公开(公告)号：WO2016009942A1

公开(公告)日：2016-01-21

申请号：PCT/JP2015/069775

申请日：2015-07-09

Applicant: ブリルニクスジャパン株式会社

Inventor： 高柳　功 ,  田中　俊介 ,  盛　一也 ,  有吉　勝彦 ,  松尾　慎一郎

IPC: H04N5/372 ,  H01L27/14 ,  H01L27/148 ,  H04N5/369

CPC classification number: H01L27/14887 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/1469 ,  H01L27/14818 ,  H01L27/1485 ,  H04N5/374 ,  H04N5/378

Abstract: 　固体撮像装置１００は、行列状に配置された複数の光電変換素子の信号電荷を列単位で転送する複数の電荷転送部を含む感光部２１０と、電荷転送部を転送された信号電荷を電気信号に変換して出力する変換出力部２２０と、変換出力部による電気信号に対して所定の処理を行う周辺回路部３００と、変換出力部による電気信号の周辺回路部への転送を中継する中継部２３０と、感光部および変換出力部が形成された第１の基板１１０と、周辺回路部が形成された第２の基板１２０と、を有し、第１の基板と第２の基板は積層され、中継部２３０は、第１の基板に形成された変換出力部と第２の基板に形成された周辺回路部とを、感光部の感光領域外で基板を通した接続部により電気的に接続している。

Abstract translation: 这种固态成像装置100具有：光接收单元210，其包含以列为单位传送以矩阵形式布置的多个光电转换元件的信号电荷的多个电荷转移单元; 转换/输出单元220，其将电荷转移单元转发的信号转换成电信号; 对来自转换/输出单元的电信号执行预定处理的外围电路单元300; 中继单元230，其将来自转换/输出单元的电信号的转发中继到外围电路单元; 形成有感光单元和转换/输出单元的第一基板110; 以及形成外围电路单元的第二基板120。 第一基板和第二基板被层叠在一起，并且继电器单元230通过在光敏单元的光敏区域外部通过基板的连接部分将形成在第一基板处的转换/输出单元电连接到 所述外围电路单元形成在所述第二基板处。

公开(公告)号：WO2010087366A1

公开(公告)日：2010-08-05

申请号：PCT/JP2010/051037

申请日：2010-01-27

Applicant: 浜松ホトニクス株式会社 ,  鈴木 久則 ,  米田 康人 ,  ▲高▼木 慎一郎 ,  前田 堅太郎 ,  村松 雅治

Inventor： 鈴木　久則 ,  米田　康人 ,  ▲高▼木　慎一郎 ,  前田　堅太郎 ,  村松　雅治

IPC: H01L27/148 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14887 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14812 ,  H01L27/1485 ,  H01L29/76816

Abstract: 　この電子増倍機能内蔵型の固体撮像素子においては、増倍レジスタＥＭにおける電子転送方向に垂直な断面内において、絶縁層２は、中央領域の厚みよりも、両サイド部の厚みが大きくなっており、Ｎ型の半導体領域１Ｃの中央領域と両サイド部との境界において一対のオーバーフロードレイン１Ｎが形成され、それぞれのオーバーフロードレイン１Ｎは、増倍レジスタＥＭにおける電子転送方向に沿って延びている。オーバーフローゲート電極Ｇは、絶縁層２の薄い部分から厚い部分にかけて延びており、また、各転送電極８（８Ａ，８Ｂ）の長手方向の両端部と絶縁層２との間に介在し、各電極８（８Ａ，８Ｂ）に対するシールド電極としても機能している。

Abstract translation: 公开了一种含有电子倍增功能的固体摄像装置。 在垂直于倍增寄存器（EM）中的电子传输方向的截面中，绝缘层（2）具有中心区域，其中心区域的厚度大于绝缘层的相对侧部分的厚度; 并且在N型半导体区域（1C）的中心区域和相对侧部分之间的边界处形成一对溢流漏极（1N），并且每个溢出漏极（1N）在乘法寄存器中的电子传输方向上延伸 （EM）。 溢流栅电极（G）从绝缘层（2）的薄部分延伸到厚部分，并且设置在绝缘层（2）和每个传输电极（8A，8B）的相对端之间的纵向方向上 ，用作电极（8A，8B）的屏蔽电极。

