公开(公告)号：WO2022212487A1

公开(公告)日：2022-10-06

申请号：PCT/US2022/022523

申请日：2022-03-30

申请人： RAYTHEON COMPANY

发明人： DEJARLD, Matthew, T. ,  LAROCHE, Jeffrey, R. ,  LONG, Clay, T. ,  SOIREZ, Lovelace, J.

IPC分类号： H01L31/09 ,  H01L31/0304 ,  H01L27/144 ,  H01L27/146 ,  H01L31/02019 ,  H01L31/03044 ,  H01L31/1035

摘要： An integrated circuit structure comprising a substrate having an upper surface; a gallium nitride layer disposed on the upper surface of the substrate; and a photoconductive semiconductor switch laterally disposed alongside a transistor on the gallium nitride layer integrated into the integrated circuit structure wherein a regrown gallium nitride material is disposed on the photoconductive semiconductor switch and operatively coupled with the wafer.

公开(公告)号：WO2021156428A1

公开(公告)日：2021-08-12

申请号：PCT/EP2021/052783

申请日：2021-02-05

申请人： TRINAMIX GMBH

发明人： OEGUEN, Celal Mohan ,  GUST, Robert

IPC分类号： G01J5/20 ,  G01J5/22 ,  G01J5/28 ,  G01J5/30 ,  G01J5/60 ,  H01L31/09

摘要： A sensor system (100), comprising of four interconnected resistors (102, 103, 104, 105), whereas, two of the resistors (104, 105) are photoconductive detectors, whereas the photoconductive detectors are illuminated with light at least at two different wavelengths, whereas two of the resistors (102, 103) does not change their resistance due to the illumination, whereas an external voltage is applicable to the sensor system (100), whereas a differential voltage is measurable, which depends on the resistance changes of the illuminated photoconductive detectors, whereas the differential voltage gives a mathematical ratio of the four respective resistances (102, 103, 104, 105).

公开(公告)号：WO2021094880A1

公开(公告)日：2021-05-20

申请号：PCT/IB2020/060425

申请日：2020-11-05

申请人： KING ABDULLAH UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY

发明人： TANG, Xiao ,  LI, Xiaohang

IPC分类号： C23C16/40 ,  C23C28/00 ,  C23C14/08 ,  C30B23/02 ,  C30B25/18 ,  C30B29/16 ,  C30B29/20 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/09

摘要： An optoelectronic device includes a flexible substrate, a cerium oxide (CeO2) layer arranged on the flexible substrate, a single crystal β-III-oxide layer arranged on the CeO2 layer, and a metallic contact layer arranged on the single crystal β-III-oxide layer.

公开(公告)号：WO2020177400A1

公开(公告)日：2020-09-10

申请号：PCT/CN2019/120445

申请日：2019-11-23

申请人： 西安工业大学

发明人： 刘卫国 ,  王卓曼 ,  刘欢 ,  白民宇 ,  韩军 ,  王曦 ,  梁海锋 ,  安妍

IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L31/09

摘要： 具有多功能窗口的全天时成像探测器及其制备方法，该装置包括多功能窗口(1)和探测部分(2)，多功能窗口(1)包括微透镜阵列(3)、窗口本体(4)和滤光片阵列(5)；所述微透镜阵列(3)集成在窗口本体(4)的上表面，每个微透镜单元顶面均为球冠结构，球冠的俯视投影为正方形，相邻微透镜单元球冠俯视投影的正方形相接；所述滤光片阵列(5)镀制在窗口本体(4)的下表面；所述滤光片阵列(5)包括四种滤光片，分别为三种单色可见光结合红外波段的带通滤光片和一种红外滤光片；所述探测部分(2)由像素单元阵列构成，每个像素单元包括四种亚像素单元，四种亚像素单元与四种滤光片一一正对。还介绍了微透镜阵列的制备方法、探测器的探测方法。可以实现全天时探测。

公开(公告)号：WO2020098362A1

公开(公告)日：2020-05-22

申请号：PCT/CN2019/105775

申请日：2019-09-12

申请人： 深圳市灵明光子科技有限公司

发明人： 臧凯 ,  李爽 ,  贾捷阳

IPC分类号： H01L31/0216 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/09

摘要： 一种光电探测器、光电探测器的制备方法、光电探测器阵列和光电探测终端。一种光电探测器，包括衬底（11）和形成于衬底（11）之上的光学谐振腔（10）：光学谐振腔（10）可包括：光吸收层（13），具有相对的光线入射外表面和底部外部表面，以及位于光线入射表面与底部表面之间的外侧壁；陷光结构层（14），覆盖于光线入射表面；以及光反射结构层（12），覆盖于光吸收层（13）的底部外表面和/或外侧壁上；其中，光反射结构层（12）用于反射透过陷光结构层（14）射入光学谐振腔（10）中的外部光线，以增加外部光线在光吸收层（13）中的传播光程，进而有效提升光电探测器的光子吸收效率。

