公开(公告)号：US08498174B2

公开(公告)日：2013-07-30

申请号：US13243690

申请日：2011-09-23

申请人： Yi-Te Chiu ,  Ming-Hung Chang ,  Hao-I Yang ,  Wei Hwang

发明人： Yi-Te Chiu ,  Ming-Hung Chang ,  Hao-I Yang ,  Wei Hwang

IPC分类号： G11C8/00

CPC分类号： G11C11/412 ,  G11C19/287

摘要： An innovative dual-port subthreshold static random access memory (SRAM) cell for sub-threshold voltage operation is disclosed. During write mode, the dual-port subthreshold SRAM cell would cut off the positive feedback loop of the inverters and utilize the reverse short-channel effect to enhance write capability. The single-ended read/write port structure further reduces power consumption of the lengthy bit line. Therefore, the dual-port subthreshold SRAM cell is a suitable for long operation in a first-in first-out memory system. Although the lower voltage reduces the stability of the memory cell, the dual-port subthreshold SRAM cell of the present invention can still stably operate.

摘要翻译： 公开了用于亚阈值电压操作的创新的双端口亚阈值静态随机存取存储器（SRAM）单元。 在写模式下，双端口亚阈值SRAM单元将切断反相器的正反馈环路，并利用反向短沟道效应提高写入能力。 单端读/写端口结构进一步降低了冗长位线的功耗。 因此，双端口亚阈值SRAM单元适合于先进先出存储器系统中的长操作。 虽然较低的电压降低了存储单元的稳定性，但是本发明的双端口亚阈值SRAM单元仍然可以稳定地工作。

公开(公告)号：US20120230086A1

公开(公告)日：2012-09-13

申请号：US13096796

申请日：2011-04-28

申请人： Yi-Te Chiu ,  Ming-Hung Chang ,  Hao-I Yang ,  Wei Hwang

发明人： Yi-Te Chiu ,  Ming-Hung Chang ,  Hao-I Yang ,  Wei Hwang

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C11/412

摘要： A static random access memory cell includes a latch unit. The latch unit includes a bi-inverting circuit and a switching circuit. The bi-inverting circuit has a first terminal and a second terminal. The switching circuit is electrically connected between the first terminal and the second terminal, wherein when the switching circuit is turned on, the switching circuit forms a feedback between the first terminal and the second terminal for latching the latch unit; and when the switching circuit is turned off, the feedback is removed to cause the SRAM cell to write a data bit to the latch unit.

摘要翻译： 静态随机存取存储单元包括一个锁存单元。 锁存单元包括双向电路和开关电路。 双向电路具有第一端子和第二端子。 开关电路电连接在第一端子和第二端子之间，其中当开关电路导通时，开关电路在第一端子和第二端子之间形成用于锁存闩锁单元的反馈; 并且当切换电路关闭时，消除反馈以使SRAM单元向锁存单元写入数据位。

公开(公告)号：US20120307548A1

公开(公告)日：2012-12-06

申请号：US13243690

申请日：2011-09-23

申请人： Yi-Te Chiu ,  Ming-Hung Chang ,  Hao-I Yang ,  Wei Hwang

发明人： Yi-Te Chiu ,  Ming-Hung Chang ,  Hao-I Yang ,  Wei Hwang

IPC分类号： G11C11/412 ,  G11C11/419

CPC分类号： G11C11/412 ,  G11C19/287

摘要： An innovative dual-port subthreshold static random access memory (SRAM) cell for sub-threshold voltage operation is disclosed. During write mode, the dual-port subthreshold SRAM cell would cut off the positive feedback loop of the inverters and utilize the reverse short-channel effect to enhance write capability. The single-ended read/write port structure further reduces power consumption of the lengthy bit line. Therefore, the dual-port subthreshold SRAM cell is a suitable for long operation in a first-in first-out memory system. Although the lower voltage reduces the stability of the memory cell, the dual-port subthreshold SRAM cell of the present invention can still stably operate.

摘要翻译： 公开了用于亚阈值电压操作的创新的双端口亚阈值静态随机存取存储器（SRAM）单元。 在写模式下，双端口亚阈值SRAM单元将切断反相器的正反馈环路，并利用反向短沟道效应提高写入能力。 单端读/写端口结构进一步降低了冗长位线的功耗。 因此，双端口亚阈值SRAM单元适合于先进先出存储器系统中的长操作。 虽然较低的电压降低了存储单元的稳定性，但是本发明的双端口亚阈值SRAM单元仍然可以稳定地工作。

公开(公告)号：US08437178B2

公开(公告)日：2013-05-07

申请号：US13096796

申请日：2011-04-28

申请人： Yi-Te Chiu ,  Ming-Hung Chang ,  Hao-I Yang ,  Wei Hwang

发明人： Yi-Te Chiu ,  Ming-Hung Chang ,  Hao-I Yang ,  Wei Hwang

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C11/412

摘要： A static random access memory cell includes a latch unit. The latch unit includes a bi-inverting circuit and a switching circuit. The bi-inverting circuit has a first terminal and a second terminal. The switching circuit is electrically connected between the first terminal and the second terminal, wherein when the switching circuit is turned on, the switching circuit forms a feedback between the first terminal and the second terminal for latching the latch unit; and when the switching circuit is turned off, the feedback is removed to cause the SRAM cell to write a data bit to the latch unit.

摘要翻译： 静态随机存取存储单元包括一个锁存单元。 锁存单元包括双向电路和开关电路。 双向电路具有第一端子和第二端子。 开关电路电连接在第一端子和第二端子之间，其中当开关电路导通时，开关电路在第一端子和第二端子之间形成用于锁存闩锁单元的反馈; 并且当切换电路关闭时，消除反馈以使SRAM单元向锁存单元写入数据位。