公开(公告)号：US20110057248A1

公开(公告)日：2011-03-10

申请号：US12556199

申请日：2009-09-09

申请人： Yi MA ,  Shenqing FANG ,  Robert OGLE

发明人： Yi MA ,  Shenqing FANG ,  Robert OGLE

IPC分类号： H01L29/792 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L29/518 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3185 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/511 ,  H01L29/792

摘要： A method, in one embodiment, can include forming a tunnel oxide layer on a substrate. In addition, the method can include depositing via atomic layer deposition a first layer of silicon nitride over the tunnel oxide layer. Note that the first layer of silicon nitride includes a first silicon richness. The method can also include depositing via atomic layer deposition a second layer of silicon nitride over the first layer of silicon nitride. The second layer of silicon nitride includes a second silicon richness that is different than the first silicon richness.

摘要翻译： 在一个实施例中，一种方法可以包括在衬底上形成隧道氧化物层。 此外，该方法可以包括通过原子层沉积在隧道氧化物层上沉积第一层氮化硅。 注意，第一层氮化硅包括第一硅丰富度。 该方法还可以包括通过原子层沉积在第一氮化硅层上沉积第二层氮化硅。 第二层氮化硅包括与第一硅浓度不同的第二硅浓度。