公开(公告)号：WO2007145848A2

公开(公告)日：2007-12-21

申请号：PCT/US2007/012918

申请日：2007-06-01

Applicant: EASTMAN KODAK COMPANY ,  MEISENZAHL, Eric John

Inventor： MEISENZAHL, Eric John

CPC classification number: H01L27/14806 ,  H01L27/1485 ,  H01L27/14887

Abstract: An imaging apparatus includes (a) a full-frame, charge-coupled device having (i) a conductive layer of a first dopant type; (ii) a plurality of pixels arranged as a charge-coupled device in the conductive layer that collects charge in response to incident light and transfers the collected charge; (iii) an overflow drain of a dopant type opposite the first type disposed in the conductive layer and laterally adjacent to each pixel; and the apparatus having (b) a voltage supply connected to the lateral overflow drain that is at a first voltage during readout and at a second voltage that is lower than the first voltage during integration.

Abstract translation: 一种成像设备包括（a）全帧电荷耦合器件，其具有（i）第一掺杂剂型的导电层; （ii）布置成导电层中的电荷耦合器件的多个像素，其响应于入射光收集电荷并传送所收集的电荷; （iii）布置在导电层中并与每个像素横向相邻的与第一类型相反的掺杂剂类型的溢出漏极; 并且所述装置具有（b）连接到横向溢出漏极的电压源，其在读出期间处于第一电压，并且在积分期间具有低于第一电压的第二电压。

公开(公告)号：WO0038233A3

公开(公告)日：2000-11-23

申请号：PCT/US9928720

申请日：1999-12-03

Applicant: MASSACHUSETTS INST TECHNOLOGY

Inventor： BURKE BARRY E ,  SAVOYE EUGENE D

IPC: H01L27/148 ,  H01L21/339

CPC classification number: H01L27/14887

Abstract: Provided is a blooming control structure for an imager and a corresponding fabrication method. The structure is produced in a semiconductor substrate in which is configured an electrical charge collection region. The electrical charge collection region is configured to accumulate electrical charge that is photogenerated in the substrate, up to a characteristic charge collection capacity. A blooming drain region is configured in the substrate laterally spaced from the charge collection region. The blooming drain region includes an extended path of a conductivity type and level that are selected for conducting charge in excess of the characteristic charge collection capacity away from the charge collection region. A blooming barrier region is configured in the substrate to be adjacent to and laterally spacing the charge collection and blooming drain regions by a blooming barrier width. This barrier width corresponds to an acute blooming barrier impurity implantation angle with the substrate. The blooming barrier region is of a conductivity type and level that is selected based on the blooming barrier width to produce a corresponding electrical potential barrier between the charge collection and blooming drain regions. This blooming control structure, and particularly the blooming barrier regions of the structure, are very precisely defined by the selected acute blooming barrier impurity implantation angle, and optionally in addition by a rotation of the blooming barrier impurity implantation, as well as a non-vertical sidewall profile of the impurity implantation masking layer.

Abstract translation: 提供了一种用于成像器的模糊控制结构及相应的制造方法。 该结构在其中配置有电荷收集区的半导体衬底中产生。 电荷收集区被配置为累积在衬底中光生成的电荷，直到特征电荷收集能力。 在基底中配置了与电荷收集区横向隔开的起霜漏极区。 开口漏极区域包括导电类型和电平的延伸路径，所述延伸路径被选择用于使电荷超过远离电荷收集区域的特征电荷收集能力。 在衬底中配置有隆起阻挡区域，使其与电荷收集和隆起漏极区域相邻并横向间隔开一个隆起阻挡宽度。 该势垒宽度对应于与衬底的急剧起霜势垒杂质注入角度。 该起霜势垒区具有基于起辉势垒宽度选择的导电类型和电平，以在电荷收集和起晕漏极区之间产生相应的电位势垒。 这种起霜控制结构，特别是结构的起霜阻挡区非常精确地由选择的急剧起霜阻挡层杂质注入角度，以及可选地另外通过旋转喷溅阻挡层杂质注入以及非垂直 杂质注入掩模层的侧壁轮廓。

公开(公告)号：WO1992013361A1

公开(公告)日：1992-08-06

申请号：PCT/US1992000489

申请日：1992-01-21

Applicant: EASTMAN KODAK COMPANY

Inventor： EASTMAN KODAK COMPANY ,  BURKEY, Bruce, C.

