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    PLASMA DEPOSITION WITH NON-CONDUCTIVE LAYER
    62.
    发明申请
    PLASMA DEPOSITION WITH NON-CONDUCTIVE LAYER 审中-公开
    等离子体沉积与非导电层

    公开(公告)号：WO2010030866A1

    公开(公告)日：2010-03-18

    申请号：PCT/US2009/056643

    申请日：2009-09-11

    申请人： UNIVERSAL DISPLAY CORPORATION ,  YAMAMOTO, Hitoshi ,  SILVERNAIL, Jeffrey

    发明人： YAMAMOTO, Hitoshi ,  SILVERNAIL, Jeffrey

    IPC分类号： H01L51/56 ,  C23C14/22

    CPC分类号： H01L51/0008 ,  H01L51/52 ,  H01L51/56

    摘要： A method of fabricating an organic device is provided. An electrically- insulating layer (312) is grown over a first surface of a flexible conductive substrate (311). The flexible conductive substrate (311) is then placed on an electrode (313) of a deposition chamber (400), such that the electrically insulating layer (312) is in contact with the electrode (313) and prevents electrical contact between the electrode (313) and the flexible conductive substrate (311). A layer is deposited by a plasma process over the substrate (311) while the electrically insulating layer (312) is in contact with the electrode (313) of the deposition chamber (400).

    摘要翻译： 提供一种制造有机器件的方法。 在柔性导电基板（311）的第一表面上生长电绝缘层（312）。 然后将柔性导电基板（311）放置在沉积室（400）的电极（313）上，使得电绝缘层（312）与电极（313）接触并防止电极（ 313）和柔性导电基板（311）。 在电绝缘层（312）与沉积室（400）的电极（313）接触的同时，通过等离子体处理在衬底（311）上沉积层。

    METHOD OF MAKING THIN FILM STRUCTURE AND COMPOSITIONS THEREOF
    63.
    发明申请
    METHOD OF MAKING THIN FILM STRUCTURE AND COMPOSITIONS THEREOF 审中-公开
    制备薄膜结构的方法及其组合物

    公开(公告)号：WO2009140470A1

    公开(公告)日：2009-11-19

    申请号：PCT/US2009/043912

    申请日：2009-05-14

    申请人： BASF CORPORATION ,  CHIRAYIL, Thomas ,  ZIMMERMANN, Curtis, J. ,  JOHNSON, Geoffrey, M.

    发明人： CHIRAYIL, Thomas ,  ZIMMERMANN, Curtis, J. ,  JOHNSON, Geoffrey, M.

    IPC分类号： G02B5/28 ,  C23C14/22

    CPC分类号： G02B5/286 ,  C23C14/225 ,  C23C16/01 ,  C23C16/405 ,  C23C16/406 ,  C23C16/545 ,  Y10T428/24942

    摘要： This invention is directed to a method of modifying the refractive index of multilayer thin films structure comprising high refractive and low refractive index layers, where the high refractive and low refractive index layers are of the same material, the method comprises a) depositing a first layer of film of a refractive index on a substrate; b) depositing a second layer of film having a different refractive index onto the first layer of film; and c) depositing a third layer of film having a different refractive index from the second layer of film onto the second layer of film, and compositions thereof. In certain embodiments, this multilayer thin film structure of this invention is directed to decorative applications.

    摘要翻译： 本发明涉及一种改变包括高折射率和低折射率层的多层薄膜结构的折射率的方法，其中高折射率和低折射率层是相同的材料，该方法包括：a）沉积第一层 的基材上的折射率膜; b）在第一层膜上沉积具有不同折射率的第二层膜; 以及c）将具有不同折射率的第三层膜从第二层膜沉积到第二层膜上，以及其组合物。 在某些实施方案中，本发明的该多层薄膜结构涉及装饰应用。

    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES MEHRKOMPONENTIGEN, POLYMER- UND METALLHALTIGEN SCHICHTSYSTEMS, VORRICHTUNG UND BESCHICHTETER GEGENSTAND
    64.
    发明申请
    VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES MEHRKOMPONENTIGEN, POLYMER- UND METALLHALTIGEN SCHICHTSYSTEMS, VORRICHTUNG UND BESCHICHTETER GEGENSTAND 审中-公开
    用于生产多组分聚合物和金属含金属层系统，设备和涂层的物体

    公开(公告)号：WO2009118034A1

    公开(公告)日：2009-10-01

    申请号：PCT/EP2008/002648

    申请日：2008-03-27

    申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. ,  VERGÖHL, Michael ,  NEUBERT, Thomas

