公开(公告)号：WO2019085447A1

公开(公告)日：2019-05-09

申请号：PCT/CN2018/088318

申请日：2018-05-25

申请人： 江苏日托光伏科技股份有限公司

发明人： 路忠林 ,  吴仕梁 ,  张凤鸣

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/022441 ,  H01L31/1876 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明公开了一种背接触式太阳电池组件及制备方法，背接触式太阳电池具有特殊对称结构，可分成若干个单独小片单元，而电极汇流点分布在小片单元两侧，制备成组件时可非常简单的进行相邻电池片背面正负极短距离直线互联即可。小片单元的工作电流远小于正常片，电池片互联的内阻功率损耗大大减少，这样又可以选用超薄及小截面积的互联条，结合更短的互联距离，预计可降低互联条消耗量90％以上，既大幅降低了成本，同时也因为超薄的互联条减少了对电池片的应力，使其更适合于超薄电池片的封装，具有极大的降本提效空间。

公开(公告)号：WO2018187775A1

公开(公告)日：2018-10-11

申请号：PCT/US2018/026599

申请日：2018-04-06

申请人： MICROLINK DEVICES, INC.

发明人： YOUTSEY, Christopher ,  REDDY, Rekha ,  STENDER, Christopher

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/0463 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/048 ,  H01L31/0516 ,  H01L31/1892 ,  Y02E10/50

摘要： Systems and methods taught herein provide thin film semiconductor devices such as thin film photovoltaic devices having via holes that enable electrical connection with a bottom surface of a topside contact of the thin film semiconductor device via the back side of the device (e.g., during mounting of the device). In some embodiments, the via holes are electrically insulated.

公开(公告)号：WO2018062088A1

公开(公告)日：2018-04-05

申请号：PCT/JP2017/034492

申请日：2017-09-25

申请人： 京セラ株式会社

发明人： 松島　徳彦 ,  水元　章裕 ,  村尾　彰了 ,  荒浪　順次

IPC分类号： H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/068

CPC分类号： H01L31/02167 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/50

摘要： 太陽電池素子は、半導体基板とパッシベーション層と保護層と裏面電極とを備える。半導体基板は、第１表面及び該第１表面とは逆の方向を向いた第２表面を有する。パッシベーション層は、第２表面上に位置している。保護層は、パッシベーション層上に位置している。裏面電極は、保護層上に位置している。裏面電極は、保護層およびパッシベーション層を貫通する１以上の孔部を介して半導体基板に電気的に接続されている。保護層は、孔部の内縁部から離れるにつれて厚さが増加する傾向を示している第１領域および該第１領域を囲むように位置する第２領域を有する。第１領域の内縁部から最も離れている位置と内縁部との距離は、第２領域における厚さよりも大きい。裏面電極は、第１領域上で内縁部から離れるにつれて厚さが減少する傾向を示している。

摘要翻译： 该太阳能电池元件设置有半导体衬底，钝化层，保护层和背面电极。 半导体衬底包括第一表面和面向与第一表面相反的方向的第二表面。 钝化层位于第二表面上。 保护层位于钝化层上。 背面电极位于保护层上。 背侧电极经由穿过保护层和钝化层的一个或多个孔电连接到半导体衬底。 保护层具有：第一区域，其随着距开口的内边缘部分的距离而趋于增加厚度; 以及定位成围绕第一区域的第二区域。 内边缘部分与第一区域中距离内边缘部分最远的位置之间的距离大于保护层的第二区域的厚度。 随着距第一区域的内边缘部分的距离，背面电极趋向于厚度减小。

公开(公告)号：WO2018034266A1

公开(公告)日：2018-02-22

申请号：PCT/JP2017/029280

申请日：2017-08-14

申请人： シャープ株式会社

发明人： 肥後　輝明 ,  岡本　親扶 ,  小林　正道 ,  石井　真人 ,  森　健史 ,  松本　雄太

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/0747

CPC分类号： H01L31/022433 ,  H01L31/02013 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/035272 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/50

摘要： 光電変換素子は、ｐ型またはｎ型の半導体基板（１）と、第１の面側のｐ型非晶質半導体膜（３）およびｎ型非晶質半導体膜（５）と、ｐ型非晶質半導体膜（３）上のｐ電極（７）と、ｎ型非晶質半導体膜（５）上のｎ電極（８）とを備えている。ｐ電極（７）とｎ電極（８）とは間隔を空けて配置されており、ｐ型非晶質半導体膜（３）がｎ型非晶質半導体膜（５）を半導体基板（１）の面内方向に取り囲んでおり、ｎ型非晶質半導体膜（５）の縁部（５ａ）がｐ型非晶質半導体膜（３）との重なり領域であり、ｎ電極（８）は、重なり領域で取り囲まれたｎ型非晶質半導体膜（５）の領域の内側に位置している。

