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公开(公告)号：WO2017003202A1
公开(公告)日：2017-01-05
申请号：PCT/KR2016/007009
申请日：2016-06-30
Applicant: 엘지이노텍(주)
CPC classification number: H01L33/382 , H01L33/04 , H01L33/145 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/36 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L33/46 , H01L33/62 , H01L33/644
Abstract: 본 발명에 따른 발광 소자는 제1도전형 반도체층, 활성층 및 제2도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물, 발광 구조물의 하부에 상기 제2도전형 반도체층과 연결되는 제2전극층, 및 발광 구조물을 기 설정된 간격마다 관통하여 제1도전형 반도체층과 연결되는 복수의 제1전극층을 포함한다.
Abstract translation: 根据本发明的发光器件包括：发光结构，包括第一导电半导体层，有源层和第二导电半导体层; 在所述发光结构的底部耦合到所述第二导电半导体层的第二电极层; 以及通过以预定间隔穿透发光结构而耦合到第一导电半导体层的多个第一电极层。
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公开(公告)号：WO2015030391A1
公开(公告)日：2015-03-05
申请号：PCT/KR2014/007475
申请日：2014-08-12
Applicant: 엘지이노텍(주)
IPC: H01L33/22
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/32 , H01L2933/0091
Abstract: 실시 예는 제1 도전형 반도체층, 활성층, 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물; 및 상기 발광 구조물 상에 배치되는 광 추출부를 포함하고, 상기 광 추출부는 상기 제1 도전형 반도체층 상에 배치되고, 제1 습식 식각률을 갖는 제1 질화물 반도체층; 상기 제1 질화물 반도체층 상에 배치되고, 제2 습식 식각률을 갖는 제2 질화물 반도체층, 및 제3 습식 식각률을 갖는 제3 질화물 반도체층을 포함하며, 상기 제1 습식 식각률 및 상기 제3 습식 식각률은 상기 제2 습식 식각률보다 낮다.
Abstract translation: 公开了根据实施例的发光元件，包括：发光结构，包括第一导电半导体层，有源层和第二导电半导体层; 以及布置在所述发光结构上的光提取器，所述光提取器包括：布置在所述第一导电半导体层上的具有第一湿蚀刻速率的第一氮化物半导体层，具有第二湿蚀刻速率的第二氮化物半导体层， 在第一氮化物半导体层和第三湿蚀刻速率的第三氮化物半导体层上，其中第一和第三湿蚀刻速率低于第二湿蚀刻速率。
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公开(公告)号：WO2017034346A1
公开(公告)日：2017-03-02
申请号：PCT/KR2016/009444
申请日：2016-08-25
Applicant: 엘지이노텍(주)
Abstract: 실시예는 제1 도전형 반도체층, 제2 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층의 사이에 배치되는 활성층을 포함하고, 상기 제2 도전형 반도체층과 상기 활성층을 관통하여 상기 제1 도전형 반도체층의 일부 영역까지 배치되는 복수 개의 제1 리세스를 포함하는 발광 구조물; 상기 복수 개의 제1 리세스 내부에서 상기 제1 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제1 전극; 상기 제1 전극과 전기적으로 연결되는 도전성 지지 기판; 상기 제2 도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제2 전극; 및 상기 도전성 지지 기판과 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 배치되는 절연층을 포함하고, 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층 및 상기 활성층을 관통하여 상기 절연층의 일부 영역까지 제2 리세스가 배치되는 발광소자에 관한 것이다.
Abstract translation: 实施例涉及一种发光器件，其包括：发光结构，其包括第一导电半导体层，第二导电半导体层和设置在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间的有源层，并且包括 多个第一凹部，穿过第二导电半导体层和有源层，并设置在第一导电半导体层的一部分区域上; 第一电极，其电连接到所述多个第一凹部内的所述第一导电半导体层; 电连接到所述第一电极的导电支撑基板; 电连接到第二导电半导体层的第二电极; 以及绝缘层，其设置在所述导电支撑基板和第二导电半导体层之间，其中第二凹部穿过所述第一导电半导体层，第二导电半导体层和有源层，并且设置在所述绝缘层的一部分区域上 。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2017007246A1
公开(公告)日：2017-01-12
申请号：PCT/KR2016/007343
申请日：2016-07-07
Applicant: 엘지이노텍(주)
IPC: H01L33/54 , H01L33/36 , H01L21/205
CPC classification number: H01L33/44 , H01L33/20 , H01L33/36 , H01L33/382 , H01L33/54 , H01L33/62 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025
Abstract: 본 발명에 따른 발광 소자는 제1도전형 반도체층, 활성층 및 제2도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물, 발광 구조물을 보호하는 패시베이션층, 및 발광 구조물 상에 패시베이션층 사이에 형성되는 금속층을 포함하고, 패시베이션층과 금속층 사이의 거리는 패시베이션층의 두께의 4배 이상 12배이하이다.
Abstract translation: 根据本发明的发光二极管包括：发光结构，其包括第一导电半导体层，有源层和第二导电半导体层; 保护发光结构的钝化层; 以及在发光结构上在发光结构和钝化层之间形成的金属层，其中钝化层和金属层之间的距离比钝化层的厚度大4至12倍。
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公开(公告)号：WO2017119711A1
公开(公告)日：2017-07-13
申请号：PCT/KR2017/000091
申请日：2017-01-04
Applicant: 엘지이노텍(주)
Inventor： 성연준
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/36 , H01L33/38 , H01L33/40 , H01L33/48 , H01L33/62 , H01L33/64 , H01L2224/14 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 실시 예는 반도체 기판, 상기 반도체 기판 상에 배치되고, 서로 이격하는 복수의 패턴들을 포함하는 패턴층, 상기 패턴층 상에 배치되는 질화물 반도체층, 및 제1 도전형반도체층, 활성층, 및 제2 도전형반도체층을 포함하고, 상기 질화물 반도체층 상에 배치되는 반도체 구조물을 포함하며, 상기 패턴층의 열 전도도는 상기 반도체 기판의 열전도도, 및 상기 반도체 구조물의 열 전도도보다 높다.