    发明人： VERGÖHL, Michael ,  NEUBERT, Thomas

    IPC分类号： C23C14/46 ,  C23C14/56 ,  C23C14/06 ,  C23C14/22 ,  C23C14/28

    CPC分类号： C23C14/22 ,  B05D1/60 ,  C23C14/06 ,  C23C14/46 ,  C23C14/562

    摘要： Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung von Schichtsystemen auf Substraten (22) sowie ein System zur Durchführung des Verfahrens und ein mittels einer Ausführungsform des Verfahrens hergestellter Gegenstand. In dem Verfahren wird eine erste Vakuumbeschichtungsquelle (32) mit einer Bestrahlungsquelle (11) bestrahlt, wobei die erste Vakuumbeschichtungsquelle (32) aus einem ersten Schichtmaterial besteht, welches in einem Lösungsmittel gelöst ist. Die zweite Vakuumbeschichtungsquelle (43) wird mittels eines Gasphasenabscheidungsverfahrens auf das Substrat aufgebracht. Auf diese Weise können neuartige Schichtsysteme sowie Mischschichten, insbesondere Mischschichten aus Polymeren und Metallen oder Metalloxiden aufgebracht werden.

    摘要翻译： 本发明涉及一种用于在衬底上制造多层系统的（22）和用于执行该方法，并通过所述过程对象的实施例的装置的一个建立了一个系统的方法。 在该方法中，具有辐射源（11）的第一真空沉积源（32）照射，其中所述第一真空沉积源（32）包括将其溶解在溶剂中的材料的第一层的。 第二真空沉积源（43）是通过气相沉积方法施加到基底上。 以这种方式，新的涂料系统以及混合层，在制成的聚合物和金属或金属氧化物的具体混合层施加。

    VAKUUMKAMMER AUF RAHMENBASIS FÜR BESCHICHTUNGSANLAGEN
    65.
    发明申请
    VAKUUMKAMMER AUF RAHMENBASIS FÜR BESCHICHTUNGSANLAGEN 审中-公开
    真空室框基涂料系统

    公开(公告)号：WO2009068150A1

    公开(公告)日：2009-06-04

    申请号：PCT/EP2008/009233

    申请日：2008-11-01

    申请人： OERLIKON TRADING AG, TRÜBBACH ,  ZÜND, Fredy ,  MAYER, Marco ,  KRASSNITZER, Siegfried ,  GWEHENBERGER, Jürgen

    发明人： ZÜND, Fredy ,  MAYER, Marco ,  KRASSNITZER, Siegfried ,  GWEHENBERGER, Jürgen

    IPC分类号： C23C14/22 ,  C23C16/44

    CPC分类号： C23C16/44 ,  C23C14/22

    摘要： Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Vakuumkammer und deren Herstellung. Erfindungsgemäß umfasst die Vakuumkammer einen Rahmen in den Einsatzplatten eingesetzt werden. Die Einsatzplatten bilden zusammen mit dem Rahmen einen abgeschlossenen Raum in dem ein Vakuum aufgebaut werden kann. Vorzugsweise wird der Mantel des Rahmens aus einem einstückigen Metallstück bei dem großflächig Material herausgenommen wird, wodurch Öffnungen für die Einsatzplatten entstehen. Dies hat unter anderem den Vorteil, dass dort, wo die Einzelplatten eingesetzt werden, keine Schweissnähte nötig sind.

    摘要翻译： 本发明涉及一种真空室和它们的制备方法。 根据本发明，真空腔室包括在所述插入板的帧中使用。 镶嵌板与框架一起形成其中的真空，可以建立一个密闭空间。 优选地，由整块的金属材料的框架的外壳被取出，其中的大的表面积，这是用于插入板形成的开口。 这具有的优点除其他外，其中使用单独的板，不需要焊接。

    成膜装置及び成膜方法
    66.
    发明申请
    成膜装置及び成膜方法 审中-公开
    薄膜成型装置和薄膜成型方法

    公开(公告)号：WO2009057678A1

    公开(公告)日：2009-05-07

    申请号：PCT/JP2008/069726

    申请日：2008-10-30

    申请人： 荏原ユージライト株式会社 ,  吉岡 潤一郎 ,  堀江 邦明 ,  南部 信政

    发明人： 吉岡 潤一郎 ,  堀江 邦明 ,  南部 信政

    IPC分类号： C23C14/22 ,  C23C14/24 ,  C23C14/34 ,  C23C14/56

    CPC分类号： C23C14/24 ,  C23C14/22 ,  C23C14/34 ,  C23C14/56

    摘要： 真空槽（３）内の第１成膜ステージ（８）には、スパッタリング装置を構成するスパッタリング装置（１０）が配置され、第２成膜ステージ（９）には、蒸着装置（１１）が配置されている。カルーセル（４）を回転させながらスパッタリング装置（１０）を作動させて薄膜を形成するスパッタリング工程を行う。このスパッタリング工程の後に、蒸着装置（１１）を作動させてさらに薄膜を形成する。スパッタリング工程では、蒸着材料が蒸発ないし昇華しないように蒸着装置（１１）を冷却する。

