公开(公告)号：US07372156B2

公开(公告)日：2008-05-13

申请号：US11174805

申请日：2005-07-05

申请人： Yeow Kheng Lim ,  Wuping Liu ,  Tae Jong Lee ,  Bei Chao Zhang ,  Juan Boon Tan ,  Alan Cuthbertson ,  Chin Chuan Neo

发明人： Yeow Kheng Lim ,  Wuping Liu ,  Tae Jong Lee ,  Bei Chao Zhang ,  Juan Boon Tan ,  Alan Cuthbertson ,  Chin Chuan Neo

IPC分类号： H01L29/40

CPC分类号： H01L21/76807 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76834

摘要： An aligned dual damascene opening structure, comprising the following. A structure having a metal structure formed thereover. A patterned layer stack over the metal structure; the layer stack comprising, in ascending order: a patterned bottom etch stop layer; a patterned lower dielectric material layer; a patterned middle etch stop layer; and a patterned middle dielectric material layer; the lower and middle dielectric layers being comprised of the same material. An upper trench opening in the patterned bottom etch stop layer and the patterned lower dielectric material layer; and a lower via opening in the patterned middle etch stop layer and the patterned middle dielectric material layer. The lower via opening being in communication with the upper trench opening. Wherein the upper trench opening and the lower via opening comprise an aligned dual damascene opening.

摘要翻译： 对准的双镶嵌开口结构，包括以下。 具有形成在其上的金属结构的结构。 金属结构上的图案层叠层; 所述层堆叠按升序包括：图案化的底部蚀刻停止层; 图案化的下介电材料层; 图案化的中间蚀刻停止层; 和图案化的中间介电材料层; 下部和中间介电层由相同的材料组成。 在图案化的底部蚀刻停止层和图案化的下部介电材料层中的上部沟槽开口; 以及图案化的中间蚀刻停止层和图案化的中间介电材料层中的下通孔开口。 下通道开口与上沟槽开口连通。 其中上沟槽开口和下通孔开口包括对准的双镶嵌开口。

公开(公告)号：US06967156B2

公开(公告)日：2005-11-22

申请号：US10690998

申请日：2003-10-22

申请人： Yeow Kheng Lim ,  Wuping Liu ,  Tae Jong Lee ,  Bei Chao Zhang ,  Juan Boon Tan ,  Alan Cuthbertson ,  Chin Chuan Neo

发明人： Yeow Kheng Lim ,  Wuping Liu ,  Tae Jong Lee ,  Bei Chao Zhang ,  Juan Boon Tan ,  Alan Cuthbertson ,  Chin Chuan Neo

IPC分类号： H01L21/4763 ,  H01L21/768 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L21/76807 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76834

摘要： A method of forming an aligned dual damascene opening, comprising including the following sequential steps. A layer stack is formed over the metal structure. The layer stack comprises, in ascending order: a bottom etch stop layer; a lower dielectric material layer; a middle etch stop layer; a middle dielectric material layer; and an upper dielectric layer. A patterned mask layer is formed over the patterned upper dielectric layer leaving exposed opposing portions of the patterned upper dielectric layer. The middle dielectric material layer is patterned to form an opening therein using the patterned mask layer and the exposed portions of the upper dielectric layer as masks. Simultaneously patterning the patterned middle dielectric material layer using the patterned upper dielectric layer as a mask to form an inchoate upper trench opening; and the lower dielectric material layer using the patterned mask layer and the patterned middle etch stop layer as masks to form an inchoate lower via opening aligned with the inchoate upper trench opening.

摘要翻译： 一种形成对准的双镶嵌开口的方法，包括以下顺序步骤。 在金属结构上形成层叠。 层叠层按升序包括底蚀刻停止层; 下介电材料层; 中间蚀刻停止层; 中间介电材料层; 和上介电层。 图案化的掩模层形成在图案化的上介电层上，留下图案化的上介电层的暴露的相对部分。 使用图案化掩模层和上介电层的暴露部分作为掩模，将中介电材料层图案化以形成开口。 使用图案化的上电介质层作为掩模，同时对图案化的中间介电材料层进行图案化以形成初始上沟槽开口; 并且使用图案化掩模层和图案化的中间蚀刻停止层作为掩模的下部电介质材料层形成与前述上部沟槽开口对准的开口下部通孔。