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    SOLAR CELL WITH DOPED POLYSILICON SURFACE AREAS AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF
    1.
    发明申请
    SOLAR CELL WITH DOPED POLYSILICON SURFACE AREAS AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF 审中-公开
    具有掺杂多晶硅表面区域的太阳能电池及其制造方法

    公开(公告)号：WO2017155393A1

    公开(公告)日：2017-09-14

    申请号：PCT/NL2017/050138

    申请日：2017-03-07

    Applicant: STICHTING ENERGIEONDERZOEK CENTRUM NEDERLAND

    Inventor： GEERLIGS, Lambert Johan ,  BRONSVELD, Paula Catharina Petronella ,  WU, Yu

    IPC: H01L31/0368 ,  H01L31/068 ,  H01L31/072 ,  H01L31/18

    CPC classification number: H01L31/182 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/072 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

    Abstract: A method for manufacturing a front floating emitter type solar cell includes providing a silicon substrate (10) of a first or second conductivity type with a front surface (13) and a rear surface (11); creating a tunneling oxide layer (12) on the rear surface of the silicon substrate; depositing a polysilicon layer (14) on at least the rear surface; creating a doped area of the first conductivity type in an area part of the polysilicon layer on the rear surface; forming in or on the front surface a doped layer (23) of the second conductivity type opposite to the first conductivity type. In the area part of the polysilicon layer on the rear surface, a concentration of the impurity of the first conductivity type is larger than a concentration of the impurity of the second conductivity type, and the area part of the polysilicon layer on the rear surface has conductivity of the first conductivity type.

    Abstract translation: 一种用于制造前浮式发射体型太阳能电池的方法，包括：提供具有前表面（13）和后表面（11）的第一导电类型或第二导电类型的硅衬底（10）; 在硅衬底的后表面上形成隧穿氧化物层（12） 在至少所述后表面上沉积多晶硅层（14）; 在后表面上的多晶硅层的区域部分中产生第一导电类型的掺杂区域; 在前表面中或上形成与第一导电类型相反的第二导电类型的掺杂层（23）。 在后表面上的多晶硅层的区域部分中，第一导电类型的杂质的浓度大于第二导电类型的杂质的浓度，并且后表面上的多晶硅层的面积部分具有 第一种导电类型的导电性。

    SOLAR CELL FABRICATED BY SIMPLIFIED DEPOSITION PROCESS
    4.
    发明申请
    SOLAR CELL FABRICATED BY SIMPLIFIED DEPOSITION PROCESS 审中-公开
    通过简化沉积工艺制成的太阳能电池

    公开(公告)号：WO2016049091A1

    公开(公告)日：2016-03-31

    申请号：PCT/US2015/051561

    申请日：2015-09-22

    Applicant: SUNPOWER CORPORATION ,  TOTAL MARKETING SERVICES

    Inventor： RIM, Seung Bum ,  MOORS, Matthieu

    IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/04

    CPC classification number: H01L31/0682 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/022458 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/182 ,  H01L31/1892 ,  Y02E10/50 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

    Abstract: Methods of fabricating solar cells using simplified deposition processes, and the resulting solar cells, are described. In an example, a method of fabricating a solar cell involves loading a template substrate into a deposition chamber and, without removing the template substrate from the deposition chamber, performing a deposition method. The deposition method involves forming a first silicon layer on the template substrate, the first silicon layer of a first conductivity type. The deposition method also involves forming a second silicon layer on the first silicon layer, the second silicon layer of the first conductivity type. The deposition method also involves forming a third silicon layer above the second silicon layer, the third silicon layer of a second conductivity type. The deposition method also involves forming a solid state doping layer on the third silicon layer, the solid state doping layer of the first conductivity type.

    Abstract translation: 描述了使用简化的沉积工艺制造太阳能电池的方法，以及所得到的太阳能电池。 在一个实例中，制造太阳能电池的方法包括将模板衬底加载到沉积室中，并且不从沉积室移除模板衬底，执行沉积方法。 沉积方法包括在模板衬底上形成第一硅层，第一导电类型的第一硅层。 沉积方法还包括在第一硅层上形成第二硅层，第二硅层为第一导电类型。 沉积方法还涉及在第二硅层上方形成第三硅层，第二导电类型的第三硅层。 沉积方法还涉及在第三硅层上形成固态掺杂层，即第一导电类型的固态掺杂层。

