公开(公告)号：US06232635B1

公开(公告)日：2001-05-15

申请号：US09543991

申请日：2000-04-06

申请人： Larry Yu Wang ,  Steven C. Avanzino ,  Jeffrey A. Shields ,  Stephen Keetai Park

发明人： Larry Yu Wang ,  Steven C. Avanzino ,  Jeffrey A. Shields ,  Stephen Keetai Park

IPC分类号： H01L291788

CPC分类号： H01L27/11521 ,  H01L27/115

摘要： An article and method of manufacturing a semiconductor flash cell. The method includes producing an isolation formation layer on a silicon substrate, forming an oxide on the isolation formation layer, growing a tunnel oxide layer thereon, depositing a first poly silicon layer, masking and etching the first poly silicon layer, depositing a second poly silicon layer and performing a blanket etch back step, forming an oxide/nitride/oxide layer forming a third poly-silicon layer and depositing a silicide layer thereon.

摘要翻译： 制造半导体闪存单元的制品和方法。 该方法包括在硅衬底上制造隔离层，在隔离层上形成氧化物，在其上生长隧道氧化物层，沉积第一多晶硅层，掩蔽和蚀刻第一多晶硅层，沉积第二多晶硅 层并进行覆盖层回蚀步骤，形成形成第三多晶硅层的氧化物/氮化物/氧化物层并在其上沉积硅化物层。