公开(公告)号：WO2015131881A2

公开(公告)日：2015-09-11

申请号：PCT/DE2015/100085

申请日：2015-03-04

Applicant: HELMHOLTZ-ZENTRUM FÜR MATERIALIEN UND ENERGIE GMBH

Inventor： AMKREUTZ, Daniel ,  HASCHKE, Jan ,  RECH, Bernd

IPC: H01L31/0392

CPC classification number: H01L31/03921 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/182 ,  H01L31/1824 ,  H01L31/1868 ,  H01L31/1872 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/546 ,  Y02P70/521

Abstract: Bei einer rückseitenkontaktierten Si-Dünnschicht-Solarzelle, mindestens aufweisend eine kristalline Si-Absorberschicht sowie eine auf der kristallinen Si-Absorberschicht angeordnete Emitterschicht aus Halbleitermaterialien gegensätzlicher p- und n-Typ Dotierung, ist auf einem Glassubstrat eine Barriereschicht gebildet, die eine Schichtdicke im Bereich von 50 nm bis 1 μm aufweist, ist auf der Barriereschicht mindestens eine die optischen Eigenschaften verbessernde Schicht mit einer Schichtdicke von 40 nm bis 250 nm angeordnet, auf der eine 0,5 nm bis 20 nm dünne Silizium und/oder Sauerstoff enthaltende Schicht angeordnet ist, wobei die kristalline Si-Absorberschicht herstellbar ist durch eine Flüssigphasenkristallisation und n-leitend ist, eine Schichtdicke zwischen 200 nm und 40 μm mit einer homogenen Dotierung zwischen 2⋅10 15 cm -3 bis 5⋅10 18 cm -3 über die gesamte Dicke sowie monokristalline Si-Körner aufweist, die in ihrer Ausdehnung mindestens so groß sind wie die Dicke der Absorberschicht, und zwischen der Silizium und/oder Sauerstoff enthaltenden Schicht und der Si-Absorberschicht eine SiO 2 -Passivierschicht während der Flüssigphasenkristallisation ausgebildet ist.

Abstract translation: 在背接触硅薄膜太阳能电池，其至少包括一个结晶Si吸收层和一个设置在由相对的p型和n型掺杂的半导体材料的结晶硅吸收体层发射极层上，形成在玻璃基板上的阻挡层，在所述范围内的层厚度 从50纳米至1微米的具有被布置在势垒层中的至少一个光学特性改善为40nm至250nm的层厚度层，被设置在0.5至20nm薄的硅和/或含氧层上 其中，所述结晶Si吸收层可以通过液相结晶来制备和n型导电性是35⋅1018cm200纳米和40微米与2⋅1015cm-3之间的均匀的掺杂之间的层厚度，以在整个厚度和单晶硅 粒，其至少一样大的程度的厚度d 它已液相结晶吸收层期间形成在SiO 2钝化层，并且硅和/或氧层和Si吸收层之间含有。