公开(公告)号：US08021912B2

公开(公告)日：2011-09-20

申请号：US12320543

申请日：2009-01-29

申请人： Yi Tae Kim ,  Kyung Ho Lee ,  Sae-Young Kim ,  Yun Ho Jang ,  Jung Chak Ahn

发明人： Yi Tae Kim ,  Kyung Ho Lee ,  Sae-Young Kim ,  Yun Ho Jang ,  Jung Chak Ahn

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L27/14643 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14632

摘要： A method of manufacturing an image sensor is provided. In this method, a photoelectric conversion unit may be formed within a semiconductor substrate, wherein the semiconductor substrate includes an active pixel region and an optical black region. An annealing layer may be formed on the active pixel region and the optical black region and etched so that the annealing layer covers at least a portion of the optical black region. A wiring pattern may be formed on the annealing layer. A light-blocking pattern may be formed on the wiring pattern so as to cover the entire photoelectric conversion unit of the optical black region, thereby blocking light from being incident upon the optical black region.

摘要翻译： 提供一种制造图像传感器的方法。 在该方法中，可以在半导体衬底内形成光电转换单元，其中半导体衬底包括有源像素区域和光学黑色区域。 可以在有源像素区域和光学黑色区域上形成退火层并进行蚀刻，使得退火层覆盖光学黑色区域的至少一部分。 可以在退火层上形成布线图案。 可以在布线图案上形成遮光图案，以覆盖光学黑色区域的整个光电转换单元，从而阻止光入射到光学黑色区域。

公开(公告)号：US20090209058A1

公开(公告)日：2009-08-20

申请号：US12320543

申请日：2009-01-29

申请人： Yi Tae Kim ,  Kyung Ho Lee ,  Sae-Young Kim ,  Yun Ho Jang ,  Jung Chak Ahn

发明人： Yi Tae Kim ,  Kyung Ho Lee ,  Sae-Young Kim ,  Yun Ho Jang ,  Jung Chak Ahn

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L27/14643 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14632

摘要： A method of manufacturing an image sensor is provided. In this method, a photoelectric conversion unit may be formed within a semiconductor substrate, wherein the semiconductor substrate includes an active pixel region and an optical black region. An annealing layer may be formed on the active pixel region and the optical black region and etched so that the annealing layer covers at least a portion of the optical black region. A wiring pattern may be formed on the annealing layer. A light-blocking pattern may be formed on the wiring pattern so as to cover the entire photoelectric conversion unit of the optical black region, thereby blocking light from being incident upon the optical black region.

摘要翻译： 提供一种制造图像传感器的方法。 在该方法中，可以在半导体衬底内形成光电转换单元，其中半导体衬底包括有源像素区域和光学黑色区域。 可以在有源像素区域和光学黑色区域上形成退火层并进行蚀刻，使得退火层覆盖光学黑色区域的至少一部分。 可以在退火层上形成布线图案。 可以在布线图案上形成遮光图案，以覆盖光学黑色区域的整个光电转换单元，从而阻止光入射到光学黑色区域。