IPC: H01L27/148

CPC classification number: H01L27/14887 ,  H01L27/14831

Abstract: An interline area image sensor structure with particular doping arrangements which provides an effective antiblooming control and, when a voltage signal is applied to each transfer gate, all the charge collected in a photodiode will be depleted and transferred to an interline CCD.

Abstract translation: 具有特定掺杂装置的线间区域图像传感器结构，其提供有效的防护控制，并且当向每个传输门施加电压信号时，在光电二极管中收集的所有电荷将被耗尽并传输到行间CCD。

公开(公告)号：WO1991003838A1

公开(公告)日：1991-03-21

申请号：PCT/US1990004913

申请日：1990-08-29

Applicant: EASTMAN KODAK COMPANY

Inventor： EASTMAN KODAK COMPANY ,  ERHARDT, Herbert, James

IPC: H01L27/148

CPC classification number: H01L27/14887 ,  H01L27/14831

Abstract: A charge-coupled imager includes in a substrate (12) of a semiconductor material a plurality of spaced photodetectors (16) arranged in a line. The photodetectors (16) are each of a type that can be completely depleted. A suitable photodetector (16) is a pinned photodiode. A separate accumulation region (18) is contiguous with one side of each of the photodetectors (16). A potential is applied to each accumulation region (18) which forms an accumulation well (38) therein which is lower than that in its respective photodiode so that charge carriers generated in the photodiode will continuously flow into the accumulation region (18). An anti-blooming drain (24) is provided adjacent each accumulation region (18) with the potential barrier between the anti-blooming drain (24) and the accumulation region (18) being below thepotential well in the photodiode so that when the accumulation region (18) fills with charge carriers to the level of the potential barrier any additional charge carriers will overflow into the anti-blooming drain (24). This maintains the level of the potential well (38) in the accumulation region (18) below that in the photodiode to allow the continuous flow of charge carriers from the photodiode into the accumulation region. A CCD shift register (20) extends along the line of accumulation region (18) and has a transfer gate (29) which allows the charge carriers in the accumulation regions (18) to be transferred into the shift register (20).

公开(公告)号：WO1989009495A1

公开(公告)日：1989-10-05

申请号：PCT/US1989000969

申请日：1989-03-13

Applicant: EASTMAN KODAK COMPANY

Inventor： EASTMAN KODAK COMPANY ,  STEVENS, Eric, Gordon

IPC: H01L27/14

CPC classification number: H01L27/14887 ,  H01L27/14831

Abstract: A solid-state image sensor is disclosed which comprises a photodiode (64; 64') formed in a P-type substrate (62; 62'). A charge-coupled device (66; 66') is disposed adjacent the photodiode for receiving signal carriers from the photodiode (64; 64'). A lateral-overflow drain (75; 75') is disposed adjacent the photodiode for receiving excess carriers from the photodiode (64; 64'). In order to provide a simplified image sensor, a virtual gate (71; 71') is formed between the photodiode (64; 64') and the drain (75; 75') to effect the flow of the excess carriers from the photodiode (64; 64').

公开(公告)号：WO2015111389A1

公开(公告)日：2015-07-30

申请号：PCT/JP2015/000129

申请日：2015-01-14

Applicant: SONY CORPORATION

Inventor： IMOTO, Tsutomu ,  MABUCHI, Keiji

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14887 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14654 ,  H01L27/14656 ,  H01L27/14689 ,  H01L27/14812

Abstract: There is provided an imaging device that includes photovoltaic type pixels that have photoelectric conversion regions generating photovoltaic power for each pixel depending on irradiation light; and an element isolation region that is provided between the photoelectric conversion regions of adjacent pixels and in a state of substantially surrounding the photoelectric conversion region.