摘要翻译： 光电转换元件包括p型或n型半导体衬底（1），第一表面侧上的p型非晶半导体膜（3）以及第一表面侧上的n型非晶半导体膜 （5），在p型非晶半导体膜（3）上的p电极（7）以及在n型非晶半导体膜（5）上的n电极（8）。 p型电极7和n型电极8彼此隔开，并且p型非晶半导体膜3覆盖n型非晶半导体膜5， 围绕面内方向，n型非晶半导体膜（5）的边缘部分（5a）是与p型非晶半导体膜（3）的重叠区域，并且n电极 位于由该区域包围的n型非晶半导体膜（5）的区域内。

公开(公告)号：WO2017222537A1

公开(公告)日：2017-12-28

申请号：PCT/US2016/039107

申请日：2016-06-23

申请人： SUNPOWER CORPORATION ,  TOTAL MARKETING SERVICES

发明人： JOHNSON, Michael, C. ,  PENAUD, Julien ,  FERNANDEZ MARTIN, Jara ,  JAFFRENNOU, Perine

IPC分类号： H01L31/0232 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/0368 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0392

CPC分类号： H01L31/0232 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/0368 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/547

摘要： Methods of fabricating a solar cell, and resulting solar cell are described. In an example, the method for fabricating a solar cell include forming an oxide region over a light receiving region of a silicon substrate. The method can include forming an interfacial region over the light receiving surface of the silicon substrate. The method can also include forming a first surface region comprising aluminum oxide over the interfacial region and forming a second surface region over the first surface region. In some embodiments, the first surface region can have a thickness greater than the second surface region. In one embodiment, the second surface region can have a thickness greater than the thickness of the first surface region.

摘要翻译： 描述了制造太阳能电池的方法以及所得到的太阳能电池。 在一个示例中，用于制造太阳能电池的方法包括在硅衬底的光接收区域上方形成氧化物区域。 该方法可以包括在硅衬底的光接收表面上形成界面区域。 该方法还可以包括在界面区域上形成包含氧化铝的第一表面区域并且在第一表面区域上方形成第二表面区域。 在一些实施例中，第一表面区域可以具有比第二表面区域更大的厚度。 在一个实施例中，第二表面区域的厚度可以大于第一表面区域的厚度。

公开(公告)号：WO2017203751A1

公开(公告)日：2017-11-30

申请号：PCT/JP2017/004503

申请日：2017-02-08

申请人： 株式会社カネカ

发明人： 河▲崎▼勇人 ,  吉河訓太 ,  中野邦裕 ,  小西克典

IPC分类号： H01L31/0747

CPC分类号： H01L31/0747 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/046 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/50

摘要： 本発明に係る太陽電池は、導電型結晶シリコン基板１１と、導電型結晶シリコン基板１１の一方の主面上に配置された第１導電型シリコン系層１２及び第２導電型シリコン系層１３とを備え、第１導電型シリコン系層１２と第２導電型シリコン系層１３とは、電気的に絶縁され、第２導電型シリコン系層１３は、第１部分１３ａと第２部分１３ｂとを含み、第１部分１３ａは、第１の真性シリコン系層１４及び第１導電型シリコン系層１２を介して導電型結晶シリコン基板１１に対向し、第２部分１３ｂは、第２の真性シリコン系層１５を介して導電型結晶シリコン基板１１に対向し、第１の真性シリコン系層１４の厚さは、第２の真性シリコン系層１５の厚さより厚い。

摘要翻译： 根据太阳能电池

本发明包括一个导电型结晶硅基板11，第一导电型硅层12中的一个与设置在导电型结晶硅衬底11的主表面上 以及第二导电型硅基层13，其中第一导电型硅基层12和第二导电型硅基层13电绝缘，第二导电型硅基层13为第一导电型 13a和第二部分13b，第一部分13a通过第一本征硅基层14和第一导电型硅基层12面向导电型晶体硅基板11，第二部分13b 通过第二本征硅型层15与导电型晶体硅基板11相对，并且第一本征硅型层14的厚度大于第二本征硅型层15的厚度。

公开(公告)号：WO2017168910A1

公开(公告)日：2017-10-05

申请号：PCT/JP2017/000028

申请日：2017-01-04

申请人： パナソニックIPマネジメント株式会社

发明人： 片山　博貴 ,  篠原　亘 ,  益子　慶一郎

IPC分类号： H01L31/0747

CPC分类号： H01L31/1888 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/0463 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/50

摘要： 裏面接合型の太陽電池セル７０において、パッシベーション層１３ｉ及び第２導電型層１３ｐ上にアモルファスシリコン、微結晶シリコン及び多結晶シリコンのうち少なくとも1つを含む多結晶シリコン粒１３ｂが離散的に存在させる。

摘要翻译： 在

后面结太阳能电池70中，钝化层13I和非晶硅的第二导电型层13P，含微晶硅和多晶硅中的至少一个多晶硅 晶粒13b是分散存在的。

公开(公告)号：WO2017123790A1

公开(公告)日：2017-07-20

申请号：PCT/US2017/013230

申请日：2017-01-12

申请人： ALTA DEVICES, INC.

