公开(公告)号：US20100221901A1

公开(公告)日：2010-09-02

申请号：US12712881

申请日：2010-02-25

申请人： Zhiju Cai ,  Wenyu Cao ,  Yong Zhou

发明人： Zhiju Cai ,  Wenyu Cao ,  Yong Zhou

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L21/02631 ,  C23C14/0629 ,  C23C14/24 ,  C23C14/5806 ,  H01L21/02557 ,  H01L31/1828 ,  Y02E10/543

摘要： A method for preparing a cadmium sulfide film comprises: providing a slurry; coating a first substrate with the slurry; heating the first substrate to produce a vapor; and depositing the vapor on a second substrate to form a cadmium sulfide film. The slurry comprises a dispersant, cadmium particles and sulfur particles.

摘要翻译： 制备硫化镉膜的方法包括：提供浆料; 用浆料涂覆第一基材; 加热第一衬底以产生蒸气; 并将蒸气沉积在第二衬底上以形成硫化镉膜。 浆料包括分散剂，镉颗粒和硫颗粒。