Abstract translation: 提供了一种成像装置，其包括具有光电转换区域的光电式像素，该光电转换区域根据照射光为每个像素产生光伏电力; 以及设置在相邻像素的光电转换区域之间并且基本上围绕光电转换区域的状态的元件隔离区域。

公开(公告)号：WO2015011869A1

公开(公告)日：2015-01-29

申请号：PCT/JP2014/003028

申请日：2014-06-06

Applicant: パナソニックIPマネジメント株式会社

Inventor： 浅野　拓也 ,  鈴木　静

IPC: H04N5/3728 ,  G01C3/06 ,  G01S17/10 ,  G01S17/89 ,  H01L27/148 ,  H04N5/33 ,  H04N5/345 ,  H04N9/07

CPC classification number: H04N9/045 ,  G01S7/4861 ,  G01S17/42 ,  G01S17/89 ,  G06T2200/04 ,  G06T2207/10024 ,  G06T2207/10048 ,  G06T2207/20182 ,  H01L27/14843 ,  H01L27/14887 ,  H04N5/33 ,  H04N5/341 ,  H04N5/3592 ,  H04N5/361 ,  H04N5/3728 ,  H04N13/271

Abstract: 　１つのイメージセンサから、１フレーム走査期間内に背景光による影響を排除した距離画像を取得し、かつ、別フレームにて可視画像も取得する。　撮像装置は、赤外光を照射する赤外光源と、それぞれ縦型オーバーフロードレインを有し、かつ半導体基板上に行列状に配置された、赤外光を信号電荷に変換する複数の第１画素、及び可視光を信号電荷に変換する複数の第２画素を有する固体撮像装置とを備え、固体撮像装置は、赤外光の照射期間で前記複数の第１画素から得た第１の信号と、赤外光の非照射期間で複数の第１画素から得た第２の信号とを、第１のフレーム走査期間内で出力し、複数の第１画素から得た第３の信号及び複数の第２画素から得た第４の信号を、第２のフレーム走査期間内で出力する。

Abstract translation: 本发明获得在一个图像传感器的第一帧扫描期间已经消除了背景光的影响的距离图像，并且在单独的帧中也获取了可视图像。 该成像装置具有：发出红外光的红外光源; 以及具有将红外光转换为信号电荷的多个第一像素的固态成像装置和将可见光转换为信号电荷的多个第二像素，每个具有垂直溢流漏极并设置在第一像素中 矩阵。 在第一帧扫描周期内，固态成像装置输出在辐射红外光的时段期间从多个第一像素获得的第一信号和在该第一帧扫描期间从多个第一像素获得的第二信号 在第二帧扫描周期内输出不辐射红外光的时段，从多个第一像素获得的第三信号和从多个第二像素获得的第四信号。

公开(公告)号：WO2014078465A1

公开(公告)日：2014-05-22

申请号：PCT/US2013/069969

申请日：2013-11-14

Applicant: SRI INTERNATIONAL

Inventor： JANESICK, James Robert

IPC: H01L31/062 ,  H01L31/113

CPC classification number: H01L27/14887 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14656 ,  H01L27/14689

Abstract: A CMOS multi-pinned pixel having very low dark current and very high charge transfer performance over that of conventional CMOS pixels is disclosed. The CMOS pixel includes epitaxial silicon and at least one transfer gate formed upon the epitaxial silicon. A pinned-photodiode is formed in the epitaxial silicon. A multi-pinned (MP) implant layer is implanted in the epitaxial silicon at least partially extending across the pinned-photodiode and substantially underlying the at least one transfer gate of the CMOS pixel to promote dark current passivation during an accumulation state and promote charge transfer during a transfer state.

Abstract translation: 公开了具有非常低的暗电流和非常高的电荷传输性能的CMOS多引脚像素，超过了传统的CMOS像素。 CMOS像素包括外延硅和形成在外延硅上的至少一个传输栅。 在外延硅中形成pined光电二极管。 多引脚（MP）注入层被注入到外延硅中，至少部分地延伸穿过钉扎光电二极管并且基本上位于CMOS像素的至少一个传输栅极的下方，以在积聚状态下促进暗电流钝化并促进电荷转移 在转移状态。