    RÜCKSEITENKONTAKTIERTE Si-DÜNNSCHICHT-SOLARZELLE
    5.
    发明申请
    RÜCKSEITENKONTAKTIERTE Si-DÜNNSCHICHT-SOLARZELLE 审中-公开
    背接触硅薄膜太阳能电池

    公开(公告)号：WO2015131881A2

    公开(公告)日：2015-09-11

    申请号：PCT/DE2015/100085

    申请日：2015-03-04

    Applicant: HELMHOLTZ-ZENTRUM FÜR MATERIALIEN UND ENERGIE GMBH

    Inventor： AMKREUTZ, Daniel ,  HASCHKE, Jan ,  RECH, Bernd

    IPC: H01L31/0392

    CPC classification number: H01L31/03921 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/0445 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/182 ,  H01L31/1824 ,  H01L31/1868 ,  H01L31/1872 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/546 ,  Y02P70/521

    Abstract: Bei einer rückseitenkontaktierten Si-Dünnschicht-Solarzelle, mindestens aufweisend eine kristalline Si-Absorberschicht sowie eine auf der kristallinen Si-Absorberschicht angeordnete Emitterschicht aus Halbleitermaterialien gegensätzlicher p- und n-Typ Dotierung, ist auf einem Glassubstrat eine Barriereschicht gebildet, die eine Schichtdicke im Bereich von 50 nm bis 1 μm aufweist, ist auf der Barriereschicht mindestens eine die optischen Eigenschaften verbessernde Schicht mit einer Schichtdicke von 40 nm bis 250 nm angeordnet, auf der eine 0,5 nm bis 20 nm dünne Silizium und/oder Sauerstoff enthaltende Schicht angeordnet ist, wobei die kristalline Si-Absorberschicht herstellbar ist durch eine Flüssigphasenkristallisation und n-leitend ist, eine Schichtdicke zwischen 200 nm und 40 μm mit einer homogenen Dotierung zwischen 2⋅10 15 cm -3 bis 5⋅10 18 cm -3 über die gesamte Dicke sowie monokristalline Si-Körner aufweist, die in ihrer Ausdehnung mindestens so groß sind wie die Dicke der Absorberschicht, und zwischen der Silizium und/oder Sauerstoff enthaltenden Schicht und der Si-Absorberschicht eine SiO 2 -Passivierschicht während der Flüssigphasenkristallisation ausgebildet ist.

    Abstract translation: 在背接触硅薄膜太阳能电池，其至少包括一个结晶Si吸收层和一个设置在由相对的p型和n型掺杂的半导体材料的结晶硅吸收体层发射极层上，形成在玻璃基板上的阻挡层，在所述范围内的层厚度 从50纳米至1微米的具有被布置在势垒层中的至少一个光学特性改善为40nm至250nm的层厚度层，被设置在0.5至20nm薄的硅和/或含氧层上 其中，所述结晶Si吸收层可以通过液相结晶来制备和n型导电性是35⋅1018cm200纳米和40微米与2⋅1015cm-3之间的均匀的掺杂之间的层厚度，以在整个厚度和单晶硅 粒，其至少一样大的程度的厚度d 它已液相结晶吸收层期间形成在SiO 2钝化层，并且硅和/或氧层和Si吸收层之间含有。

    BARRIER-LESS METAL SEED STACK AND CONTACT
    6.
    发明申请
    BARRIER-LESS METAL SEED STACK AND CONTACT 审中-公开
    无障碍金属堆叠和联系

    公开(公告)号：WO2015095620A1

    公开(公告)日：2015-06-25

    申请号：PCT/US2014/071320

    申请日：2014-12-18

    Applicant: SUNPOWER CORPORATION

    Inventor： AGRAWAL, Mukul ,  RIM, Seung ,  CUDZINOVIC, Michael

    IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/18

    CPC classification number: H01L31/02008 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/0747 ,  Y02E10/547

    Abstract: Approaches for forming barrier-less seed stacks and contacts are described. In an example, a solar cell includes a substrate and a conductive contact disposed on the substrate. The conductive contact includes a copper layer directly contacting the substrate. In another example, a solar cell includes a substrate and a seed layer disposed directly on the substrate. The seed layer consists essentially of one or more non-diffusion-barrier metal layers. A conductive contact includes a copper layer disposed directly on the seed layer. An exemplary method of fabricating a solar cell involves providing a substrate, and forming a seed layer over the substrate. The seed layer includes one or more non-diffusion-barrier metal layers. The method further involves forming a conductive contact for the solar cell from the seed layer.

