公开(公告)号：US07635614B1

公开(公告)日：2009-12-22

申请号：US11724622

申请日：2007-03-15

申请人： Vladimir Kuznetsov ,  Vladislav Vashchenko ,  Peter J. Hopper

发明人： Vladimir Kuznetsov ,  Vladislav Vashchenko ,  Peter J. Hopper

IPC分类号： H01L21/323 ,  H01L29/74

CPC分类号： H01L29/7436 ,  H01L29/7404 ,  H01L29/749

摘要： An NLDMOS SCR device based on an LDMOS fabrication process includes a dual gate to provide controllable switching characteristics to allow it to be used for ESD protection of fast switching voltage regulators.

摘要翻译： 基于LDMOS制造工艺的NLDMOS SCR器件包括提供可控开关特性以允许其用于快速开关电压调节器的ESD保护的双栅极。