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公开(公告)号：WO2020241346A1
公开(公告)日：2020-12-03
申请号：PCT/JP2020/019610
申请日：2020-05-18
Applicant: ローム株式会社
Abstract: 半導体装置は、主面を有する導電部と、前記主面に搭載された半導体素子と、前記導電部と前記半導体素子との間に介在し、前記導電部と前記半導体素子とを導通接合させる導電性接合材と、を備える。前記導電性接合材は、金属基層と、第１接合層と、第２接合層とを含む。前記第１接合層は、前記金属基層と前記半導体素子との間に介在し、金属の固相拡散により前記半導体素子と接合されている。前記第２接合層は、前記金属基層と前記導電部との間に介在し、金属の固相拡散により前記導電部と接合されている。
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公开(公告)号：WO2020153190A1
公开(公告)日：2020-07-30
申请号：PCT/JP2020/001046
申请日：2020-01-15
Applicant: ローム株式会社
Inventor： 澤田 秀喜
Abstract: 半導体モジュールＡ１は、複数の半導体素子４０、複数の入出力端子３Ａ、複数の制御端子３Ｂおよび複数の半導体素子４０を覆う封止樹脂６０を有する半導体装置Ｂ１と、第１基板７と、第１基板７に固定され且つ制御端子３Ｂと接続する第１コネクタ８とを備える。第１コネクタ８は、第１基板７の厚さ方向であるｚ方向と直角であって互いに平行であるｘ方向およびｙ方向の少なくともいずれかにおいて制御端子３Ｂが相対動することを許容する。このような構成により、端子接続の容易化とより確実な導通とを図ることができる。
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公开(公告)号：WO2020137967A1
公开(公告)日：2020-07-02
申请号：PCT/JP2019/050333
申请日：2019-12-23
Applicant: ローム株式会社
Inventor： 齊藤 弘治
Abstract: 光学センサ（１００）は、第１波長帯域の光を受光することに応答して光電流が流れる第１受光部（１２０Ｃ）と、第２波長帯域の光を受光することに応答して光電流が流れる第２受光部（１２０ＢＫ）と、第１受光部（１２０Ｃ）の光電流から得られる出力信号と、第２受光部（１２０ＢＫ）の光電流から得られる出力信号との差分とに基づいて、受光した光の強度を演算する演算部（１４０）とを備える。
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公开(公告)号：WO2020105476A1
公开(公告)日：2020-05-28
申请号：PCT/JP2019/043872
申请日：2019-11-08
Applicant: ローム株式会社
Inventor： 吉原 克彦
Abstract: 本開示の半導体装置Ａ１は、ｚ方向において互いに反対側を向く素子主面および素子裏面を有する半導体素子１０（半導体素子１０Ａ，１０Ｂ）と、半導体素子１０を支持する支持基板２０と、第１導電性接合材（ブロック接合材６１０，６２０）を介して素子主面に接合された導電ブロック６０（第１ブロック６１、第２ブロック６２）と、導電ブロック６０を介して半導体素子１０に導通する金属部材（リード部材４０、入力端子３２）と、を備えている。導電ブロック６０は、熱膨張係数が金属部材の熱膨張係数よりも小さい。導電ブロック６０と金属部材とは、導電ブロック６０の一部と金属部材の一部とが融接された溶接部（溶接部Ｍ４，Ｍ２）によって接合されている。このような構成により、熱サイクルに対する耐性の向上を図ることができる。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2020105429A1
公开(公告)日：2020-05-28
申请号：PCT/JP2019/043404
申请日：2019-11-06
Applicant: ローム株式会社
Inventor： 伊藤 和則