Abstract translation:
实施例包括半导体衬底，以及布置在所述半导体衬底上，所述图案层包括多个图案从设置在所述图案层上彼此，氮化物半导体层分隔开，并且所述第一导电类型 半导体层，有源层和第二导电类型的，包括一个半导体层，并且包括设置在所述氮化物半导体层上的半导体结构，所述图案化的层的热导率是热导率，并且所述半导体结构的热在所述半导体衬底， 它比电导率高。
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公开(公告)号：WO2017119661A1
公开(公告)日：2017-07-13
申请号：PCT/KR2016/015364
申请日：2016-12-28
Applicant: 엘지이노텍(주)
Abstract: 실시 예는 기판, 상기 기판 상에 배치되는 제1 도전형 반도체층, 상기 제1 도전형 반도체층 상에 배치되는 제2 도전형 반도체층, 및 상기 제1 도전형 반도체층과 상기 제2 도전형 반도체층 사이에 배치되는 활성층을 포함하고, 상기 제1 도전형 반도체층은 상기 제1 도전형 반도체층의 일부 영역이 노출되는 제1 영역을 포함하고, 상기 제1 영역의 상면과 상기 제2 도전형 반도체층의 상면 사이에 배치되는 경사부를 포함하고, 상기 경사부는 상기 제2 도전형 반도체층의 상면과 접하는 제1 모서리 및 상기 제1 도전형 반도체층의 제1 영역의 상면과 접하는 제2 모서리를 포함하고, 제1 길이와 제2 길이의 비는 1:0.87 ~ 1:4.26이고, 상기 제1 길이는 상기 제1 모서리와 상기 제2 모서리 사이에서 제1 방향으로의 길이이고, 상기 제2 길이는 상기 제1 모서리와 사이 제2 모서리 사이에서 제2 방향으로의 길이이고, 상기 제1 방향과 상기 제2 방향은 서로 수직인 방향이다.
Abstract translation:
实施例包括第一导电半导体层，布置在第一导电类型半导体层上的第二导电型半导体层，和设置在基底上的第一导电类型，该基板 其中，第一导电类型半导体层包括第一区域，在该第一区域中，第一导电类型半导体层的一部分被暴露，并且第一导电类型半导体层包括第一区域 包括上表面的面积和设置在所述第二导电型半导体层部分，所述第二第一角部和在接触与所述导电半导体层的上表面上的第一导电类型半导体层的如权利要求1的倾斜部分的上表面之间的第二斜率 其中第一长度与第二长度的比例在1:0.87与1:4.26之间，第一长度在第一方向上在第一边缘与第二边缘之间 第二个长度是第一个边的长度 第二个是在第二方向上的边缘之间的长度是第一方向和第二方向是彼此垂直的方向上。
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公开(公告)号：WO2017034167A1
公开(公告)日：2017-03-02
申请号：PCT/KR2016/008325
申请日：2016-07-29
Applicant: 엘지이노텍(주)
Abstract: 실시예는 제1 도전형 반도체층과, 상기 제1 도전형 반도체층 상의 활성층, 및 상기 활성층 상의 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물; 상기 제2 도전형 반도체층 상에 선택적으로 배치되는 복수 개의 도전층; 및 상기 도전층과 상기 제2 도전형 반도체층 상에 배치되는 반사 전극을 포함하는 발광소자를 제공한다.
Abstract translation: 实施例提供了一种发光元件，包括：发光结构，包括第一导电半导体层，第一导电半导体层上的有源层和有源层上的第二导电半导体层; 选择性地布置在所述第二导电半导体层上的多个导电层; 以及设置在所述导电层和所述第二导电半导体层上的反射电极。
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公开(公告)号：WO2017010715A1
公开(公告)日：2017-01-19
申请号：PCT/KR2016/007174
申请日：2016-07-04
Applicant: 엘지이노텍(주)
Inventor： 성연준
CPC classification number: H01L33/24 , H01L33/007 , H01L33/32 , H01L33/36 , H01L33/38 , H01L33/44 , H01L33/507 , H01L33/54 , H01L33/62 , H01L2933/0025
Abstract: 실시예는 제1 층과 제2 층을 포함하는 제1 도전형 반도체층; 상기 제1 도전형 반도체층 상의 활성층; 상기 활성층 상의 제2 도전형 반도체층; 및 상기 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층 상에 각각 배치된 제1 전극과 제2 전극을 포함하고, 상기 제1 층은 복수 개의 제1 그루브(groove)를 포함하고, 상기 제1 그루브의 바닥면과 측면에 성장 방지층이 배치된 발광소자를 제공한다.
Abstract translation: 实施例提供一种发光元件，包括：第一导电半导体层，包括第一层和第二层; 在第一导电半导体层上的有源层; 在所述有源层上的第二导电半导体层; 以及分别配置在所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层上的第一电极和第二电极，其中所述第一层包括多个第一凹槽，并且在所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层的底表面和侧表面上设置增长防止层 每个第一槽。
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