发明人： LAN, Liguang ,  YANG, Linlin ,  DING, Jian

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/05

CPC分类号： H01L31/0516 ,  H01L27/1421 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/02245 ,  Y02E10/50

摘要： A photovoltaic module comprises a back substrate having a plurality of conductive interconnects on top thereof. A conductive interconnect includes a first contact region and a second contact region. The photovoltaic module further comprises a plurality of photovoltaic cells comprising front electrodes disposed on a front surface of a photovoltaic layer on top of back electrodes on top of a support substrate. A plurality of back vias extending through the support substrate of a first cell form an electrical contact between the back electrodes and the second contact region, and a plurality of front vias extending through the support substrate, the back electrodes and the photovoltaic layer of a second cell form an electrical contact between the front electrodes and the first contact region, and is insulated from an electrical contact with the back electrodes and a P side of the photovoltaic layer.

摘要翻译： 光伏模块包括在其顶部上具有多个导电互连的背面基板。 导电互连件包括第一接触区域和第二接触区域。 所述光伏模块还包括多个光伏电池，所述光伏电池包括设置在支撑基板顶部上的背电极顶部上的光伏层的前表面上的前电极。 延伸穿过第一单元的支撑基板的多个后过孔在后电极和第二接触区域之间形成电接触，以及延伸穿过支撑基板的多个前过孔，背电极和第二 单元在前电极和第一接触区域之间形成电接触，并且与与后电极和光电层的P侧的电接触绝缘。

公开(公告)号：WO2017063461A1

公开(公告)日：2017-04-20

申请号：PCT/CN2016/097759

申请日：2016-09-01

申请人： 天津三安光电有限公司

发明人： 熊伟平 ,  毕京锋 ,  陈文浚 ,  刘冠洲 ,  杨美佳 ,  李明阳 ,  吴超瑜 ,  王笃祥

IPC分类号： H01L27/142 ,  H01L31/0224 ,  H01L21/82

CPC分类号： H01L31/0443 ,  H01L21/82 ,  H01L27/1421 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/022433 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/048 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/1892 ,  H01L31/1896 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

摘要： 提供一种集成旁路二极管的倒装多结太阳电池芯片及其制备方法，该芯片自上而下包含：玻璃盖片（015）；透明粘接层（014）；正面电极（012）；n/p光电转换层（002）；p/n隧穿结（003）；n/p旁路二极管结构层（004，005），其p型层（005）被部分蚀刻，露出部分n型层（004）；第一背面电极（006），覆盖但不超出所述的旁路二极管p型层（005）；第二背面电极（007），覆盖但不超出露出的旁路二极管n型层（005）；所述太阳电池芯片包括至少一通孔（010），其贯穿所述n/p光电转换层（002）、p/n隧穿结（003）、n/p旁路二极管结构层（004，005），通孔内壁沉积电绝缘层，通孔内填充金属（013），连接所述的正面电极（012）与第一背面电极（006）。本方案不占用电池芯片有效受光面积，实现了无衬底超薄电池，大幅改善电池散热，同时由于极轻的重量使得其在空间电源应用中具备突出优势。

公开(公告)号：WO2016184840A3

公开(公告)日：2017-02-02

申请号：PCT/EP2016060989

申请日：2016-05-17

申请人： INST FÜR SOLARENERGIEFORSCHUNG GMBH

发明人： PEIBST ROBBY ,  RÖMER UDO

IPC分类号： H01L31/068 ,  H01L21/316 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/1804 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/0682 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： The invention relates to a method for producing a solar cell (1), comprising the steps of: (a) providing a silicon substrate (3); (b) producing a boundary surface dielectric layer (5) on a surface of the silicon substrate (3); (c) depositing a silicon layer (7) consisting of amorphous or polycrystalline silicon onto said boundary surface dielectric layer (5), wherein the silicon layer (7) comprises laterally adjoining p-type doped regions (9) and n-type doped regions (11); (d) oxidising the silicon layer (7) in a locally delimited manner in intermediate regions (19) between adjoining p-type doped regions (9) and n-type doped regions (11); and (e) producing p-contacts (31) in contact with the p-type doped regions (9) of the silicon layer (7), and n-contacts (33) in contact with the n-type doped regions (11) of the silicon layer (7). Said locally-delimited oxidation allows the adjoining p-type doped regions (9) and n-type doped regions (11) to be electrically separated from one another, while simultaneously obtaining a good degree of passivation.

摘要翻译： 描述了一种用于制造太阳能电池（1），包括以下步骤的方法：（a）提供一个硅（3）基片; （b）形成在硅衬底（3）的表面上的界面电介质层（5）; （C）在沉积所述层间介质层（5）上由非晶硅或多晶硅的硅层（7），其中，所述硅层（7）横向地彼此相邻的p型掺杂区（9）和n型掺杂区（11 ）包括; （D）局部受限的硅层（7）的部分氧化，在相邻的p型掺杂区（9）和n型掺杂区之间的中间区域（19）（11）; （E）产生p接触（31），其接触所述p-型掺杂区（9）的所述n型掺杂区的硅层（7），和正触点（33）（11）的 接触硅层（7）。 通过局部的部分氧化，相邻的p型掺杂区可以（9）和n型掺杂区（11）电彼此分离，并且同时实现良好的钝化。