公开(公告)号：WO2022096071A1

公开(公告)日：2022-05-12

申请号：PCT/DE2021/200163

申请日：2021-10-22

申请人： HUMBOLDT-UNIVERSITÄT ZU BERLIN ,  FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E. V.

发明人： MASSELINK, William Ted ,  SEMTSIV, Mykhaylo Petrovych ,  GLOBISCH, Björn

IPC分类号： H01L31/09 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/18

摘要： Die Erfindung bezieht sich unter anderem auf einen Fotoleiter (10) mit einem Schichtpaket (13), das mehrere fotoleitende Halbleiterschichten (131-134) umfasst. Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass das Schichtpaket (13) zumindest zwei Subpakete (130) umfasst, die jeweils zumindest eine erste fotoleitende Halbleiterschicht (131) und eine zweite fotoleitende Halbleiterschicht (132) umfassen, wobei bei jedem der Subpakete (130) die erste und zweite fotoleitende Halbleiterschicht (131, 132) unterschiedlich hoch dotiert sind.

公开(公告)号：WO2022086449A1

公开(公告)日：2022-04-28

申请号：PCT/SG2021/050638

申请日：2021-10-21

申请人： NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE

发明人： OEZYILMAZ, Barbaros ,  TOH, Chee Tat ,  YANG, Qian

IPC分类号： H01L31/028 ,  H01L51/46 ,  H01L31/102 ,  H01L31/0352 ,  B82Y30/00

摘要： A photodetector comprises a graphene layer formed on a substrate, and a photoactive structure formed on the graphene layer. The photoactive structure comprises quantum dots and a ferroelectric polymer layer, and configured to generate carrier holes when illuminated. The ferroelectric polymer layer has an internal electric field that extends into the graphene layer to facilitate transport of photoinduced carrier holes from the photoactive structure into the graphene layer, thereby improving photoresponse of the photodetector.

公开(公告)号：WO2022030471A1

公开(公告)日：2022-02-10

申请号：PCT/JP2021/028729

申请日：2021-08-03

申请人： 株式会社カネカ

发明人： 岡本　紳平 ,  中村　淳一

IPC分类号： H01L31/0352 ,  H01L31/18 ,  H01L31/05

摘要： シングリング接続時の短絡を防止できる太陽電池セル及びその製造方法を提供すること。本発明の一態様に係る太陽電池セル１において、半導体基板１０と異なる導電型を有する第１半導体層２０は、半導体基板１０の第１方向一方側の端部に第２方向の全長に亘って形成される第１基端部２３、及び第１基端部２３から第１方向他方側に延出する複数の第１収集部２４を有し、第１電極パターン４０が積層される主機能部２１と、半導体基板１０の第１方向他方側の端部に第２方向の全長に亘って線状に形成され、第１電極パターン４０が積層されない隔離部２２と、を有し、半導体基板１０と同じ導電型を有する第２半導体層３０は、隔離部２２の第１方向一方側に隣接し、第２方向に延びる第２基端部３１、及び第２基端部３１から第１方向一方側に延出する複数の第２収集部３２と、を有する。

公开(公告)号：WO2021124273A1

公开(公告)日：2021-06-24

申请号：PCT/IB2020/062219

申请日：2020-12-18

申请人： SOLAR EARTH TECHNOLOGIES LTD.

发明人： ALAGHA, Shima ,  WHITWICK, Michael Brian ,  ZIMMERMANN, Oliver ,  MCCAHON, Christopher ,  WANG, Meng

IPC分类号： H01L31/0232 ,  H01L23/12 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/04

摘要： The present invention relates to photovoltaic lined optical cavity for a robust power generating apparatus consisting of said cavities and manufacturing methods for said cavities. The photovoltaic lined optical cavity comprises of an optical core, a base substrate, photovoltaic layers lining the optical core, and optical elements. The photovoltaic lined optical cavity is optimized for the light capture of solar radiation and sufficient integrity against mechanical loads.

