公开(公告)号：US5321300A

公开(公告)日：1994-06-14

申请号：US865681

申请日：1992-04-08

申请人： Yoshio Usuda ,  Hiroaki Itaba ,  Jumpei Kumagai ,  Seiji Kaki

发明人： Yoshio Usuda ,  Hiroaki Itaba ,  Jumpei Kumagai ,  Seiji Kaki

IPC分类号： H01L21/82 ,  H01L23/525 ,  H01L27/02 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L23/5258 ,  H01L2924/0002

摘要： In a laser-broken fuse used in a memory redundancy technique, an aluminum wiring layer is formed on an interlevel insulating film. A portion of the wiring layer is selected to be broken to shut off conduction of the layer. A polysilicon-made heat member is provided in the interlevel insulating film at the place which is underneath the selected portion. The heat member is located on a field insulating film. This heat member generates heat by absorbing energy from a laser beam, and thermal-explodes in a sealed atmosphere so as to break the selected portion.

摘要翻译： 在存储器冗余技术中使用的激光断开熔丝中，在层间绝缘膜上形成铝布线层。 选择布线层的一部分被破坏以切断该层的传导。 在选择部分的下方的位置，在层间绝缘膜上设置多晶硅制成的加热部件。 加热构件位于场绝缘膜上。 该加热构件通过从激光束吸收能量而产生热量，并且在密封的气氛中热爆，从而破坏所选择的部分。