公开(公告)号：WO2013045872A1

公开(公告)日：2013-04-04

申请号：PCT/GB2012/000738

申请日：2012-09-24

Applicant: THE SECRETARY OF STATE FOR DEFENCE

Inventor： BURGESS, Christopher, David

IPC: H01L27/148

CPC classification number: H01L27/14887 ,  H01L27/14806 ,  H01L27/14831

Abstract: An imaging sensor of the charge transfer type that limits the transmission of radiation from high intensity light sources. The invention addresses potential saturation levels during exposure or stare time and so saturation is never achieved, this provides for a wider dynamic range.

Abstract translation: 电荷转移型的成像传感器限制了来自高强度光源的辐射传播。 本发明解决了曝光或凝视时间期间的潜在饱和度水平，因此从未实现饱和，这提供了更广泛的动态范围。

公开(公告)号：WO2010087279A1

公开(公告)日：2010-08-05

申请号：PCT/JP2010/050778

申请日：2010-01-22

Applicant: 浜松ホトニクス株式会社 ,  鈴木 久則 ,  米田 康人 ,  ▲高▼木 慎一郎 ,  前田 堅太郎 ,  村松 雅治

Inventor： 鈴木　久則 ,  米田　康人 ,  ▲高▼木　慎一郎 ,  前田　堅太郎 ,  村松　雅治

IPC: H01L27/148 ,  H04N5/335

CPC classification number: H04N5/37213 ,  H01L27/14806 ,  H01L27/14887 ,  H01L29/76816 ,  H04N5/3725

Abstract: 　一実施形態の固体撮像装置は、撮像領域、出力レジスタ、コーナーレジスタ、増倍レジスタ、第１のアンプ、第２のアンプ、及びバルブゲート電極を備えている。出力レジスタは、撮像領域から転送される電荷を受けて当該電荷を転送する転送レジスタである。出力レジスタは、一方向と当該一方向と逆の他方向とに選択的に電荷を転送可能である。コーナーレジスタは、出力レジスタから一方向に転送される電荷を転送する。増倍レジスタは、コーナーレジスタからの電荷を受けて増倍された電荷を生成しつつ転送する。第１のアンプは、増倍レジスタからの増倍された電荷に基づく信号を生成する。第２のアンプは、出力レジスタによって他方向に転送される電荷に基づく信号を生成する。バルブゲート電極は、出力レジスタとコーナーレジスタとの間での電荷の転送を妨げるための電極である。

Abstract translation: 固态成像装置设置有成像区域，输出寄存器，角落寄存器，乘法器寄存器，第一放大器，第二放大器和阀门电极。 输出寄存器是用于接收从成像区域传送的电荷并传送电荷的传送寄存器。 输出寄存器能够沿一个方向和与该方向相反的另一个方向选择性地传送电荷。 转角寄存器将从一个方向传输的电荷从输出寄存器传送。 乘法器寄存器响应于来自转角寄存器的电荷产生并传送相乘的电荷。 第一放大器基于来自乘法器寄存器的乘法电荷产生信号。 第二放大器基于通过输出寄存器在另一个方向上传送的电荷产生信号。 阀门电极是用于防止在输出寄存器和转角寄存器之间转移电荷的电极。

公开(公告)号：WO2008081997A2

公开(公告)日：2008-07-10

申请号：PCT/JP2007/075413

申请日：2007-12-27

Applicant: MATSUSHITA ELECTRIC WORKS, LTD. ,  HASHIMOTO, Yusuke ,  TSUNESADA, Fumi ,  IMAI, Kenji ,  TAKADA, Yuji

Inventor： HASHIMOTO, Yusuke ,  TSUNESADA, Fumi ,  IMAI, Kenji ,  TAKADA, Yuji

IPC: H01L27/148

CPC classification number: H01L27/14887 ,  H01L27/14812

Abstract: A photodetector capable of improving dynamic range for input signals is provided. This photodetector includes a photoelectric converting portion, a charge separating portion, a charge accumulating portion, a barrier electrode formed the charge separating portion and the charge accumulating portion, and a barrier-height adjusting portion electrically connected to the barrier electrode. Undesired electric charges such as generated when environment light is incident on the photoelectric converting portion are removed by the charge separating portion. A potential barrier with an appropriate height is formed under the barrier electrode by applying a voltage to the barrier electrode according to an electric charge amount supplied from the charge separating portion to the barrier-height adjusting portion. Electric charges flowing from the charge separating portion into the charge accumulating portion over the potential barrier are provided as an output of the photodetector.

