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公开(公告)号:WO2016107406A1
公开(公告)日:2016-07-07
申请号:PCT/CN2015/097542
申请日:2015-12-16
Abstract: 本发明涉及一种化学机械抛光液及其应用,该抛光液含有研磨颗粒、氨基硅烷试剂和水。本发明适合于硅通孔(TSV)工艺中阻挡层的抛光,还可用于集成电路铜互连制程中的阻挡层抛光、二氧化硅层间介质抛光和浅槽隔离层抛光,在较温和的条件下具有高的阻挡层去除速率,较高的平坦化效率。抛光液可制备高浓缩的产品,不但可以有效降低成本,还便于储存和运输。