公开(公告)号：US20070224803A1

公开(公告)日：2007-09-27

申请号：US11565050

申请日：2006-11-30

申请人： Ying Xiao ,  Gerardo A. Delgadino ,  Karsten Schnelder

发明人： Ying Xiao ,  Gerardo A. Delgadino ,  Karsten Schnelder

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76814

摘要： Methods for etching a dielectric barrier layer with high selectivity to a dielectric bulk insulating layer are provided. In one embodiment, the method includes providing a substrate having a portion of a dielectric barrier layer exposed through a dielectric bulk insulating layer in a reactor, flowing a gas mixture containing H2 gas, fluorine containing gas, at least an insert gas into the reactor, and etching the exposed portion of the dielectric barrier layer selectively to the dielectric bulk insulating layer.

摘要翻译： 提供了对绝缘体绝缘层具有高选择性的蚀刻电介质阻挡层的方法。 在一个实施例中，该方法包括提供一个衬底，该衬底具有通过反应器中的电介质体绝缘层暴露的介电阻挡层的一部分，使包含H 2气体，含氟气体的气体混合物在 至少插入气体进入反应器，并且将电介质阻挡层的暴露部分选择性地蚀刻到介电体绝缘层。