公开(公告)号：US08048810B2

公开(公告)日：2011-11-01

申请号：US12696252

申请日：2010-01-29

申请人： Fang Wen Tsai ,  Jim Cy Huang ,  Shun Wu Lin ,  Li-Shiun Chen ,  Kuang-Yuan Hsu

发明人： Fang Wen Tsai ,  Jim Cy Huang ,  Shun Wu Lin ,  Li-Shiun Chen ,  Kuang-Yuan Hsu

IPC分类号： H01L2/311

CPC分类号： G03F7/20 ,  H01L21/28

摘要： A method for fabricating a integrated circuit is disclosed. An exemplary method includes providing a substrate; forming a hard mask layer over the substrate; forming a patterned photoresist layer over the hard mask layer, such that portions of the hard mask layer are exposed; performing a dry etching process to remove the exposed portions of the hard mask layer; removing the patterned photoresist layer using at least one of a nitrogen plasma ashing and a hydrogen plasma ashing; and performing a wet etching process to remove remaining portions of the hard mask layer.

摘要翻译： 公开了一种用于制造集成电路的方法。 一种示例性方法包括提供基底; 在衬底上形成硬掩模层; 在所述硬掩模层上形成图案化的光致抗蚀剂层，使得所述硬掩模层的部分被暴露; 执行干蚀刻工艺以去除硬掩模层的暴露部分; 使用氮等离子体灰化和氢等离子体灰化中的至少一种去除图案化的光致抗蚀剂层; 并进行湿式蚀刻处理以去除硬掩模层的剩余部分。