    Abstract translation: 描述了形成无障碍种子堆叠和接触的方法。 在一个示例中，太阳能电池包括设置在基板上的基板和导电触头。 导电接触包括直接接触基底的铜层。 在另一示例中，太阳能电池包括基板和直接设置在基板上的籽晶层。 种子层基本上由一个或多个非扩散阻挡金属层组成。 导电接触包括直接设置在籽晶层上的铜层。 制造太阳能电池的示例性方法包括提供衬底，并在衬底上形成晶种层。 种子层包括一个或多个非扩散阻挡金属层。 该方法还包括从种子层形成用于太阳能电池的导电接触。

    SOLAR CELL EMITTER REGION FABRICATION USING SELF-ALIGNED IMPLANT AND CAP
    7.
    发明申请
    SOLAR CELL EMITTER REGION FABRICATION USING SELF-ALIGNED IMPLANT AND CAP 审中-公开
    太阳能电池发射极区域使用自对准的植入物和盖

    公开(公告)号：WO2015088782A1

    公开(公告)日：2015-06-18

    申请号：PCT/US2014/067497

    申请日：2014-11-25

    Applicant: SUNPOWER CORPORATION

    Inventor： WEIDMAN, Timothy

    IPC: H01L31/18 ,  H01L31/04

    CPC classification number: H01L31/022433 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/028 ,  H01L31/035272 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/04 ,  H01L31/068 ,  H01L31/182 ,  H01L31/1876 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

    Abstract: Methods of fabricating solar cell emitter regions using self-aligned implant and cap, and the resulting solar cells, are described. In an example, a method of fabricating an emitter region of a solar cell involves forming a silicon layer above a substrate. The method also involves implanting, through a stencil mask, dopant impurity atoms in the silicon layer to form implanted regions of the silicon layer with adjacent non-implanted regions. The method also involves forming, through the stencil mask, a capping layer on and substantially in alignment with the implanted regions of the silicon layer. The method also involves removing the non-implanted regions of the silicon layer, wherein the capping layer protects the implanted regions of the silicon layer during the removing. The method also involves annealing the implanted regions of the silicon layer to form doped polycrystalline silicon emitter regions.

    Abstract translation: 描述了使用自对准植入物和盖子制造太阳能电池发射极区域的方法，以及所得到的太阳能电池。 在一个实例中，制造太阳能电池的发射极区域的方法包括在衬底上形成硅层。 该方法还涉及通过模板掩模注入硅层中的掺杂剂杂质原子以形成具有相邻非注入区域的硅层的注入区域。 该方法还涉及通过模板掩模形成在硅层的注入区域上并基本上与硅层的注入区域基本上对准的覆盖层。 该方法还涉及去除硅层的非注入区域，其中封盖层在去除期间保护硅层的注入区域。 该方法还包括退火硅层的注入区域以形成掺杂的多晶硅发射极区域。

    HYBRID EMITTER ALL BACK CONTACT SOLAR CELL
    9.
    发明申请
    HYBRID EMITTER ALL BACK CONTACT SOLAR CELL 审中-公开
    混合发射器全部返回联系太阳能电池

    公开(公告)号：WO2014100004A1

    公开(公告)日：2014-06-26

    申请号：PCT/US2013/075808

    申请日：2013-12-17

    Applicant: SUNPOWER CORPORATION

    Inventor： LOSCUTOFF, Paul ,  RIM, Seung

    IPC: H01L31/12

    CPC classification number: H01L31/182 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/022458 ,  H01L31/028 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/50 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/547

    Abstract: An all back contact solar cell has a hybrid emitter design. The solar cell has a thin dielectric layer (102) formed on a backside surface of a single crystalline silicon substrate (101). One emitter (103) of the solar cell is made of doped polycrystalline silicon that is formed on the thin dielectric layer (102). The other emitter (108) of the solar cell is formed in the single crystalline silicon substrate (101) and is made of doped single crystalline silicon. The solar cell includes contact holes that allow metal contacts (107) to connect to corresponding emitters (108, 103).

    Abstract translation: 全背接触太阳能电池具有混合发射极设计。 太阳能电池具有形成在单晶硅衬底（101）的背面上的薄介电层（102）。 太阳能电池的一个发射极（103）由形成在薄介电层（102）上的掺杂多晶硅制成。 太阳能电池的另一个发射极（108）形成在单晶硅衬底（101）中，并由掺杂的单晶硅制成。 太阳能电池包括允许金属触点（107）连接到相应的发射器（108,103）的接触孔。

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