公开(公告)号：WO2021085166A1

公开(公告)日：2021-05-06

申请号：PCT/JP2020/039022

申请日：2020-10-16

申请人： カシオ計算機株式会社

发明人： 斉藤　雄太

IPC分类号： G04C10/02 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0352 ,  G04G19/00

摘要： 表示パネル４１の視認側に重畳配置されるソーラーパネル５が、光を透過させる透過領域５２と、光によって発電する発電部５１と、発電部５１における表示パネル４１に対向する面に形成され、透過領域５２を通り表示パネル４１で反射した光のうち、発電部５１へ入射する光の反射を防ぐ反射防止部としての光吸収層５１５と、を備える。これにより、表示部４の視認性を損なわず、かつ効率よく発電を行うことができる。

公开(公告)号：WO2021062589A1

公开(公告)日：2021-04-08

申请号：PCT/CN2019/109328

申请日：2019-09-30

申请人： 嘉兴风云科技有限责任公司

发明人： 詹健龙 ,  宋禹忻

IPC分类号： H01L31/0304 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/109

摘要： 本发明公开了一种能够缩减层厚度的二类超晶格光探测器，所述二类超晶格光探测器的吸收区包括有InAsBi层和GaSbBi层，所述InAsBi层和GaSbBi层中Bi元素含量均小于15%。本发明通过在传统的InAs/GaSb 二类超晶格光探测器的InAs层和GaSb层中凝入Bi元素，形成InAsBi层和GaSbBi层，从而在不改变探测器截止波长及探测器性能的前提下，能够有效降低二类超晶格光探测器材料的周期厚度以及材料总厚度，减少材料使用成本及分子束外延生长成本。同时还能提高材料的整体吸收系数，减少整个器件体积。

公开(公告)号：WO2020188576A1

公开(公告)日：2020-09-24

申请号：PCT/IL2020/050336

申请日：2020-03-20

申请人： WI-CHARGE LTD

发明人： ALPERT, Ortal ,  MOR, Ori Refael ,  GOLAN, Lior ,  SAGI, Ran ,  CONFORTI, Eyal

IPC分类号： H02J50/30 ,  H01L31/0352

摘要： A wireless optical power transmission system comprising a transmitter and receiver, the transmitter comprising a laser emitting a beam, a scanning mirror for steering the beam towards said receiver and a control unit receiving signals from a detection unit on the receiver and controlling the beam power and the scanning mirror. The receiver has a photovoltaic cell having a bandgap energy of 0.75-1.2 e V, with a plurality of conductors on a beam receiving surface. A cover layer of material blocking illumination of wavelengths outside that of the laser, is disposed on the photovoltaic cell. The cover layer may have anti-reflective coatings on its top and bottom surfaces. The detection unit thus generates a signal representing the power of the laser beam impinging upon the receiver, independent of illuminations other than that of said laser beam. The control unit thus can maintain the laser power impinging on the receiver.

公开(公告)号：WO2020149661A1

公开(公告)日：2020-07-23

申请号：PCT/KR2020/000797

申请日：2020-01-16

申请人： SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION

发明人： VARSHA, Khare ,  SANJIV, Sonkaria

IPC分类号： C09K11/02 ,  C09K11/67 ,  C08L25/06 ,  H01L31/0352

摘要： The biomimcry quantum scale composite of the present invention comprises a TiO 2 quantum dot; and a polymer surrounding the TiO 2 quantum dot and providing confinement of the TiO 2 quantum dot.

公开(公告)号：WO2020148702A1

公开(公告)日：2020-07-23

申请号：PCT/IB2020/050348

申请日：2020-01-16

申请人： KING ABDULLAH UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY

发明人： ROQAN, Iman S. ,  MITRA, Somak ,  PAK, Yusin

IPC分类号： H01L31/0352 ,  H01L31/09 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18 ,  H01L51/42 ,  H01L33/00

摘要： A photodetector (600) for detecting deep ultra-violet light includes a substrate (610); first and second electrodes (603, 605) separated by a channel (607); and colloidal MnO based quantum dots (112) formed in the channel (607). The colloidal MnO based quantum dots are sensitive to ultra-violet light having a wavelength lower than 300 nm.

公开(公告)号：WO2020106914A1

公开(公告)日：2020-05-28

申请号：PCT/US2019/062524

申请日：2019-11-21

申请人： ANALOG DEVICES, INC.

发明人： DELIWALA, Shrenik ,  IUTZI, Ryan Michael

IPC分类号： H01L33/04 ,  H01L33/00 ,  H01L33/30 ,  H01L31/072 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/10

摘要： A device emitting mid-infrared light that comprises a semiconductor substrate of GaSb or closely related material. The device can also comprise epitaxial heterostructures of InAs, GaAs, AISb, and related alloys forming light emitting structures cascaded by tunnel junctions. Further, the device can comprise light emission from the front, epitaxial side of the substrate.