公开(公告)号：WO2020081778A1

公开(公告)日：2020-04-23

申请号：PCT/US2019/056685

申请日：2019-10-17

申请人： ATTOLLO ENGINEERING, LLC

发明人： GESKE, Jonathan ,  HOOD, Andrew ,  MACDOUGAL, Michael

IPC分类号： H01L31/036 ,  H01L31/056 ,  H01L31/077 ,  H01L31/08 ,  H01L31/09 ,  H01L31/10 ,  H01L31/101 ,  H01L31/102 ,  H01L31/103

摘要： A PIN photodetector includes an n-type semiconductor layer, an n-type semiconductor cap layer, a first plurality of p-type regions located within the n-type semiconductor cap layer and separated from one another by a distance d 1 , and an absorber layer located between the n-type semiconductor layer and the n-type semiconductor cap layer including the first plurality of p-type regions. The plurality of p-type regions are electrically connected to one another to provide an electrical response to light incident to the PIN photodetector.

公开(公告)号：WO2020081441A9

公开(公告)日：2020-04-23

申请号：PCT/US2019/056091

申请日：2019-10-14

申请人： ARIZONA BOARD OF REGENTS ON BEHALF OF ARIZONA STATE UNIVERSITY ,  BOARD OF REGENTS OF THE UNIVERSITY OF OKLAHOMA

发明人： FERRY, David ,  WHITESIDE, Vincent ,  SELLERS, Ian, R.

IPC分类号： H01L31/02 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/036 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/072 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/09 ,  H01L31/101

摘要： A photovoltaic device configured to substantially avoid radiative recombination of photo-generated carriers, reduce loss of energy of the photo-generated carriers through the phonon emission, extract photo-generated carriers substantially exclusively from the multi-frequency satellite valley(s) of the bandstructure of the used semiconductor material as opposed to the single predetermined extremum of the bandstructure. Methodologies of fabrication and operation of such a device.

公开(公告)号：WO2020040824A3

公开(公告)日：2020-02-27

申请号：PCT/US2019/028682

申请日：2019-04-23

申请人： BAE SYSTEMS INFORMATION AND ELECTRONIC SYSTEMS INTEGRATION INC.

发明人： HAIRSTON, Allen, W. ,  LACROIX, Daniel, P.

IPC分类号： H04N5/33 ,  G01J5/20 ,  G01J5/22 ,  H01L27/146 ,  H01L31/09 ,  G08B13/189 ,  G08B13/19 ,  G08B13/191

摘要： Methods and systems for enabling an approximation of true snapshot integration by lowering total power requirements, total detector bias current, integrated charge per detector and detector impedance while allowing for higher ROIC input noise through the use of microbolometer photodetectors, super-pixels, and techniques for their use are herein provided.

公开(公告)号：WO2020016564A1

公开(公告)日：2020-01-23

申请号：PCT/GB2019/051977

申请日：2019-07-16

申请人： CAMBRIDGE ENTERPRISE LIMITED

发明人： APPLEGATE, Matthew ,  IRVINE, Andrew ,  BARNES, Crispin

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/09 ,  H01L31/107

摘要： We disclose herein a photodetector comprising at least one absorption region in which photons are absorbed; and a plurality of electrodes disposed on the at least one absorption region, the electrodes being spaced apart from one another. In use, the geometry of at least one electrode is chosen to enhance the formation of an electric field of the requisite magnitude for avalanche multiplication to occur near the at least one electrode.

公开(公告)号：WO2019178916A1

公开(公告)日：2019-09-26

申请号：PCT/CN2018/084543

申请日：2018-04-26

申请人： 华南理工大学

发明人： 王文樑 ,  李国强 ,  郑昱林

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L29/778 ,  H01L31/09 ,  H01L33/32 ,  C23C16/34

摘要： 本发明公开了一种二维AlN材料及其制备方法与应用，包括以下步骤：(1)衬底以及其晶向的选取；(2)对衬底进行表面清洁处理；(3)石墨烯层转移至衬底层上；(4)衬底退火处理；(5)采用MOCVD工艺通入H 2 打开石墨烯层并钝化衬底表面；(6)采用MOCVD工艺生长二维AlN层。本发明的制备方法具有工艺简单、省时高效的优点。同时本发明制备的二维AlN材料可广泛应用于HEMT器件、深紫外探测器或深紫外LED等领域。