang ,  Hi Jung Kim ,  Dal Young Kim ,  Kwan Hyi Lee ,  Kyoung Il Lee ,  Min Hong Jeun

IPC分类号： H01L31/062 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01F10/1936 ,  C25D3/54 ,  C25D5/50 ,  G11C11/14 ,  H01F1/401 ,  H01F41/18 ,  H01F41/26 ,  H01L43/12

摘要： In a method for fabricating a Bi thin film having a great MR (magnetoresistance) at room temperature and a method for fabricating a spintronics device using the same, the Bi thin film is fabricated by an electrodepostiting method and a sputtering method and has very great MR characteristics at room temperature, and it can be applied to various spintronics devices.

摘要翻译： 在室温下具有大的MR（磁阻）的Bi薄膜的制造方法以及使用该Bi薄膜的自旋电子学装置的制造方法中，Bi薄膜通过电沉积法和溅射法制造，具有非常大的MR 在室温下的特性，并且可以应用于各种自旋电子器件。

公开(公告)号：US06649286B2

公开(公告)日：2003-11-18

申请号：US09838244

申请日：2001-04-20

申请人： Hi Jung Kim ,  Suk Hee Han ,  Ki Hyeon Kim ,  Yun Myung Kim

发明人： Hi Jung Kim ,  Suk Hee Han ,  Ki Hyeon Kim ,  Yun Myung Kim

IPC分类号： G11B566

CPC分类号： H01F10/132 ,  H01F10/138 ,  H01F10/147 ,  Y10S428/90

摘要： Disclosed is a FeCoNiN-based soft magnetic thin film composition having the formula FexCoyNizNv, wherein x, y, z and v are expressed in at % and satisfy 41≦x≦55, 18≦y≦27, 19≦z≦32, 0

公开(公告)号：US09059418B2

公开(公告)日：2015-06-16

申请号：US13580008

申请日：2011-02-18

申请人： Sang Il Seok ,  Sang Hyuk Im ,  Jeong Ah Chang ,  Jae Hui Rhee ,  Yong Hui Lee ,  Hi Jung Kim

发明人： Sang Il Seok ,  Sang Hyuk Im ,  Jeong Ah Chang ,  Jae Hui Rhee ,  Yong Hui Lee ,  Hi Jung Kim

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L51/40 ,  H01L51/42 ,  H01L51/00

CPC分类号： H01L51/4226 ,  H01L51/0036 ,  Y02E10/542 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

摘要： Provided is a method for manufacturing a significantly high efficient solar cell having a novel structure and superior stability, and which can be mass-produced from an inexpensive material from an inexpensive material for enabling the easy commercial availability thereof. More particularly, the method of the present invention comprises the following step: (a) depositing slurry containing metal oxide particles and heat-treating the slurry to form a porous electron transporting layer; (b) forming inorganic semiconductors on surfaces of the metal oxide particles for the porous electron-transporting layer; and (c) impregnating the porous electron-transporting layer having the inorganic semiconductor formed thereon with a solution containing an organic photovoltaic material so as to form a hole transporting layer.

摘要翻译： 本发明提供一种具有新型结构和优异的稳定性的显着高效率的太阳能电池的制造方法，其可以从便宜的材料通过便宜的材料大批量生产，以使其易于商业利用。 更具体地说，本发明的方法包括以下步骤：（a）沉积含有金属氧化物颗粒的浆料并热处理该浆料以形成多孔电子传输层; （b）在用于多孔电子传输层的金属氧化物颗粒的表面上形成无机半导体; 和（c）用含有有机光伏材料的溶液浸渍其上形成有无机半导体的多孔电子传输层，以形成空穴传输层。

公开(公告)号：US20130065354A1

公开(公告)日：2013-03-14

申请号：US13580008

申请日：2011-02-18

申请人： Sang Il Seok ,  Sang Hyuk Im ,  Jeong Ah Chang ,  Jae Hui Rhee ,  Yong Hui Lee ,  Hi Jung Kim

发明人： Sang Il Seok ,  Sang Hyuk Im ,  Jeong Ah Chang ,  Jae Hui Rhee ,  Yong Hui Lee ,  Hi Jung Kim

IPC分类号： H01L51/48 ,  H01L51/46

CPC分类号： H01L51/4226 ,  H01L51/0036 ,  Y02E10/542 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

摘要： Provided is a method for manufacturing a significantly high efficient solar cell having a novel structure and superior stability, and which can be mass-produced from an inexpensive material from an inexpensive material for enabling the easy commercial availability thereof. More particularly, the method of the present invention comprises the following step: (a) depositing slurry containing metal oxide particles and heat-treating the slurry to form a porous electron transporting layer; (b) forming inorganic semiconductors on surfaces of the metal oxide particles for the porous electron-transporting layer; and (c) impregnating the porous electron-transporting layer having the inorganic semiconductor formed thereon with a solution containing an organic photovoltaic material so as to form a hole transporting layer.

摘要翻译： 本发明提供一种具有新型结构和优异的稳定性的显着高效率的太阳能电池的制造方法，其可以从便宜的材料通过便宜的材料大批量生产，以使其易于商业利用。 更具体地说，本发明的方法包括以下步骤：（a）沉积含有金属氧化物颗粒的浆料并热处理该浆料以形成多孔电子传输层; （b）在用于多孔电子传输层的金属氧化物颗粒的表面上形成无机半导体; 和（c）用含有有机光伏材料的溶液浸渍其上形成有无机半导体的多孔电子传输层，以形成空穴传输层。

公开(公告)号：US20120312375A1

公开(公告)日：2012-12-13

申请号：US13579997

申请日：2011-02-18

申请人： Sang Il Seok ,  Sang Hyuk Im ,  Jeong Ah Chang ,  Jae Hui Lee ,  Yong Hui Lee ,  Hi Jung Kim

发明人： Sang Il Seok ,  Sang Hyuk Im ,  Jeong Ah Chang ,  Jae Hui Lee ,  Yong Hui Lee ,  Hi Jung Kim

IPC分类号： H01L51/44

CPC分类号： H01L51/4226 ,  H01L51/0036 ,  Y02E10/542 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

摘要： Provided is a highly efficient solar cell having a novel structure and excellent stability, and which may be mass-produced from an inexpensive material for enabling easy commercial availability thereof. More particularly, the solar cell of the present invention comprises: a porous inorganic electron-transporting layer containing metallic oxide particles; a light absorber containing inorganic semiconductors; and an organic hole transporting layer containing an organic photo-voltaic material.

摘要翻译： 提供了一种具有新颖结构和优异的稳定性的高效太阳能电池，并且可以由便宜的材料批量生产以使其易于商业利用。 更具体地，本发明的太阳能电池包括：含有金属氧化物颗粒的多孔无机电子传输层; 含有无机半导体的光吸收剂; 和含有有机光电材料的有机空穴传输层。