    摘要翻译： 在真空槽（3）的第一成膜台（8）上，设置构成溅射装置的溅射装置（10）。 在第二成膜台（9）上设置有沉积装置（11）。 通过在旋转传送带（4）的同时操作溅射装置（10）来进行形成薄膜的溅射步骤。 在溅射步骤之后，通过操作沉积设备（11）进一步形成薄膜。 在溅射步骤中，沉积装置（11）被冷却，使得沉积材料不蒸发或不升华。

    利用物理气相沉积技术制造表面抗菌制品的方法
    68.
    发明申请
    利用物理气相沉积技术制造表面抗菌制品的方法 审中-公开

    公开(公告)号：WO2008028355A1

    公开(公告)日：2008-03-13

    申请号：PCT/CN2006/003275

    申请日：2006-12-04

    申请人： 姜培齐

    发明人： 姜培齐

    IPC分类号： C23C14/22 ,  C23C14/06 ,  C23C14/54

    CPC分类号： C23C14/243 ,  C23C14/0021

    摘要： Disclosed is a method for making surface antibacterial products utilizing physical vapor deposition technology, the method involves using physical vapor deposition technology to coat antibacterial target materials or vaporization materials onto a substrate surface to form an antibacterial film layer, wherein the antibacterial target materials or vaporization materials are one or more selected form the group consisting of Ti, Zn, Ca, Si, Mg, Zr, Cd, As, Sb, Se, Ce, Re, Cu, Ag, Pb, Hg, Co, Ni, Al, Fe, and oxides, sulfides, nitrides, and carbides thereof, a reaction gas usedd in the physical vapor deposition technology is O 2 , N 2 , NH 3 , CH 4 , C 2 H 6 or H 2 S. Holes (1) are drilled on the target (3) surface to feed a gas through gas passages (2), thereby preventing the target from poisoning efficiently to realize multi-arc coating and magnetron sputtering and improving coating efficiency and film layer quality.

    マイクロプラズマ法による薄膜作製方法及びその装置
    69.
    发明申请
    マイクロプラズマ法による薄膜作製方法及びその装置 审中-公开
    通过微波加工形成薄膜的方法及其设备

    公开(公告)号：WO2008023523A1

    公开(公告)日：2008-02-28

    申请号：PCT/JP2007/064411

    申请日：2007-07-23

    申请人： 独立行政法人産業技術総合研究所 ,  清水 禎樹 ,  佐々木 毅 ,  マリオッティ ダビデ ,  桐原 和大 ,  寺嶋 和夫 ,  越崎 直人

    发明人： 清水 禎樹 ,  佐々木 毅 ,  マリオッティ ダビデ ,  桐原 和大 ,  寺嶋 和夫 ,  越崎 直人

    IPC分类号： C23C14/24 ,  C23C14/22 ,  H01L21/285 ,  H05H1/24 ,  H05H1/42

    CPC分类号： C23C14/083 ,  C23C14/18 ,  C23C14/228 ,  H05H1/2406 ,  H05H1/30 ,  H05H1/42 ,  H05H2240/10

    摘要： 　金属および金属化合物のターゲットを主原料とすることで、有機金属ガス等の有害なガスを使用する必要がなくなり、常圧下で発生させた大気圧プラズマを反応場として利用すると共に、熱源としても利用することで高融点材であるシリコンやセラミックス等の基板上へ密着性の良好な金属またはその酸化物若しくは窒化物等の金属化合物薄膜の形成方法及びその形成装置を提供することを目的とする。 　マイクロプラズマ法による薄膜作製方法において、全体に亘って内径が均一である細管Ａ内に薄膜形成用の原料を設置し、該細管Ａに不活性ガスを導入すると共に高周波電圧を印加して細管Ａ内部に高周波プラズマを発生させ、１又は複数の細管Ａ内部のプラズマガスの流速及び高温のプラズマガス温度を高温に維持しながら前記原料を加熱・蒸発させ、蒸発した材料を細管Ａから噴出させて基板上に照射し、前記プラズマガスにより基板を加熱すると共に、照射した材料を大気圧下で基板上に堆積させる。

    摘要翻译： 通过使用金属和金属氧化物，在由诸如硅或陶瓷的高熔点材料制成的基板上形成具有令人满意的粘合性的金属或金属化合物如金属氧化物或氮化物的薄膜的方法， 化合物靶为主要原料，从而不需要使用有机气体等有害气体，通过使用常压下生成的大气压等离子体作为反应场，也可以作为热源。 还提供了一种用于形成薄膜的装置。 通过等离子体处理的薄膜形成方法包括在一个或多个具有均匀内径的细管（A）中的每一个中设置用于薄膜形成的原料，将惰性气体引入细管（A）和 向细管（A）施加高频电压以在细管（A）中产生高频等离子体，在保持细管（A）中的等离子体气体的流量的同时加热/蒸发原料， 并保持高温等离子体气体的温度高，从薄管（A）喷射蒸发的材料，并将其冲击到基板上，以等离子体气体加热基板，并使被冲击的材料沉积在 基板在大气压下。