公开(公告)号：US20070166870A1

公开(公告)日：2007-07-19

申请号：US11623890

申请日：2007-01-17

申请人： Young-Soo LIM ,  Jae-Seung HWANG ,  Hyun-Chul KIM ,  Jun-Soo BAE

发明人： Young-Soo LIM ,  Jae-Seung HWANG ,  Hyun-Chul KIM ,  Jun-Soo BAE

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L45/1233 ,  H01L45/06 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1675

摘要： In one embodiment, a phase-changeable structure can be formed by forming a phase-changeable layer on the lower electrode, forming a conductive layer on the phase-changeable layer, etching the conductive layer using a first etching material to form an upper electrode and etching the phase-changeable layer using a second etching material to form a phase-changeable pattern. The first etching material can include a first component containing fluorine. The second etching material does not contain chlorine.

摘要翻译： 在一个实施例中，可以通过在下电极上形成相变层，在相变层上形成导电层，使用第一蚀刻材料蚀刻导电层以形成上电极和 使用第二蚀刻材料蚀刻相变层以形成相变图案。 第一蚀刻材料可以包括含氟的第一成分。 第二蚀刻材料不含氯。

公开(公告)号：US20070224796A1

公开(公告)日：2007-09-27

申请号：US11625142

申请日：2007-01-19

申请人： Young-Soo LIM ,  Jun-Soo BAE

发明人： Young-Soo LIM ,  Jun-Soo BAE

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L45/1233 ,  H01L45/06 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1675

摘要： The present invention relates to a method of forming a phase changeable structure wherein an upper electrode is formed on a phase changeable layer. A material including fluorine can be provided to the phase changeable layer and the upper electrode. The phase changeable layer can be etched to form a phase changeable pattern. Oxygen plasma or water vapor plasma can then be provided to the upper electrode and the phase changeable pattern.

摘要翻译： 本发明涉及形成可变相结构的方法，其中上电极形成在相变层上。 可以向相变层和上电极提供包含氟的材料。 相变层可被蚀刻以形成相变图案。 然后可以将氧等离子体或水蒸气等离子体提供给上电极和相变图案。

公开(公告)号：US20070190683A1

公开(公告)日：2007-08-16

申请号：US11674580

申请日：2007-02-13

申请人： Jun-Soo BAE ,  Hideki HORII ,  Ji-Hye YI ,  Young-Soo LIM

发明人： Jun-Soo BAE ,  Hideki HORII ,  Ji-Hye YI ,  Young-Soo LIM

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L45/1675 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144

摘要： The present invention relates to a phase changeable structure having decreased amounts of defects and a method of forming the phase changeable structure. A stacked composite is first formed by (i) forming a phase changeable layer including a chalcogenide is formed on a lower electrode, (ii) forming an etch stop layer having a first etch rate with respect to a first etching material including chlorine on the phase changeable layer, and (iii) forming a conductive layer having a second etch rate with respect to the first etching material on the etch stop layer. The conductive layer of the stacked composite is then etched using the first etching material to form an upper electrode. The etch stop layer and the phase changeable layer are then etched using a second etching material that is substantially flee of chlorine to form an etch stop pattern and a phase changeable pattern, respectively.

摘要翻译： 本发明涉及具有减少的缺陷量的相变结构和形成相变结构的方法。 首先通过（i）在下电极上形成包括硫族化物的相变层来形成堆叠复合体，（ii）形成相对于在相上包括氯的第一蚀刻材料具有第一蚀刻速率的蚀刻停止层 可变层，和（iii）形成相对于蚀刻停止层上的第一蚀刻材料具有第二蚀刻速率的导电层。 然后使用第一蚀刻材料蚀刻层叠复合体的导电层以形成上电极。 然后使用基本上不含氯的第二蚀刻材料来蚀刻蚀刻停止层和相变层，以分别形成蚀刻停止图案和相变图案。