公开(公告)号：US20120018824A1

公开(公告)日：2012-01-26

申请号：US13170870

申请日：2011-06-28

申请人： Woo-chang LIM ,  Young-hyun Kim ,  Jun-ho Jeong ,  Hee-ju Shin

发明人： Woo-chang LIM ,  Young-hyun Kim ,  Jun-ho Jeong ,  Hee-ju Shin

IPC分类号： H01L29/82

CPC分类号： H01L27/228 ,  G11C11/161 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

摘要： A magnetic memory layer and a magnetic memory device including the same, the magnetic memory layer including a first seed layer; a second seed layer on the first seed layer, the second seed layer grown according to a crystal direction with respect to a surface of the first seed layer; and a main magnetic layer on the second seed layer, the main magnetic layer grown according to the crystal direction with respect to a surface of the second seed layer.

摘要翻译： 磁存储层和包括该磁存储器的磁存储器件，所述磁存储层包括第一晶种层; 在所述第一种子层上的第二种子层，所述第二种子层相对于所述第一种子层的表面根据晶体方向生长; 以及在所述第二种子层上的主磁性层，所述主磁性层相对于所述第二晶种层的表面根据所述晶体方向生长。