公开(公告)号：US5635428A

公开(公告)日：1997-06-03

申请号：US329108

申请日：1994-10-25

申请人： Patrick M. Martin ,  Dennis J. Yost

发明人： Patrick M. Martin ,  Dennis J. Yost

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  H01L23/316 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L23/5329 ,  H01L21/76819 ,  H01L2924/0002

摘要： A semiconductor device includes conductor regions 24 and 26 on a layer of the semiconductor device; a first insulator layer 28 over and between the conductor regions 24 and 26; polyimide regions 30, 32, and 34 over the first insulator layer 28 in gaps between the conductor regions 24 and 26; and a second insulator layer 38 over the first insulator layer 28 and over the polyimide regions 30, 32, and 34. A surface of the second insulator layer 38 is substantially planar.

摘要翻译： 半导体器件在半导体器件的层上包括导体区域24和26; 在导体区域24和26之间和之间的第一绝缘体层28; 在导体区域24和26之间的间隙中的第一绝缘体层28上的聚酰亚胺区域30,32和34; 以及在第一绝缘体层28上方以及聚酰亚胺区域30,32和34之上的第二绝缘体层38.第二绝缘体层38的表面基本上是平面的。