公开(公告)号：US06893969B2

公开(公告)日：2005-05-17

申请号：US09782446

申请日：2001-02-12

申请人： Chok W. Ho ,  Kuo-Lung Tang ,  Chung-Ju Lee

发明人： Chok W. Ho ,  Kuo-Lung Tang ,  Chung-Ju Lee

IPC分类号： B44C1/22 ,  C03C15/00 ,  C23F1/00 ,  H01L21/302 ,  H01L21/306 ,  H01L21/311 ,  H01L21/768 ,  H01K21/302

CPC分类号： H01L21/31138 ,  H01L21/31144

摘要： Method for etching organic low-k dielectric using ammonia, NH3, as an active etchant. Processes using ammonia results in at least double the etch rate of organic low-k dielectric materials than processes using N2/H2 chemistries, at similar process conditions. The difference is due to the much lower ionization potential of NH3 versus N2 in the process chemistry, which results in significantly higher plasma densities and etchant concentrations at similar process conditions.

摘要翻译： 使用氨，NH 3作为活性蚀刻剂蚀刻有机低k电介质的方法。 使用氨的工艺导致有机低k电介质材料的蚀刻速率至少比使用N 2 / H 2化学物质在相似工艺条件下的蚀刻速率的两倍。 不同之处在于，在工艺化学中，NH 3与N 2的电离电位低得多，这在相似的工艺条件下导致显着更高的等离子体密度和蚀刻剂浓度。