Abstract: 第１モードにおいて、第１フィードバックコントローラ１１０＿１は、第１フィードバックピンＦＢ１の信号にもとづいて第１制御信号Ｓ ＣＴＲＬ１ を生成し、第１プリドライバ１２０＿１を制御する。第２フィードバックコントローラ１１０＿２は、第２フィードバックピンＦＢ２の信号にもとづいて第２制御信号Ｓ ＣＴＲＬ２ を生成し、第２プリドライバ１２０＿２を制御する。第２モードにおいて、第１フィードバックコントローラ１１０＿１は、第１フィードバックピンＦＢ１の信号にもとづいて第１制御信号Ｓ ＣＴＲＬ１ を生成し、第１プリドライバ１２０＿１を制御する。第２プリドライバ１２０＿２は、第１回路ブロックＢＬＫ１からの第３制御信号Ｓ ＣＴＲＬ３ にもとづいて第２プリドライバ１２０＿２を駆動する。
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公开(公告)号：WO2020090923A1
公开(公告)日：2020-05-07
申请号：PCT/JP2019/042651
申请日：2019-10-30
Applicant: ローム株式会社
Abstract: 半導体装置は、バッテリ側の第１端子と、インバータ回路側の第２端子と、トランジスタと、を含む。半導体装置は、トランジスタの制御端子に印加する電圧を制御することにより第１端子から第２端子への電流の供給を許容し、かつ第２端子から第１端子への電流の供給を許容するように構成される。第１端子と第２端子との間の耐圧は、バッテリ電圧以上である。
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公开(公告)号：WO2020090551A1
公开(公告)日：2020-05-07
申请号：PCT/JP2019/041354
申请日：2019-10-21
Applicant: ローム株式会社
IPC: G05F1/56
Abstract: リニア電源回路は、入力電圧が印加される入力端と出力電圧が印加される出力端との間に設けられた出力トランジスタと、前記出力トランジスタを駆動するドライバと、前記出力端から出力される出力電流に関する情報を前記ドライバにフィードバックするフィードバック部と、を備える。前記ドライバは、前記出力電圧に基づく電圧と基準電圧との差、及び、前記情報に基づいて前記出力トランジスタを駆動する。
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公开(公告)号：WO2020080476A1
公开(公告)日：2020-04-23
申请号：PCT/JP2019/040942
申请日：2019-10-17
Applicant: ローム株式会社
Inventor： 梅木 真也
IPC: H01L29/739 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L29/868
Abstract: 半導体装置は、一方側の第１主面および他方側の第２主面を有し、アクティブ領域を含む半導体層と、前記アクティブ領域に形成された複数のＩＧＢＴ領域と、複数の前記ＩＧＢＴ領域に隣り合うように前記アクティブ領域に形成された複数のダイオード領域と、を含み、複数の前記ＩＧＢＴ領域および複数の前記ダイオード領域の間の境界線の総延長をＬで表し、複数の前記ダイオード領域の総面積をＳＤで表し、前記アクティブ領域に対する複数の前記ダイオード領域の分散度をＬｏｇ ｅ （Ｌ ２ ／ＳＤ）の式で定義したとき、前記分散度が、２以上１５以下である。
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公开(公告)号：WO2020071185A1
公开(公告)日：2020-04-09
申请号：PCT/JP2019/037446
申请日：2019-09-25
Applicant: ローム株式会社
Inventor： 畑野 舞子
Abstract: 本開示の半導体装置Ａ１は、素子主面１０１および素子裏面１０２を有しており、素子主面１０１に主面電極１１および素子裏面１０２に裏面電極１２が形成された半導体素子１０Ａと、素子裏面１０２に対向する主面２２１Ａを有しており、裏面電極１２が導通接合された導電性基板２２Ａと、主面２２１Ｂを有しており、幅方向ｘにおいて導電性基板２２Ａと離間して配置された導電性基板２２Ｂと、幅方向ｘに延びており、主面電極１１と導電性基板２２Ｂとを導通接続するリード部材５１と、を備えている。リード部材５１は、主面２２１Ｂよりも主面２２１Ｂが向く方向に配置され、かつ、リード接合層３２を介して主面電極１１に接合されている。導電性基板２２Ａ、半導体素子１０Ａ、および、リード接合層３２は、幅方向ｘに見て、導電性基板２２Ｂに重なる。このような構成により、信頼性が低下することを抑制することができる。
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