公开(公告)号：US07280168B2

公开(公告)日：2007-10-09

申请号：US11004101

申请日：2004-12-06

申请人： Young Hun Ha ,  Jae Moon Soh ,  Jong Woo Kim

发明人： Young Hun Ha ,  Jae Moon Soh ,  Jong Woo Kim

IPC分类号： G02F1/136

CPC分类号： G02F1/136213 ,  G02F1/136286

摘要： A liquid crystal display device and a fabricating method thereof that are capable of preventing breakage of a pixel electrode. In the device, the protective layer pattern is provided at the overlapping area between the storage electrode and the pixel electrode to separate the storage electrode and the pixel electrode. Accordingly, the protective layer pattern is formed at the storage capacitor area to improve step coverage of a transparent conductive material.

摘要翻译： 一种能够防止像素电极断裂的液晶显示装置及其制造方法。 在该器件中，保护层图案设置在存储电极和像素电极之间的重叠区域，以分离存储电极和像素电极。 因此，保护​​层图案形成在保持电容器区域，以改善透明导电材料的台阶覆盖。

公开(公告)号：US07106390B2

公开(公告)日：2006-09-12

申请号：US10026961

申请日：2001-12-27

申请人： Young Hun Ha ,  Jae Moon Soh ,  Jong Woo Kim

发明人： Young Hun Ha ,  Jae Moon Soh ,  Jong Woo Kim

IPC分类号： G02F1/1343

CPC分类号： G02F1/136213 ,  G02F1/136286

摘要： A liquid crystal display device and a fabricating method thereof that are capable of preventing breakage of a pixel electrode. In the device, the protective layer pattern is provided at the overlapping area between the storage electrode and the pixel electrode to separate the storage electrode and the pixel electrode. Accordingly, the protective layer pattern is formed at the storage capacitor area to improve step coverage of a transparent conductive material.

公开(公告)号：US06921917B2

公开(公告)日：2005-07-26

申请号：US10028304

申请日：2001-12-28

申请人： Seung Kyu Choi ,  Jae Moon Soh ,  Jong Woo Kim

发明人： Seung Kyu Choi ,  Jae Moon Soh ,  Jong Woo Kim

IPC分类号： H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/12 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  G02F1/136

CPC分类号： H01L27/12 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/42384

摘要： A thin film transistor substrate and a fabricating method thereof that are capable of improving an aperture ratio. A gate electrode on that substrate has an inclined head and a concave neck.

摘要翻译： 能够提高开口率的薄膜晶体管基板及其制造方法。 该基板上的栅电极具有倾斜的头部和凹入的颈部。

公开(公告)号：US07341895B2

公开(公告)日：2008-03-11

申请号：US11003386

申请日：2004-12-06

申请人： Seung Kyu Choi ,  Jae Moon Soh ,  Jong Woo Kim

发明人： Seung Kyu Choi ,  Jae Moon Soh ,  Jong Woo Kim

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L27/12 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/42384

摘要： A thin film transistor substrate and a fabricating method thereof that are capable of improving an aperture ratio. A gate electrode on that substrate has an inclined head and a concave neck.

摘要翻译： 能够提高开口率的薄膜晶体管基板及其制造方法。 该基板上的栅电极具有倾斜的头部和凹入的颈部。

公开(公告)号：US06211076B1

公开(公告)日：2001-04-03

申请号：US09033161

申请日：1998-03-02

申请人： In Duk Song ,  Jae Moon Soh

发明人： In Duk Song ,  Jae Moon Soh

IPC分类号： H01L2144

CPC分类号： H01L23/5226 ,  H01L21/76892 ,  H01L2924/0002 ,  H05K3/4647 ,  H01L2924/00

摘要： A wiring structure in a semiconductor device includes a substrate; a first conductive layer on the substrate; a second conductive layer covering a portion of the first conductive layer, wherein another portion of the first conductive layer is not covered by the second conductive layer; an insulation layer on the first and second conductive layer; a penetrating part passing through the insulation layer from the uncovered portion of the first conductive layer; and a third conductive layer on the insulation layer, the third conductive layer connecting the penetrating part.

摘要翻译： 半导体器件中的布线结构包括：衬底; 衬底上的第一导电层; 覆盖所述第一导电层的一部分的第二导电层，其中所述第一导电层的另一部分未被所述第二导电层覆盖; 在第一和第二导电层上的绝缘层; 从第一导电层的未覆盖部分穿过绝缘层的穿透部分; 以及在所述绝缘层上的第三导电层，所述第三导电层连接所述穿透部。

公开(公告)号：US06420785B2

公开(公告)日：2002-07-16

申请号：US09802966

申请日：2001-03-12

申请人： In Duk Song ,  Jae Moon Soh

发明人： In Duk Song ,  Jae Moon Soh

IPC分类号： H01L2348

CPC分类号： H01L23/5226 ,  H01L21/76892 ,  H01L2924/0002 ,  H05K3/4647 ,  H01L2924/00

摘要： A wiring structure in a semiconductor device includes a substrate; a first conductive layer on the substrate; a second conductive layer covering a portion of the first conductive layer, wherein another portion of the first conductive layer is not covered by the second conductive layer; an insulation layer on the first and second conductive layer; a penetrating part passing through the insulation layer from the uncovered portion of the first conductive layer; and a third conductive layer on the insulation layer, the third conductive layer connecting the penetrating part.

摘要翻译： 半导体器件中的布线结构包括：衬底; 衬底上的第一导电层; 覆盖所述第一导电层的一部分的第二导电层，其中所述第一导电层的另一部分未被所述第二导电层覆盖; 在第一和第二导电层上的绝缘层; 从第一导电层的未覆盖部分穿过绝缘层的穿透部分; 以及在所述绝缘层上的第三导电层，所述第三导电层连接所述穿透部。