Abstract translation: 提供能够改善输入信号的动态范围的光检测器。 该光检测器包括光电转换部分，电荷分离部分，电荷累积部分，形成电荷分离部分和电荷累积部分的势垒电极，以及与阻挡电极电连接的势垒高度调节部分。 当环境光入射到光电转换部分时产生的不期望的电荷被电荷分离部分除去。 通过根据从电荷分离部向阻挡高度调节部供给的电荷量向阻挡电极施加电压，在阻挡电极下形成具有适当高度的势垒。 作为光电检测器的输出，提供从电荷分离部分流过势垒上的电荷累积部分的电荷。

公开(公告)号：WO01048826A1

公开(公告)日：2001-07-05

申请号：PCT/JP2000/009140

申请日：2000-12-22

IPC: H01L27/148 ,  G01J1/02 ,  H01L31/115 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14887 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14806

Abstract: A semiconductor energy sensor having regions for sensing energy and storing/transferring charge having a two-dimensional pixel array on a semiconductor substrate which an energy beam enters, characterized in that each of the regions is provided with transfer electrodes in each pixel and excess charge dumping means provided to one of the transfer electrodes in each pixel.

Abstract translation: 一种半导体能量传感器，具有用于感测能量并且在能量束进入的半导体衬底上存储/转移具有二维像素阵列的电荷的区域，其特征在于，每个区域在每个像素中设置有转移电极，并且过量电荷倾倒 提供给每个像素中的一个传输电极的装置。

公开(公告)号：WO1991006124A1

公开(公告)日：1991-05-02

申请号：PCT/US1990005496

申请日：1990-10-01

Applicant: EASTMAN KODAK COMPANY

Inventor： EASTMAN KODAK COMPANY ,  STEVENS, Eric, Gordon

IPC: H01L27/148

CPC classification number: H01L27/14887 ,  H01L27/14831

Abstract: A solid-state image sensor comprises a plurality of photodetectors (16) in a substrate (12) of a semiconductor material at a major surface (14) of the substrate and arranged in an array of rows and columns. A separate shift register (18), such as a CCD shift register, is in the substrate (12) and extends along each column of the photodetectors (16). Transfer gates (42) are provided to selectively transfer charge carriers from the photodetectors (16) to their adjacent shift register (18). A separate drain region (32) is provided in the substrate (12) at the major surface (14) adjacent each photodetector (16) and between adjacent photodetectors (16) in each column. A virtual barrier region (34) is provided across an edge of each photodetector (16) between the photodetector (16) and its adjacent drain region (32). A gate (24) is provided across the space between adjacent photodetectors (16) in each column for selectively allowing charge carriers in each photodetector (16) to be transferred to the drain (20) of the adjacent photodetector (16) to allow the photodetector (16) to be reset and thereby control the exposure time of the photodetectors (16). The drain region (32) serves as an anti-blooming drain for its adjacent photodetector (16) as well as a drain for resetting the photodetectors (16).

公开(公告)号：WO1983003031A1

公开(公告)日：1983-09-01

申请号：PCT/JP1983000040

申请日：1983-02-10

Applicant: SONY CORPORATION ,  TAKESHITA, Kaneyoshi

Inventor： SONY CORPORATION

IPC: H01L27/14

CPC classification number: H01L27/14887 ,  H01L27/14831

Abstract: Dispositif de prise de vues à semiconducteurs possédant un élément de prise de vues à semiconducteurs du type à transfert interligne muni d'une unité de photodétection à transfert vertical pourvu d'un photodétecteur (1), d'une porte de lecture (6) et d'une unité de transfert vertical (2), le photodétecteur (1) et l'unité de transfert (2) étant formés sans être couverts par une unité (11) de protection contre la lumière. Un mécanisme obturateur est ouvert lorsque la lumière est reçue par l'élément lorsque la relation Pr

公开(公告)号：WO2011053485A1

公开(公告)日：2011-05-05

申请号：PCT/US2010/053192

申请日：2010-10-19

Applicant: EASTMAN KODAK COMPANY ,  WANG, Shen ,  LIU, Xueyuan

Inventor： WANG, Shen ,  LIU, Xueyuan

IPC: H01L27/148

CPC classification number: H01L27/14887

Abstract: A charge- coupled device (CCD) image sensor (300) includes a layer of a semiconductor material having a first conductivity type. A horizontal CCD channel region (312) of a second conductivity type is disposed in the layer of the semiconductor material. The horizontal CCD channel region includes multiple gates (314, 316, 318, 320) each gate being disposed over a phase, the phases3 being used to shift photo -generated charge through the horizontal CCD channel region. Distinct overflow drain regions (326) are disposed in the layer of semiconducting material, with an overflow drain region electrically connected to only one particular phase of the horizontal CCD channel region.

Abstract translation: 电荷耦合器件（CCD）图像传感器（300）包括具有第一导电类型的半导体材料层。 第二导电类型的水平CCD通道区域（312）设置在半导体材料的层中。 水平CCD通道区域包括多个栅极（314,316,318,320），每个栅极设置在相位之上，相位3用于将光生电荷移动通过水平CCD通道区域。 不同的溢出漏极区域（326）设置在半导体材料层中，其中溢出漏极区域仅电连接到水平CCD沟道区域的一个特定相位。

公开(公告)号：WO2010137232A1

公开(公告)日：2010-12-02

申请号：PCT/JP2010/002860

申请日：2010-04-21

Applicant: パナソニック株式会社 ,  加藤良章 ,  須藤実 ,  藤田武 ,  中谷康祐 ,  河野明啓

Inventor： 加藤良章 ,  須藤実 ,  藤田武 ,  中谷康祐 ,  河野明啓

IPC: H04N5/335 ,  H01L27/148

CPC classification number: H04N5/3559 ,  H01L27/14887 ,  H04N5/3592 ,  H04N5/3728

Abstract: 微少信号を取り扱うときの転送効率を向上させ、高感度での画質を改善した固体撮像装置を提供する。その固体撮像装置は、オーバーフロードレイン機能を持つ複数のフォトダイオード(１)と、フォトダイオード(１)からの信号電荷を垂直方向に転送する垂直転送部(２)と、転送されてきた信号電荷を水平方向へ転送する水平転送部(４)と、垂直転送部(２)を構成する転送電極に印加する駆動パルスと基板に印加する電圧またはパルスを制御するタイミング発生回路(５８)とを備え、タイミング発生回路(５８)は、「高感度スチルモード」では、信号電荷を転送または保持する垂直転送部(２)の転送容量が、信号電荷を垂直方向に転送している期間、または、水平方向に転送している期間において、「通常スチルモード」時における転送容量より小さくなり、フォトダイオード(１)から垂直転送部(２)への読み出し期間において、「通常スチルモード」時における転送容量と同等の容量となるように、制御する。

Abstract translation: 提供了一种固态图像拾取装置，其在小信号被处理时实现传输效率的提高以及高灵敏度图像质量的提高。 固态摄像装置具有多个具有溢出漏极功能的光电二极管（1），用于在垂直方向上传输来自光电二极管（1）的信号电荷的垂直传送单元（2），水平传送 用于在水平方向传送传送信号电荷的单元（4），以及用于控制施加到构成垂直传送单元（2）的传送电极的驱动脉冲和电压或脉冲的定时产生电路（58） 施加到基板，其中定时生成电路（58）进行控制，使得在“高灵敏度静止模式”中，用于传送或保持信号电荷的垂直传送单元（2）的传送容量小于传送 在信号电荷沿垂直方向传送或在水平方向上传送的时段中的“正常静止模式”的容量，等于其中的传送容量 在从光电二极管（1）读取到垂直传送单元（2）的期间中的“正常静止模式”。

公开(公告)号：WO2010068252A1

公开(公告)日：2010-06-17

申请号：PCT/US2009/006415

申请日：2009-12-07

Applicant: EASTMAN KODAK COMPANY ,  BANGHART, Edmund, Kenneth ,  STEVENS, Eric, Gordon ,  DOAN, Hung Quoc

Inventor： BANGHART, Edmund, Kenneth ,  STEVENS, Eric, Gordon ,  DOAN, Hung Quoc

IPC: H01L27/148

CPC classification number: H01L27/14887

Abstract: A lateral overflow drain (610) and a channel stop (608) are fabricated using a double mask process (1300, 1500). Each lateral overflow drain is formed within a respective channel stop. Due to the use of two mask layers, one edge of each lateral overflow drain is aligned with an edge of a respective channel stop.

Abstract translation: 使用双掩模工艺（1300,1500）制造横向溢流漏斗（610）和通道停止件（608）。 每个横向溢流排水口形成在相应的通道停止件内。 由于使用两个掩模层，每个横向溢流漏斗的一个边缘与相应的通道挡块的边缘对准。

公开(公告)号：WO2010068244A1

公开(公告)日：2010-06-17

申请号：PCT/US2009/006283

申请日：2009-11-25

Applicant: EASTMAN KODAK COMPANY ,  BANGHART, Edmund, Kenneth ,  STEVENS, Eric, Gordon ,  DOAN, Hung, Quoc

Inventor： BANGHART, Edmund, Kenneth ,  STEVENS, Eric, Gordon ,  DOAN, Hung, Quoc

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/148

CPC classification number: H01L27/14689 ,  H01L27/14674 ,  H01L27/14887

Abstract: A lateral overflow drain and a channel stop are fabricated using a double mask process. Each lateral overflow drain is formed within a respective channel stop. Due to the use of two mask layers, one edge of each lateral overflow drain is aligned, or substantially aligned, with an edge of a respective channel stop.

Abstract translation: 使用双掩模工艺制造横向溢流漏斗和通道停止。 每个横向溢流排水口形成在相应的通道停止件内。 由于使用两个掩模层，每个横向溢出漏极的一个边缘与相应的通道停止件的边缘对准或基本对准。